線性卷積和線性相關的FFT算法：一 實驗目的 1：掌握FFT基2時間（或基2頻率）抽選法，理解其提高減少乘法運算次數提高運算速度的原理。 2：掌握FFT圓周卷積實現線性卷積的原理 二 實驗內容及要求 1.對N=2048或4096點的離散時間信號x(n)，試用Matlab語言編程分別以DFT和FFT計算N個頻率樣值X(k), 比較兩者所用時間的大小。 2.對N/2點長的x(n)和N/2點長的h(n)，試用Matlab語言編程實現以圓周卷積代替線性卷積，并比較圓周卷積法和直接計算線性卷積兩者的運算速度。 三預做實驗 1.FFT與DFT計算時間的比較 （1）FFT提高運算速度的原理 （2）實驗數據與結論 2.圓周卷積代替線性卷積的有效性實驗 （1）圓周卷積代替線性卷積的原理 （2）實驗數據和結論 FFT提高運算速度的原理 FFT算法將長序列的DFT分解為短序列的DFT。N點的DFT先分解為2個N/2點的DFT，每個N/2點的DFT又分解為N/4點的DFT，等等。最小變換的點數即所謂的“基數”。因此，基數為2的FFT算法的最小變換（或稱蝶型）是2點的DFT。一般地，對N點FFT，對應于N個輸入樣值，有N個頻域樣值與之對應。
上傳時間： 2013-10-26
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采用射頻等離子體增強化學氣相沉積(RF2PECVD)技術制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結構為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調節電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時間,優化了太陽能電池的制備工藝。結果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結構可以應用到電池上;當P 型晶化硅層沉積時間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結構電池特性最好,效率達6. 40 %。通過調整P 型晶化硅薄膜的結構特征,將能進一步改善電池的性能。
上傳時間： 2013-11-21
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隨著我國通信、電力事業的發展，通信、電力網絡的規模越來越大，系統越來越復雜。與之相應的對交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護越來越重要。在中國通信、電力網絡中，傳統的交流供電方案是以UPS或單機式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術的進步、完善，（N+X）熱插拔模塊并聯逆變電源已經非常成熟、可靠；在歐美的通信、電力發達的國家，各大通信運營商、電力供應商、軍隊均大量應用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較，（N+X）熱插拔模塊并聯逆變電源具有以下明顯的優點。
上傳時間： 2014-03-24
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當今電子系統如高端處理器及記憶體，對電源的需求是趨向更低電壓、更高電流的應用。同時、對負載的反應速度也要提高。因此功率系統工程師要面對的挑戰，是要設計出符合系統要求的細小、價廉但高效率的電源系統。而這些要求都不是傳統功率架構能夠完全滿足的。Vicor提出的分比功率架構(Factorized Power Architecture FPA)以及一系列的整合功率元件，可提供革命性的功率轉換方案，應付以上提及的各項挑戰。這些功率元件稱為V•I晶片。
上傳時間： 2013-11-15
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HT45F23 MCU 為用戶提供兩組獨立的比較器，並都由軟體控制，輸入輸出口安排靈活，均 與I/O 共用引腳。本文著重介紹HT45F23 比較器的功能使用的相關設定與應用方式。
標簽： Comparator 45F F23 HT
上傳時間： 2013-10-16
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HT45F23 MCU 含有兩個運算放大器，OPA1 和OPA2，可用於用戶特定的模擬信號處理，通 過控制暫存器，OPA 相關的應用可以很容易實現。本文主要介紹OPA 的操作，暫存器設定 以及基本OPA 應用，例如：同相放大器、反相放大器和電壓跟隨器。 HT45F23 運算放大器OPA1/OPA2 具有多個開關，輸入路徑可選以及多種參考電壓選擇，此 外OPA2 內部有8 種增益選項，直接通過軟體設定。適應於各種廣泛的應用。
上傳時間： 2013-11-21
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適用于51單片機的串口發n
上傳時間： 2014-12-25
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89c51一種用N+1條線實現矩陣鍵盤
標簽： 矩陣鍵盤
上傳時間： 2014-12-26
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常用主板I/O芯片簡介
上傳時間： 2013-11-10
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PIC 單片機的組成習題解答 解答部分1. PIC 單片機指令的執行過程遵循著一種全新哈佛總線體系結構的原則，充分利用了計算機系統在程序存儲器和數據存儲器之間地址空間的相互獨立性，取指過程和執行指令過程可以流水線操作同時進行。因此，當PIC 時鐘頻率為4MHZ時，執行一條非轉移類指令需要4 個系統時鐘周期，即1us,但其指令執行的真實時間應為2us(在執行n—1 條指令時取第n 條指令，然后執行第n 條指令)。所以選項B 正確2. 端口RE 共有3 個引腳RE0~RE2，它們除了用做普通I/O 引腳和第5~7 路模擬信號輸入引腳外，還依次分別承擔并行口讀出/寫入/片選控制端引腳。A． 對。讀出/寫入（REO~RE1）。B．錯。同步串行的相關引腳與端口C 有關。C．錯。通用異步/同步串行的相關引腳與端口C有關。D． 錯。CCP模塊的相關引腳也是與端口C有關。所以選項A正確。3. 上電延時電路能提供一個固定的72ms 上電延時，從而使VDD有足夠的時間上繁榮昌盛到單片機合適的工作電壓。所以選項B 正確。
上傳時間： 2013-11-09
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