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達(dá)林頓晶體管

  • 5000種場(chǎng)效應(yīng)管速查

    5000種場(chǎng)效應(yīng)管速查

    標(biāo)簽： 5000 場(chǎng)效應(yīng)管 速查

    上傳時(shí)間： 2013-10-27

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  • 1N系列穩(wěn)壓管參數(shù)

    1N系列穩(wěn)壓管參數(shù)

    標(biāo)簽： 穩(wěn)壓管 參數(shù)

    上傳時(shí)間： 2013-10-11

    上傳用戶：d815185728

  • 場(chǎng)效應(yīng)管的h參數(shù)等效模型

    主要介紹場(chǎng)效應(yīng)管H參數(shù)的模型

    標(biāo)簽： 場(chǎng)效應(yīng)管 h參數(shù) 等效模型

    上傳時(shí)間： 2014-01-09

    上傳用戶：1966649934

  • MOS管驅(qū)動(dòng)電路總結(jié)

    下面是我對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路。

    標(biāo)簽： MOS 驅(qū)動(dòng)電路

    上傳時(shí)間： 2013-11-18

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  • 2SJ系列場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)大全

    2SJ系列場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)大全:

    標(biāo)簽： 2SJ 場(chǎng)效應(yīng)管 參數(shù)大全

    上傳時(shí)間： 2013-11-24

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  • 單管放大_從原理圖到PCB

    運(yùn)用PROTEL DXP 2004設(shè)計(jì)的項(xiàng)目“單管放大”視頻教學(xué)，完整展現(xiàn)了從原理圖到PCB的過(guò)程

    標(biāo)簽： PCB 單管放大 原理圖

    上傳時(shí)間： 2013-11-25

    上傳用戶：龍飛艇

  • 創(chuàng)建PCB元件管腳封裝

    創(chuàng)建PCB元件管腳封裝

    標(biāo)簽： PCB 元件 管腳 封裝

    上傳時(shí)間： 2014-12-24

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  • IC封裝製程簡(jiǎn)介(IC封裝制程簡(jiǎn)介)

    半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類(lèi)別，圖一中不同類(lèi)別的英文縮寫(xiě)名稱(chēng)原文為   PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array         雖然半導(dǎo)體元件的外型種類(lèi)很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見(jiàn)的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。     半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱(chēng)為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱(chēng)為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。

    標(biāo)簽： 封裝 IC封裝 制程

    上傳時(shí)間： 2014-01-20

    上傳用戶：蒼山觀海

  • 開(kāi)關(guān)電源中功率MOSFET管損壞模式及分析

    結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過(guò)電流和過(guò)電壓條件下?lián)p壞的模式，并說(shuō)明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開(kāi)通過(guò)程中發(fā)生失效形態(tài)的差別，從而為失效在關(guān)斷或在開(kāi)通過(guò)程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測(cè)試過(guò)電流和過(guò)電壓的電路圖。同時(shí)分析了功率MOSFET管在動(dòng)態(tài)老化測(cè)試中慢速開(kāi)通、在電池保護(hù)電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長(zhǎng)時(shí)間工作在線性區(qū)時(shí)損壞的形態(tài)。最后，結(jié)合實(shí)際應(yīng)用，論述了功率MOSFET通常會(huì)產(chǎn)生過(guò)電流和過(guò)電壓二種混合損壞方式損壞機(jī)理和過(guò)程。

    標(biāo)簽： MOSFET 開(kāi)關(guān)電源 功率 分

    上傳時(shí)間： 2013-11-14

    上傳用戶：dongqiangqiang

  • 移動(dòng)電源原理圖+數(shù)碼管

    帶數(shù)碼管顯示的 移動(dòng)電源原理圖

    標(biāo)簽： 移動(dòng)電源 原理圖 數(shù)碼管

    上傳時(shí)間： 2013-10-21

    上傳用戶：拔絲土豆

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