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車道

  • MOS開關管參數手冊

    ID 型號廠家用途構造溝道v111(V) ixing(A) pdpch(W) waixing 1 2SJ11 東芝DC, LF A, JChop P 20 -10m 100m 4-2 2 2SJ12 東芝DC, LF A,J Chop P 20 -10m 100m 4-2 3 2SJ13 東芝DC, LF A, JChop P 20 -100m 600m 4-35 4 2SJ15 富士通DC, LF A J P 18 -10m 200m 4-1 5 2SJ16 富士通DC, LF A J P 18 -10m 200m 4-1 6 2SJ17 C-MIC J P 20 0.5m 10m 4-47 7 2SJ18 LF PA J(V) P 170 -5 63 4-45 8 2SJ19 NEC LF D J(V) P 140 -100m 800m 4-41 9 2SJ20 NEC LF PA J(V) P 100 -10 100 4-42 10 2SJ22 C-MIC J P 80 0.5m 50m 4-48 11 2SJ39 三菱LF A J P 50 -10m .15/CH 4-81 12 2SJ40 三菱LF A,A-SW J P 50 -10m 300m 4-151 13 2SJ43 松下LF A J P 50 20m 250m 4-80A 14 2SJ44 NEC LF LN A J P 40 -10m 400m 4-53A 15 2SJ45 NEC LF A J P 40 -10m 400m 4-53A 16 2SJ47 日立LF PA MOS P -100 -7 100 4-28A 17 2SJ48 日立LF PA, HS MPOSSW P -120 -7 100 4-28A 18 2SJ49 日立LF PA,HS PMSOWS P -140 -7 100 4-28A 19 2SJ49(H) 日立HS PSW MOS P -140 -7 100 4-28A 20 2SJ50 日立LF/HF PA,HMSO SPSW P -160 -7 100 4-28A 21 2SJ50(H) 日立HS PSW MOS P -160 -7 100 4-28A 22 2SJ51 日立LF LN A J P 40 -10m 800m 4-97A 23 2SJ55 日立LF/HF PA,HMSO SPSW P -180 -8 125 4-28A

    標簽: MOS 開關管 參數

    上傳時間: 2013-10-10

    上傳用戶:13162218709

  • 更改ADM1073的電流限值

    ADM1073 –48 V熱插拔控制器,可通過動態控制置于電源路徑中外部N溝道FET上的柵極電壓,精確限制該電源產生的電流。內部檢測放大器可以檢測連接在電源VEE和SENSE引腳之間的檢測電阻上的電壓。該電平體現了負載電流水平。檢測放大器具有100 mV (±3%)的預設控制環路閾值。這意味著當檢測電阻上檢測到100 mV的電壓時,電流控制環路就會調節負載電流。這樣檢測電阻值可以設置促使環路進行調節的電流水平。100 mV除以RSENSE可以得到電流值,此時檢測電阻會促使環路進行調節。

    標簽: 1073 ADM 電流限值

    上傳時間: 2013-10-30

    上傳用戶:packlj

  • 數字預失真(DPD)算法研發工具和驗證方案

    在無線通信系統全面進入3G并開始邁向 4G的過程中,使用數字預失真技術(Digital Pre-distortion,以下簡稱DPD)對發射機的功放進行線性化是一門關鍵技術。功率放大器是通信系統中影響系統性能和覆蓋范圍的關鍵部件,非線性是功放的固有特性。非線性會引起頻譜增長(spectral re-growth),從而造成鄰道干擾,使帶外雜散達不到協議標準規定的要求。非線性也會造成帶內失真,帶來系統誤碼率增大的問題。

    標簽: DPD 數字預失真 算法 驗證方案

    上傳時間: 2013-10-19

    上傳用戶:yy_cn

  • MOS管驅動基礎和時間功耗計算

    MOS關模型 Cgs:由源極和溝道區域重疊的電極形成的,其電容值是由實際區域的大小和在不同工作條件下保持恒定。Cgd:是兩個不同作用的結果。第一JFET區域和門電極的重疊,第二是耗盡區電容(非線性)。等效的Cgd電容是一個Vds電壓的函數。Cds:也是非線性的電容,它是體二極管的結電容,也是和電壓相關的。這些電容都是由Spec上面的Crss,Ciss和Coss決定的。由于Cgd同時在輸入和輸出,因此等效值由于Vds電壓要比原來大很多,這個稱為米勒效應。由于SPEC上面的值按照特定的條件下測試得到的,我們在實際應用的時候需要修改Cgd的值。

    標簽: MOS 驅動 功耗計算

    上傳時間: 2013-12-09

    上傳用戶:qlpqlq

  • 多層板PCB設計時的EMI解決之道

    解決EMI問題的辦法很多,現代的EMI抑制方法包括:利用EMI抑制涂層、選用合適的EMI抑制零配件和EMI仿真設計等。本文從最基本的PCB布板出發,討論PCB分層堆疊在控制EMI輻射中的作用和設計技巧。

    標簽: PCB EMI 多層板 計時

    上傳時間: 2013-10-09

    上傳用戶:sunshine1402

  • 用單層PCB設計超低成本混合調諧器

    今天,電視機與視訊轉換盒應用中的大多數調諧器采用的都是傳統單變換MOPLL概念。這種調諧器既能處理模擬電視訊號也能處理數字電視訊號,或是同時處理這兩種電視訊號(即所謂的混合調諧器)。在設計這種調諧器時需考慮的關鍵因素包括低成本、低功耗、小尺寸以及對外部組件的選擇。本文將介紹如何用英飛凌的MOPLL調諧芯片TUA6039-2或其影像版TUA6037實現超低成本調諧器參考設計。這種單芯片ULC調諧器整合了射頻和中頻電路,可工作在5V或3.3V,功耗可降低34%。設計采用一塊單層PCB,進一步降低了系統成本,同時能處理DVB-T/PAL/SECAM、ISDB-T/NTSC和ATSC/NTSC等混合訊號,可支持幾乎全球所有地區標準。圖1為采用TUA6039-2/TUA6037設計單變換調諧器架構圖。該調諧器實際上不僅是一個射頻調諧器,也是一個half NIM,因為它包括了中頻模塊。射頻輸入訊號透過一個簡單的高通濾波器加上中頻與民間頻段(CB)陷波器的組合電路進行分離。該設計沒有采用PIN二極管進行頻段切換,而是采用一個非常簡單的三工電路進行頻段切換。天線阻抗透過高感抗耦合電路變換至已調諧的輸入電路。然后透過英飛凌的高增益半偏置MOSFET BF5030W對預選訊號進行放大。BG5120K雙MOSFET可以用于兩個VHF頻段。在接下來的調諧后帶通濾波器電路中,則進行信道選擇和鄰道與影像頻率等多余訊號的抑制。前級追蹤陷波器和帶通濾波器的容性影像頻率補償電路就是專門用來抑制影像頻率。

    標簽: PCB 調諧器

    上傳時間: 2013-11-19

    上傳用戶:ryb

  • N溝道MOS管和P溝道MOS管

    通俗易懂的介紹MOS管和使用方法

    標簽: MOS N溝道

    上傳時間: 2014-08-23

    上傳用戶:woshinimiaoye

  • 采用集成電流檢測來監視和保護汽車系統

    對於集成電路而言,汽車是一種苛刻的使用環境,這裡,引擎罩下的工作溫度範圍可寬達 -40°C 至 125°C,而且,在電池電壓總線上出現大瞬變偏移也是預料之中的事

    標簽: 集成 電流檢測 保護 汽車系統

    上傳時間: 2013-11-20

    上傳用戶:zhaiye

  • 四相升壓型轉換器提供348W功率而無需采用散熱器

    在汽車、工業和電信行業的設計師當中,使用高功率升壓型轉換器的現像正變得越來越普遍。當需要 300W 或更高的功率時,必須在功率器件中實現高效率 (低功率損耗),以免除增設龐大散熱器和采用強迫通風冷卻的需要

    標簽: 348W 升壓型轉換器 功率 散熱器

    上傳時間: 2014-12-01

    上傳用戶:lhc9102

  • 用于端面泵浦DPL的微通道熱沉設計方案

    對端面二級管泵浦固體激光器冷卻系統進行了設計,該散熱系統是半圓形金屬中刻有微通道槽道,將傳導冷卻與流體冷卻緊密結合的一種新型制冷器件。理論分析證明,該器件加強了熱傳導能力,提高了固體激光器的工作效率。

    標簽: DPL 端面 設計方案

    上傳時間: 2014-12-24

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