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經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。
標(biāo)簽： MOSFET EMI 電壓電流 控制
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PC電源測(cè)試系統(tǒng)chroma8000簡(jiǎn)介
標(biāo)簽： chroma 8000 電源測(cè)試系統(tǒng)
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MSP430G2553 硬件例程 非常全面
標(biāo)簽： G2553 2553 430G MSP
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PIC16F877_C語言例程.pdf
標(biāo)簽： PIC 877 16 語言
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MeTech Verilog例程。
標(biāo)簽： Verilog MeTech 1.0
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stm8s的c語言編程例程
標(biāo)簽： stm8s c語言 編程
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MSP430_C語言例程注釋詳
標(biāo)簽： MSP 430 語言
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RM51單片機(jī)實(shí)驗(yàn)板配套實(shí)驗(yàn)例程庫
標(biāo)簽： RM 51 單片機(jī)實(shí)驗(yàn)板 實(shí)驗(yàn)
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stm32初級(jí)例程 源碼資料
標(biāo)簽： stm 32
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pic 單片機(jī)例程
標(biāo)簽： pic 單片機(jī)
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