74HC573鎖存器與74HC373
上傳時(shí)間： 2013-11-12
上傳用戶：小寶愛考拉
如何對(duì)STM8S的閃存存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)EEPROM編程
標(biāo)簽： EEPROM STM8S 閃存 存儲(chǔ)器
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶：jennyzai
采用納瓦技術(shù)的8/14引腳閃存8位CMOS單片機(jī) PIC12F635/PIC16F636/639數(shù)據(jù)手冊(cè) 目錄1.0 器件概述 2.0 存儲(chǔ)器構(gòu)成3.0 時(shí)鐘源4.0 I/O 端口 5.0 Timer0 模塊6.0 具備門控功能的Timer1 模塊 7.0 比較器模塊8.0 可編程低壓檢測(cè)（PLVD）模塊9.0 數(shù)據(jù)EEPROM 存儲(chǔ)器10.0 KeeLoq® 兼容加密模塊 11.0 模擬前端（AFE）功能說明 （僅限PIC16F639）12.0 CPU 的特殊功能13.0 指令集概述14.0 開發(fā)支持15.0 電氣特性16.0 DC 和AC 特性圖表17.0 封裝信息Microchip 網(wǎng)站變更通知客戶服務(wù)客戶支持讀者反饋表 附錄A： 數(shù)據(jù)手冊(cè)版本歷史產(chǎn)品標(biāo)識(shí)體系全球銷售及服務(wù)網(wǎng)點(diǎn)
上傳時(shí)間： 2013-11-17
上傳用戶：qlpqlq
6引腳8位閃存單片機(jī) PIC10F200/202/204/206數(shù)據(jù)手冊(cè) 目錄1.0 器件概述2.0 PIC10F200/202/204/206 器件種類3.0 架構(gòu)概述4.0 存儲(chǔ)器構(gòu)成5.0 I/O 端口6.0 Timer0 模塊和TMR0 寄存器（PIC10F200/202）7.0 Timer0 模塊和TMR0 寄存器（PIC10F204/206）8.0 比較器模塊9.0 CPU 的特性10.0 指令集匯總11.0 開發(fā)支持 12.0 電氣規(guī)范 13.0 DC 及AC 特性圖表14.0 封裝信息 索引 客戶支持 變更通知客戶服務(wù) 讀者反饋表 產(chǎn)品標(biāo)識(shí)體系
上傳時(shí)間： 2013-10-09
上傳用戶：chenhr
NEC閃光胸牌電路板的構(gòu)成電路板是由單片機(jī)應(yīng)用電路部分和閃存編程器兩部分構(gòu)成的。■單片機(jī)應(yīng)用電路部分單片機(jī)應(yīng)用電路部分主要是由電池（1220），開關(guān)和NEC 78K0/KB2(uPD78F0500)8位閃存單片機(jī)構(gòu)成。把程序?qū)懭雴纹瑱C(jī)內(nèi)置的閃存存儲(chǔ)器，就可以進(jìn)行各種控制了。■閃存編程器部分閃存編程器是把PC里的程序?qū)懭雴纹瑱C(jī)的閃存存儲(chǔ)器的裝置。您得到的電路板上的閃存編程器部分只有配線沒有零部件，要寫入程序必須購(gòu)置零部件后焊接，您只要花費(fèi)很少的經(jīng)費(fèi)和精力即可完成。關(guān)于閃存編程器的制作方法下面會(huì)做詳細(xì)說明。
上傳時(shí)間： 2013-10-31
上傳用戶：frank1234
三種方法讀取鍵值 使用者設(shè)計(jì)行列鍵盤介面，一般常採(cǎi)用三種方法讀取鍵值。 中斷式 在鍵盤按下時(shí)產(chǎn)生一個(gè)外部中斷通知CPU，並由中斷處理程式通過不同位址讀資料線上的狀態(tài)判斷哪個(gè)按鍵被按下。 本實(shí)驗(yàn)採(cǎi)用中斷式實(shí)現(xiàn)使用者鍵盤介面。 掃描法 對(duì)鍵盤上的某一行送低電位，其他為高電位，然後讀取列值，若列值中有一位是低，表明該行與低電位對(duì)應(yīng)列的鍵被按下。否則掃描下一行。 反轉(zhuǎn)法 先將所有行掃描線輸出低電位，讀列值，若列值有一位是低表明有鍵按下；接著所有列掃描線輸出低電位，再讀行值。 根據(jù)讀到的值組合就可以查表得到鍵碼。4x4鍵盤按4行4列組成如圖電路結(jié)構(gòu)。按鍵按下將會(huì)使行列連成通路，這也是見的使用者鍵盤設(shè)計(jì)電路。 //-----------4X4鍵盤程序--------------// uchar keboard(void) { uchar xxa,yyb,i,key; if((PINC&0x0f)!=0x0f) //是否有按鍵按下 {delayms(1); //延時(shí)去抖動(dòng) if((PINC&0x0f)!=0x0f) //有按下則判斷 { xxa=~(PINC|0xf0); //0000xxxx DDRC=0x0f; PORTC=0xf0; delay_1ms(); yyb=~(PINC|0x0f); //xxxx0000 DDRC=0xf0; //復(fù)位 PORTC=0x0f; while((PINC&0x0f)!=0x0f) //按鍵是否放開 { display(data); } i=4; //計(jì)算返回碼 while(xxa!=0) { xxa=xxa>>1; i--; } if(yyb==0x80) key=i; else if(yyb==0x40) key=4+i; else if(yyb==0x20) key=8+i; else if(yyb==0x10) key=12+i; return key; //返回按下的鍵盤碼 } } else return 17; //沒有按鍵按下 }
上傳時(shí)間： 2013-11-12
上傳用戶：a673761058
文中研究并實(shí)現(xiàn)了一種基于NAND型Flash的高速大容量固態(tài)存儲(chǔ)系統(tǒng),成果為實(shí)際研制應(yīng)用于星的基于閃存的大容量存儲(chǔ)器奠定了基礎(chǔ),具體較好的指導(dǎo)和借鑒意義。
上傳時(shí)間： 2014-10-15
上傳用戶：guanliya
STM32F10xxx閃存編程參考手冊(cè)
上傳時(shí)間： 2013-11-06
上傳用戶：zhaoke2005
開發(fā)了一個(gè)基于閃存平臺(tái)的嵌入式文件系統(tǒng)。為保證閃存扇區(qū)的平均使用率和均衡擦寫次數(shù)，引入了損壞管理策略，在這種策略中采用了動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)空間管理模式和先入先出（FIFO）策略。所采用的冗余設(shè)計(jì)、快速計(jì)算和跟蹤策略還可以延長(zhǎng)核心扇區(qū)使用壽命，保證系統(tǒng)啟動(dòng)可靠的服務(wù)。
標(biāo)簽： 嵌入式系統(tǒng) 存儲(chǔ)管理 閃存 策略
上傳時(shí)間： 2014-12-30
上傳用戶：lingzhichao
128Mb以上的串行閃存被認(rèn)為是電子產(chǎn)品滿足市場(chǎng)需求、增加更多功能的一個(gè)主要障礙，針對(duì)需要128Mb以上串行閃存的應(yīng)用要求，美光科技 (Micron Technology)推出一個(gè)簡(jiǎn)單的獨(dú)一無二的擴(kuò)容解決方案。這個(gè)解決方案可以把存儲(chǔ)容量輕松地?cái)U(kuò)大到4G或更大，完全兼容現(xiàn)有的串行外設(shè)接口(SPI)協(xié)議，無需重新設(shè)計(jì)主芯片的硬件。該解決方案優(yōu)于市場(chǎng)上現(xiàn)有的要求創(chuàng)建一個(gè)新的32位尋址模式的解決方案，因?yàn)閯?chuàng)建新的尋址模式可能強(qiáng)迫設(shè)計(jì)人員修改軟硬件。
上傳時(shí)間： 2013-12-20
上傳用戶：569342831
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