專輯類-單片機(jī)專輯-258冊-4.20G 單片機(jī)外圍器件實(shí)用手冊-電源分冊-596頁-11.4M.pdf
上傳時(shí)間： 2013-05-21
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專輯類-單片機(jī)專輯-258冊-4.20G 單片機(jī)外圍器件實(shí)用手冊-存儲器分冊-542頁-12.0M.pdf
上傳時(shí)間： 2013-04-24
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專輯類-單片機(jī)專輯-258冊-4.20G 單片機(jī)外圍器件實(shí)用手冊-輸入通道器件分冊-595頁-10.4M.pdf
上傳時(shí)間： 2013-07-24
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專輯類-單片機(jī)專輯-258冊-4.20G 單片機(jī)外圍器件實(shí)用手冊-電源器件分冊-595頁-21.9M.pdf
上傳時(shí)間： 2013-07-16
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專輯類-國標(biāo)類相關(guān)專輯-313冊-701M GB-T-249-1989-半導(dǎo)體分立器件型號命名方法.pdf
上傳時(shí)間： 2013-06-06
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專輯類-國標(biāo)類相關(guān)專輯-313冊-701M GB-T-12560-1990-半導(dǎo)體器件-分立器件分規(guī)范-可供認(rèn)證用-.pdf
上傳時(shí)間： 2013-06-12
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單片機(jī)外圍器件實(shí)用手冊叢書,學(xué)習(xí)單片機(jī)的兄弟們能用的上了.
標(biāo)簽： 單片機(jī) 外圍器件 實(shí)用手冊
上傳時(shí)間： 2013-05-18
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可編程邏輯器件使用參考資料。 解答可編程器件使用中的常見問題。 供參考。
標(biāo)簽： 可編程器件 應(yīng)用技巧
上傳時(shí)間： 2013-05-19
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有機(jī)發(fā)光顯示器件(OrganicLight-EmittingDiodes，OLEDs)作為下一代顯示器倍受關(guān)注，它具有輕、薄、高亮度、快速響應(yīng)、高清晰度、低電壓、高效率和低成本等優(yōu)點(diǎn)，完全可以媲美CRT、LCD、LED等顯示器件。作為全固化顯示器件，OLED的最大優(yōu)越性是能夠與塑料晶體管技術(shù)相結(jié)合實(shí)現(xiàn)柔性顯示，應(yīng)用前景非常誘人。OLED如此眾多的優(yōu)點(diǎn)和廣闊的商業(yè)前景，吸引了全球眾多研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)參與其研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。然而，OLED也存在一些問題，特別是在發(fā)光機(jī)理、穩(wěn)定性和壽命等方面還需要進(jìn)一步的研究。要達(dá)到這些目標(biāo)，除了器件的材料，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)外，封裝也十分重要。 本論文的主要工作是利用現(xiàn)有的材料，從綠光OLED器件制作工藝、發(fā)光機(jī)理，結(jié)構(gòu)和封裝入手，首先，探討了作為陽極的ITO玻璃表面處理工藝和ITO玻璃的光刻工藝。ITO表面的清潔程度嚴(yán)重影響著光刻質(zhì)量和器件的最終性能；ITO表面經(jīng)過氧等離子處理后其表面功函數(shù)增大，明顯提高了器件的發(fā)光亮度和發(fā)光效率。 其次，針對光刻、曝光工藝技術(shù)進(jìn)行了一系列相關(guān)實(shí)驗(yàn)，在光刻工藝中，光刻膠的厚度是影響光刻質(zhì)量的一個(gè)重要因素，其厚度在1.2μm左右時(shí)，光刻效果理想。研究了OLED器件陰極隔離柱成像過程中的曝光工藝，摸索出了最佳工藝參數(shù)。 然后采用以C545T作為綠光摻雜材料制作器件結(jié)構(gòu)為ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm)：C545T(2.1％摻雜比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的綠光OLED器件。最后基于以上器件采用了兩種封裝工藝，實(shí)驗(yàn)一中，在封裝玻璃的四周涂上UV膠，放入手套箱，在氮?dú)獗Ｗo(hù)氣氛下用紫外冷光源照射1min進(jìn)行一次封裝，然后取出OLED片，在ITO玻璃和封裝玻璃接口處涂上UV膠，真空下用紫外冷光源照射1min，固化進(jìn)行二次封裝。實(shí)驗(yàn)二中，在各功能層蒸鍍完成后，又在陰極的外面蒸鍍了一層薄膜封裝層，然后再按實(shí)驗(yàn)一的方法進(jìn)行封裝。薄膜封裝層的材料分別為硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)。分別對兩種封裝工藝器件的電流-電壓特性、亮度-電壓特性、發(fā)光光譜及壽命等特性進(jìn)行了測試與討論。通過對比，研究發(fā)現(xiàn)增加薄膜封裝層器件的壽命比未加薄膜封裝層器件壽命都有所延長，其中，Se薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.4倍，Te薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了兩倍多，Sb薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.3倍，研究還發(fā)現(xiàn)薄膜封裝層基本不影響器件的電流-電壓特性、色坐標(biāo)等光電性能。最后，分別對三種薄膜封裝層材料硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)進(jìn)行了研究。
上傳時(shí)間： 2013-07-11
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上傳時(shí)間： 2013-07-14
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