一、實驗目的 1.觀察RC電路充放電過程，掌握時間常數的測量方法。 2.研究RC積分電路和微分電路的特點。 二、實驗任務 1.觀察記錄圖示電路的放電過程。求出時間常數τ。 2.設計時間常數τ為1ms的RC積分電路和微分電路，用示波器觀察在脈沖信號源周期不同(與時間常數相比，即輸入脈沖寬度T<<τ、T=τ、T>>τ)時的電路輸出，記錄輸入、輸出波形。
上傳時間： 2013-10-25
上傳用戶：baitouyu
在數字設備的設計中，功耗、速度和封裝是我們主要考慮的3個問題，每位設計者都希望功耗最低、速度最快并且封裝最小最便宜，但是實際上，這是不可能的。我們經常是從各種型號規格的邏輯芯片中選擇我們需要的，可是這些并不是適合各種場合的各種需要。當一種明顯優于原來產品的新的技術產生的時候，用戶還是會提出各方面設計的不同需求，因此所有的邏輯系列產品實際上都是功耗、速度與封裝的一種折中產品，當然所有的廠家都在努力的使自己的產品最好。下面可以看一個叫做金屬彈性繼電器的比較老的數字技術的發展過程，就可以看到這些不同的要求的折中是如何實現的，金屬彈性繼電器是在邏輯設備中電子管產生之前的最好的（也是最后的）一代產品。
上傳時間： 2013-12-26
上傳用戶：大灰狼123456
本文以介質諧振器為起始，研究了介質諧振腔體濾波器的設計。文章首先介紹了介質諧振器基本的工作原理，圍繞模式分離與Q值提高研究了實際介質腔體濾波器中常用的工作在TE01模的介質諧振器的基本特性，并在此基礎上提出了一種新的介質諧振器結構，進一步提高介質諧振器模式分離度的同時，也提高了主模的品質因數。
上傳時間： 2013-11-07
上傳用戶：xhz1993
有時候，做元件封裝的時候，做得不是按中心設置為原點（不提倡這種做法），所以制成之后導出來的坐標圖和直接提供給貼片廠的要求相差比較大。比如，以元件的某一個pin 腳作為元件的原點，明顯就有問題，直接修改封裝的話，PCB又的重新調整。所以想到一個方法：把每個元件所有的管腳的X坐標和Y坐標分別求平均值，就為元件的中心。
上傳時間： 2013-11-01
上傳用戶：ccccccc
磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡述了改進鐵氧體軟磁材料比損耗系數和磁滯常數ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數對諧波測量的影響，提出了磁心性能的調控方向。 關鍵詞：比損耗系數， 磁滯常數ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產廠家和軟磁鐵氧體生產廠家，在電感器和變壓器產品的總諧波失真指標控制上，進行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術上采取了不少有效措施，促進了質量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術中就已有嚴格要求<1>。1978年郵電部公布的標準YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產生的非線性失真。這種相對比較的實用方法，專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報、電話設備的遙測振蕩器和線路放大器系統，其非線性失真有很嚴格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時，所配用線圈應用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測磁心配對安裝好后，先調節振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發現諧波失真的測量是一項很精細的工作，其中測量系統的高、低通濾波器，信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機的小型化和穩定性要求， 必須生產低損耗高穩定磁心。上世紀 70 年代初，1409 所和四機部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結，出窯后經真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結、冷卻氣氛。技術上采用共沉淀法攻關試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩定材料，在此基礎上，還實現了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業的技術差異。當時正處于通信技術由FDM（頻率劃分調制）向PCM（脈沖編碼調制） 轉換時期， 日本人明石雅夫發表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優鐵氧體材料<3>，其磁滯系數降為優鐵
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：7891
半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間： 2014-01-20
上傳用戶：蒼山觀海
中望CAD2010體驗版正式發布。作為中望公司的最新年度力作，在繼承以往版本優勢的基礎上，中望CAD2010融入了以“安全漏洞抓取、內存池優化、位圖和矢量圖混合處理”等多項可以極大提高軟件穩定性和效率的中望正在申請全球專利的獨創技術，新增了眾多實用的新功能，在整體性能上實現了巨大的飛躍，主要體現在以下幾方面： 大圖紙處理能力的提升 文字所見即所得、消隱打印等新功能 二次開發接口更加成熟 一、大圖紙處理能力的提升 中望CAD2010版采用了更先進的內存管理以及壓縮技術，采用了一些新的優化算法，使得中望CAD常用命令執行效率和資源占用情況得到進一步的提高，特別是在低內存配置下大圖紙的處理能力，大大減少了圖紙內存資源占用量，提升了大圖紙處理速度。主要體現在： 大圖紙內存占用量顯著下降，平均下降約30%，地形圖類圖紙則平均下降50%； 實體縮放和平移，zoom\pan\redraw更加順暢； 保存速度更快、數據更安全，保存速度平均有40%的提升。 二、新增功能 1、文字所見即所得 文字編輯器有多處改進，文字編輯時顯示的樣式為最后在圖面上的樣式，達到了所見即所得的效果。文字編輯器新加入段落設置，可進行制表位、縮進、段落對齊方式、段落間距和段落行距等項目的調整。另外，在文字編輯器內可直接改變文字傾斜、高度、寬度等特征。 2、消隱打印 中望CAD2010版本支持二維和三維對象的消隱打印，在打印對象時消除隱藏線，不考慮其在屏幕上的顯示方式。此次消隱打印功能主要體現在以下兩個方面： （一）、平臺相關命令和功能的調整 視口的“屬性”：增加“著色打印”選項（“線框”和“消隱”兩種著色打印項） 選擇視口后，右鍵菜單支持“著色打印”項（ “線框”和“隱藏”兩種模式） 命令mview增加了“著色打印”功能項，可以方便用戶設置視口的“著色打印屬性”（線框和消隱兩種模式） 打印”對話框調整：在布局空間，激活“打印”對話框，以前的“消隱打印”選項顯示為“隱藏圖紙空間對象”。 頁面設置管理器啟動的“打印設置”對話框調整：圖紙空間中，通過頁面設置管理器激活的“打印設置”對話框，以前的“消隱打印”選項顯示為“隱藏圖紙空間對象” （二）、消隱打印使用方法的調整 模型空間： 可通過“打印”或“頁面設置管理器”打開的“打印設置”對話框中的“消隱打印”選項來控制模型空間的對象是否消隱打印，同時包含消隱打印預覽，若勾選“消隱打印”按鈕，模型空間的對象將被消隱打印出來。 布局空間： 若要在布局空間消隱打印對象，分為兩種情況： 1) 布局空間視口外的對象是否消隱，直接取決于“打印設置”對話框中“隱藏圖紙空間對象”按鈕是否被勾選； ２）布局空間視口中的對象是否消隱，取決于視口本身的屬性，即“著色打印”特性選項，必須確保該選項為“消隱”才可消隱打印或預覽 3、圖層狀態管理器 可以創建多個命名圖層狀態，以保存圖層的狀態列表，用戶可以通過選擇圖層狀態來表現圖紙的不同顯示效果。這種圖層狀態可以輸出供其它圖紙使用，也可以輸入其它保存的圖層狀態設置。 4、文字定點縮放 能夠依據文字位置的特征點，如中心，左下等，作為基準點，對多行文字或單行文字進行縮放，同時不改變基準點位置。 5、Splinedit新功能 全面支持樣條曲線的編輯，主要體現在SPLINEDIT命令行提示中，如下： 擬合數據(F)/閉合樣條(C)/移動(M) 頂點(V)/精度(R)/反向(E)/撤消(U)/<退出(X)>: 擬合數據： 增加(A)/閉合(C)/刪除數據(D)/移動(M)/清理(P)/切線(T)/<退出(X)>: 增加、刪除數據：通過增加、刪除樣條曲線的擬合點來控制樣條曲線的擬合程度。 移動：通過移動指定的擬合點控制樣條曲線的擬合數據 閉合/打開：控制樣條曲線是否閉合。 清理：清除樣條曲線的擬合數據，從而使命令提示信息變為不包含擬合數據的情形。 切線：修改樣條曲線的起點和端點切向。 閉合樣條：將打開的樣條曲線閉合。若選擇的樣條曲線為閉合的，該選項為“打開”，將閉合的樣條曲線打開。 移動：可用來移動樣條曲線的控制點到新的位置。 精度：可通過添加控制點、提高階數或權值的方式更為精密的控制樣條曲線的定義。 反向：調整樣條曲線的方向為反向。 6、捕捉和柵格功能增強 7、支持文件搜索路徑 關于激活注冊：打開CAD界面，找到左上面的“幫助”，激活產品-復制申請碼-再打開你解壓到CAD包找到keygen.exe（也就是注冊機，有的在是“Key”文件里，如果沒有可以到網上下載），輸入申請碼--點擊確定，就中間那個鍵--得到數據 應該是五組-復制再回到上面激活碼頁面，粘貼激活碼確定就ok ！復制(粘貼)的時候用 ctrl +c（v），用鼠標右鍵沒用！ 如果打開安裝CAD就得注冊才能運行的，那方法也跟上邊的差不多！ 其實你在網上一般是找不到激活碼的，因為各個申請碼不一樣，所以別人的激活碼到你那基本上沒用，只能用相應的方法得到激活碼，這方法也就要你自己去試了，我原來也不會裝CAD，但現在一般3分鐘就裝好了，只要知道怎么說了就快了，一般軟件都是一樣的裝法，不會裝可以到網上找資料！有時求人不如求已，自己算比在網上等著別人給你算快多了
上傳時間： 2013-11-18
上傳用戶：段璇琮*
提出一種增加去耦支路損耗抑制電源分配網絡PDN中并聯諧振的方法。該方法通過在去耦支路引入一個串聯電阻，使PDN的損耗增加，從而抑制PDN并聯諧振。給出了理論模型，借助Hyperlynx PI仿真軟件在DM642板卡上進行仿真實驗。結果表明，在去耦支路引入一個0.45 Ω電阻，可將PDN并聯諧振處的品質因數Q從282抑制到13。同時，分析了引入電阻對去耦效果的影響。當引入電阻小于0.45 Ω時，可通過增加去耦電容并聯個數來補償引入電阻對去耦的影響。
上傳時間： 2013-11-16
上傳用戶：dick_sh
電流型PWM整流器因其良好的功率因數和直流電流源特性，可望在某些場合取代產生大量諧波的二極管或晶閘管相控整流裝置，但是由于其本身的強耦合非線性特性，使得變流器常采用復雜的直接電流控制策略，從而使控制器的設計非常復雜。文中提出一種改進的基于d-q坐標系的間接電流控制方法，在電網電壓平衡情況下，通過解耦控制，能獲得線性的動態響應。
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：asaqq
結合教學實踐，采用Muhisim元件庫中提供的分段線性信號源來實現任意激勵源，具有簡單、易用、適應性廣等特點。給出了任意激勵源的設置方法，包括數據點輸人和數據文件輸人方法，并通過例子來說明該方法在求任意激勵下動態電路響應中的應用。
上傳時間： 2013-11-15
上傳用戶：yl8908
