采用鎖相環(huán)技術(shù)設(shè)計了一種穩(wěn)定、低噪聲的C波段頻率源。建立了鎖相環(huán)的相位噪聲模型并分析影響相位噪聲的因素,進(jìn)行了鎖相環(huán)低通濾波器的設(shè)計。利用軟件對環(huán)路的穩(wěn)定性和相位噪聲進(jìn)行仿真,相位裕度在45°以上,環(huán)路工作穩(wěn)定,且具有較好的相位噪聲特性
標(biāo)簽: C波段 頻率源 性能分析
上傳時間: 2014-12-23
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Dongle泛指任何能插到電腦上的小型硬體,PC TV dongle則是用來在PC上觀看電視節(jié)目所用的擴(kuò)充裝置。一般來說,依照採用的電視訊號規(guī)格,PC TV dongle可區(qū)分成兩大類:若使用的訊源為數(shù)位訊號,則屬於數(shù)位PC TV dongle;若使用的是類比訊號,則屬於類比PC TV dongle。全球各地皆有不同的採納階段,且推行的廣播標(biāo)準(zhǔn)也不盡相同。
標(biāo)簽: Dongle TV 數(shù)位
上傳時間: 2013-12-12
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為了測量某試件多點溫度,且溫度跨度很大,還要達(dá)到要求精度,本文利用幾種不同類型的傳感器(AD590、PT1000和K型熱電偶)進(jìn)行采集,其輸出形式(電流源、電阻和熱電勢)和大小均不相同,設(shè)計了電源電路、信號轉(zhuǎn)換電路和放大抬升電路,使各種傳感器的輸出達(dá)到統(tǒng)一的1~5 V的標(biāo)準(zhǔn)信號;在實驗室利用高精度電壓、電流源和電阻箱分別對熱電偶、AD590和PT1000進(jìn)行模擬,結(jié)果表明該方法可行,調(diào)理電路的相對精度可達(dá)到0.1級。
標(biāo)簽: 溫度傳感器 信號調(diào)理 電路設(shè)計
上傳時間: 2013-12-11
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基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動電路設(shè)計與制作
標(biāo)簽: MOS N溝道 H橋驅(qū)動 電路設(shè)計
上傳時間: 2014-08-01
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Butterworth函數(shù)的高階低通濾波器的有源設(shè)計
標(biāo)簽: Butterworth 函數(shù) 低通濾波器 有源
上傳時間: 2013-11-20
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現(xiàn)代相控陣?yán)走_(dá)為了保證空間功率合成精度需要高精度的雷達(dá)信號,設(shè)計實現(xiàn)了一種以AD9959為核心的高精度多通道雷達(dá)信號源。信號源利用多片AD9959產(chǎn)生32路正弦波、線性調(diào)頻以及相位編碼等多種信號形式,并設(shè)計采用AD8302對多路信號的幅度和相位進(jìn)行檢測與調(diào)整。該信號源已應(yīng)用實際工程中,現(xiàn)場實驗結(jié)果表明,該信號源系統(tǒng)產(chǎn)生的高頻信號頻率穩(wěn)定度高、相位幅度一致性好,完全滿足對信號源的性能指標(biāo)的要求。
標(biāo)簽: 9959 AD 高精度 多通道
上傳時間: 2013-11-22
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計算二階有源濾波、一階有源濾波、阻容充放電。
標(biāo)簽: 有源濾波 計算 二階 充放電
上傳時間: 2013-11-17
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結(jié)合直接數(shù)字頻率合成(DDS)和鎖相環(huán)(PLL)技術(shù)完成了X波段低相噪本振跳頻源的設(shè)計。文章通過軟件仿真重點分析了本振跳頻源的低相噪設(shè)計方法,同時給出了主要的硬件選擇和詳細(xì)電路設(shè)計過程。最后對樣機(jī)的測試結(jié)果表明,本方案具有相位噪聲低、頻率控制靈活等優(yōu)點,滿足了實際工程應(yīng)用。
標(biāo)簽: X波段 跳頻源
上傳時間: 2013-11-12
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計數(shù)器是一種重要的時序邏輯電路,廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ),用歸零法設(shè)計N進(jìn)制計數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計了3種36進(jìn)制計數(shù)器,并用Multisim10軟件進(jìn)行仿真。計算機(jī)仿真結(jié)果表明設(shè)計的計數(shù)器實現(xiàn)了36進(jìn)制計數(shù)的功能。基于集成計數(shù)器的N進(jìn)制計數(shù)器設(shè)計方法簡單、可行,運用Multisim 10進(jìn)行電子電路設(shè)計和仿真具有省時、低成本、高效率的優(yōu)越性。
標(biāo)簽: 歸零法 N進(jìn)制計數(shù)器原
上傳時間: 2013-10-11
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在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實驗數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
標(biāo)簽: p-n 隧道 擊穿 模型研究
上傳時間: 2013-10-31
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