1N系列穩壓管參數
標簽： 穩壓管 參數
上傳時間： 2013-10-11
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主要介紹場效應管H參數的模型
標簽： 場效應管 h參數 等效模型
上傳時間： 2014-01-09
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下面是我對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料，非全部原創。包括MOS管的介紹，特性，驅動以及應用電路。
標簽： MOS 驅動電路
上傳時間： 2013-11-18
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計數器是一種重要的時序邏輯電路，廣泛應用于各類數字系統中。介紹以集成計數器74LS161和74LS160為基礎，用歸零法設計N進制計數器的原理與步驟。用此方法設計了3種36進制計數器，并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結果表明設計的計數器實現了36進制計數的功能。基于集成計數器的N進制計數器設計方法簡單、可行，運用Multisim 10進行電子電路設計和仿真具有省時、低成本、高效率的優越性。
標簽： 歸零法 N進制計數器原
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在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
標簽： p-n 隧道 擊穿 模型研究
上傳時間： 2013-10-31
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2SJ系列場效應管參數大全:
標簽： 2SJ 場效應管 參數大全
上傳時間： 2013-11-24
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運用PROTEL DXP 2004設計的項目“單管放大”視頻教學，完整展現了從原理圖到PCB的過程
標簽： PCB 單管放大 原理圖
上傳時間： 2013-11-25
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創建PCB元件管腳封裝
標簽： PCB 元件 管腳 封裝
上傳時間： 2014-12-24
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結合功率MOSFET管不同的失效形態，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下損壞的模式，并說明了產生這樣的損壞形態的原因，也分析了功率MOSFET管在關斷及開通過程中發生失效形態的差別，從而為失效在關斷或在開通過程中發生損壞提供了判斷依據。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時分析了功率MOSFET管在動態老化測試中慢速開通、在電池保護電路應用中慢速關斷及較長時間工作在線性區時損壞的形態。最后，結合實際應用，論述了功率MOSFET通常會產生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機理和過程。
標簽： MOSFET 開關電源 功率 分
上傳時間： 2013-11-14
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帶數碼管顯示的 移動電源原理圖
標簽： 移動電源 原理圖 數碼管
上傳時間： 2013-10-21
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