介紹了基于AD549高精度快響應低漂移微電流放大器的工作原理、電路設計和制造工藝、詞試技術，該微電流放大器是核反應堆反應性測量的關鍵部件之一，其低噪聲、快響應與低漂移技術是精確測量反應性重要因數之一。
上傳時間： 2013-10-25
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基于0．25gm PHEMT工藝，給出了兩個高增益K 波段低噪聲放大器．放大器設計中采用了三級級聯增加柵寬的電路結構，通過前級源極反饋電感的恰當選取獲得較高的增益和較低的噪聲；采用直流偏置上加阻容網絡，用來消除低頻增益和振蕩；三級電路通過電阻共用一組正負電源，使用方便，且電路性能較好，輸入輸出駐波比小于2．0；功率增益達24dB；噪聲系數小于3．5dB．兩個放大器都有較高的動態范圍和較小的面積，放大器ldB壓縮點輸出功率大于15dBm；芯片尺寸為1mm×2mm×0．1mm．該放大器可以應用在24GHz汽車雷達前端和26．5GHz本地多點通信系統中．
上傳時間： 2014-12-23
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設計一種壓控電壓源型二階有源低通濾波電路,并利用Multisim10仿真軟件對電路的頻率特性、特征參量等進行了仿真分析,仿真結果與理論設計一致,為有源濾波器的電路設計提供了EDA手段和依據。
上傳時間： 2013-11-12
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提出了一種應用于CSTN-LCD系統中低功耗、高轉換速率的跟隨器的實現方案。基于GSMC±9V的0.18 μm CMOS高壓工藝SPICE模型的仿真結果表明，在典型的轉角下，打開2個輔助模塊時，靜態功耗約為35 μA；關掉輔助模塊時，主放大器的靜態功耗為24 μA。有外接1 μF的大電容時，屏幕上的充放電時間為10 μs；沒有外接1μF的大電容時，屏幕上的充放電時間為13μs。驗證表明，該跟隨器能滿足CSTN-LCD系統低功耗、高轉換速率性能要求。
上傳時間： 2013-11-18
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為解決ISM頻段低噪聲放大器降低失配與減小噪聲之間的矛盾,提出了一種改善放大器性能的設計方法.分析了單項參數的變化規律,提出了提高綜合性能的方法,給出了放大器封裝模型的電路結構.對射頻放大器SP模型和封裝模型進行仿真.仿真結果表明,輸入和輸出匹配網絡對放大器的性能有影響,所提出的設計方法能有效分配性能指標,為改善ISM頻段低噪聲放大器的性能提出了一種新的途徑
上傳時間： 2013-11-10
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文中介紹了一款超高頻窄帶低噪聲放大器電路，該電路結構小巧（20 mm ×13 mm ，厚度為0.6 mm），功能可靠、穩定。放大器芯片采用3SK318YB，該芯片具有高增益、低噪聲等特點。電路主要用于超高頻段微波通信，電路拓撲結構采用反饋型、穩定衰減器法和低端增益衰減法進行設計。生產成品并經測試，該產品性價比高，完全達到了設計要求
上傳時間： 2013-11-03
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上傳時間： 2014-12-24
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磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡述了改進鐵氧體軟磁材料比損耗系數和磁滯常數ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數對諧波測量的影響，提出了磁心性能的調控方向。 關鍵詞：比損耗系數， 磁滯常數ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產廠家和軟磁鐵氧體生產廠家，在電感器和變壓器產品的總諧波失真指標控制上，進行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術上采取了不少有效措施，促進了質量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術中就已有嚴格要求<1>。1978年郵電部公布的標準YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產生的非線性失真。這種相對比較的實用方法，專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報、電話設備的遙測振蕩器和線路放大器系統，其非線性失真有很嚴格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時，所配用線圈應用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測磁心配對安裝好后，先調節振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發現諧波失真的測量是一項很精細的工作，其中測量系統的高、低通濾波器，信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機的小型化和穩定性要求， 必須生產低損耗高穩定磁心。上世紀 70 年代初，1409 所和四機部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結，出窯后經真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結、冷卻氣氛。技術上采用共沉淀法攻關試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩定材料，在此基礎上，還實現了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業的技術差異。當時正處于通信技術由FDM（頻率劃分調制）向PCM（脈沖編碼調制） 轉換時期， 日本人明石雅夫發表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優鐵氧體材料<3>，其磁滯系數降為優鐵
上傳時間： 2014-12-24
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Arduino，是一塊基于開放源代碼的USB接口Simple i/o接口板（包括12通道數字GPIO，4通道PWM輸出，6-8通道10bit ADC輸入通道），并且具有使用類似Java,C語言的IDE集成開發環境。 讓您可以快速使用Arduino語言與Flash或Processing…等軟件，作出互動作品。 Arduino可以使用開發完成的電子元件例如Switch或sensors或其他控制器、LED、步進馬達或其他輸出裝置。Arduino也可以獨立運作成為一個可以跟軟件溝通的接口，例如說：flash、processing、Max/MSP、VVVV 或其他互動軟件…。Arduino開發IDE接口基于開放源代碼原，可以讓您免費下載使用開發出更多令人驚艷的互動作品。 特色： 1、開放源代碼的電路圖設計，程序開發接口免費下載，也可依需求自己修改。 2、使用低價格的微處理控制器(ATMEGA8或ATmega128)。可以采用USB接口供電，不需外接電源。也可以使用外部9VDC輸入 3、Arduino支持ISP在線燒，可以將新的“bootloader”固件燒入ATmega8或ATmega128芯片。有了bootloader之后，可以通過串口或者USB to Rs232線更新固件。 4、可依據官方提供的Eagle格式PCB和SCH電路圖，簡化Arduino模組，完成獨立運作的微處理控制。可簡單地與傳感器，各式各樣的電子元件連接(EX：紅外線,超音波,熱敏電阻,光敏電阻,伺服馬達,…等) 5、支持多種互動程序，如：Flash、Max/Msp、VVVV、PD、C、Processing……等 6、應用方面，利用Arduino，突破以往只能使用鼠標，鍵盤，CCD等輸入的裝置的互動內容，可以更簡單地達成單人或多人游戲互動。
標簽： Arduino
上傳時間： 2013-11-24
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利用四分之三波長折疊微帶線與四分之一波長微帶線級聯，并在輸入端口引入四分之一波長短路線，設計出一種新型的超寬帶功率分配器。采用奇偶模的方法進行理論分析，導出設計參數方程，并通過HFSS進行仿真優化。仿真和測量結果表明， 輸入回波損耗從3 GHz~10.9 GHz均大于10 dB。插入損耗從2.6 GHz~9.5 GHz均小于1 dB，從9.5 GHz~10.8 GHz均小于1.3 dB。輸出端口的回波損耗和隔離度從3 GHz~12.7 GHz均大于10 dB。高頻的帶外抑制在14.2 GHz時達到20 dB。
上傳時間： 2013-11-08
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