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對于電源故障保護應用，超級電容器能夠替代后備電池

在越來越多的短時間能量存貯應用以及那些需要間歇式高能量脈衝的應用中，超級電容器找到了自己的用武之地。電源故障保護電路便是此類應用之一，在該電路中，如果主電源發生短時間故障，則接入一個後備電源，用於給負載供電

標簽： 電源故障保護后備電池超級電容器

上傳時間： 2014-01-08

上傳用戶：lansedeyuntkn
四相升壓型轉換器提供348W功率而無需采用散熱器

在汽車、工業和電信行業的設計師當中，使用高功率升壓型轉換器的現像正變得越來越普遍。當需要 300W 或更高的功率時，必須在功率器件中實現高效率 (低功率損耗)，以免除增設龐大散熱器和采用強迫通風冷卻的需要

標簽： 348W 升壓型轉換器功率散熱器

上傳時間： 2014-12-01

上傳用戶：lhc9102
開關電源設計與開發

開關電源設計與開發資料

標簽： 開關電源設計

上傳時間： 2014-12-24

上傳用戶：38553903210
使用簡易閂鎖電路保護電源

設計時需要過一款簡單、低成本的閂鎖電路 (latch circuit) ？圖一顯示的就是這樣一款電路，基本上是一個可控矽整流器(SCR)，結合了一些離散組件，只需低成本的元件便可以提供電源故障保護。

標簽： 閂鎖電路保護電源

上傳時間： 2013-11-11

上傳用戶：zq70996813
透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導性及輻射性EMI

經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。

標簽： MOSFET EMI 電壓電流控制

上傳時間： 2014-09-08

上傳用戶：swing
可替代整合型MOSFET的獨立元件

在電源設計中，工程人員時常會面臨控制 IC 驅動電流不足的問題，或者因為閘極驅動損耗導致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題，工程人員通常會採用外部驅動器。目前許多半導體廠商都有現成的 MOSFET 積體電路驅動器解決方案，但因為成本考量，工程師往往會選擇比較低價的獨立元件。

標簽： MOSFET 獨立元件

上傳時間： 2013-11-19

上傳用戶：阿譚電器工作室
DDR記憶體電源

CMOS 邏輯系統的功耗主要與時脈頻率、系統內各閘極輸入電容及電源電壓有關，裝置尺寸縮小後，電源電壓也隨之降低，使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運作速度，因此系統時脈頻率可升高至 Ghz 範圍。

標簽： DDR 記憶體電源

上傳時間： 2013-10-14

上傳用戶：immanuel2006
折衷選擇輸入電容鏈波電流的線壓范圍

透過增加輸入電容，可以在獲得更多鏈波電流的同時，還能藉由降低輸入電容的壓降來縮小電源的工作輸入電壓範圍。這會影響電源的變壓器圈數比以及各種電壓與電流應力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大，應力越小，電源效率也就越高。

標簽： 輸入電容電流

上傳時間： 2013-11-11

上傳用戶：jelenecheung
開關電源設計實例和開關電源調試基礎

開關電源設計資料

標簽： 開關電源設計實例調試

上傳時間： 2013-11-08

上傳用戶：李哈哈哈
51單片機_音樂_天空之城_C語言

單片機c語言

標簽： 51單片機語言

上傳時間： 2013-10-07

上傳用戶：cange111