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開關電容

  • 萬用表測量技巧.

    萬用表測量技巧用萬用表檢測彩色電視機開關電源

    標簽： 萬用表

    上傳時間： 2021-11-27

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  • 華為開關電源電感器設計.pdf

    華為開關電源電感器設計 正激式開關電源變壓器設計步驟

    標簽： 華為 開關電源

    上傳時間： 2021-12-03

    上傳用戶：fliang

  • 11本開關電源經典書籍大放送 （網盤）

    全部都是個人珍藏開關電源書籍，學習完不成大牛你們來找我~1、《反激式開關電源設計、制作、調試》_2014年版2、《交換式電源供給器之理論與實務設計》3、《精通開關電源設計》_2008年版4、《開關電源的原理與設計》_2001年版5、《開關電源故障診斷與排除》_2011年版6、《開關電源設計》第2版_2005年版7、《開關電源設計與優化》_2006年版8、《開關電源設計指南》_2004年版9、《開關電源手冊》第2版_2006年10、《新型開關電源優化設計與實例詳解》_2006版11、開關電源專業英語

    標簽： 開關電源

    上傳時間： 2022-06-01

    上傳用戶：默默

  • 10本開關電源技術書籍分享！

    開關電源專業英語.doc 32KB2020-03-12 11:28 反激式開關電源設計、制作、調試_2014年版..pdf 39.4M2020-03-12 11:28 《精通開關電源設計》_2008年版.pdf 39.7M2020-03-12 11:28 《新型開關電源優化設計與實例詳解》_2006版.pdf 192.1M2020-03-12 11:28 《開關電源設計指南》_2004年版.pdf 9.6M2020-03-12 11:28 《開關電源設計與優化》_2006年版.pdf 28.9M2020-03-12 11:28 《開關電源設計》第2版_2005年版.pdf 31.5M2020-03-12 11:28 《開關電源的原理與設計》_2001年版.pdf 17.9M2020-03-12 11:28 《開關電源故障診斷與排除》_2011年版.pdf 40.8M2020-03-12 11:28 《開關電源手冊》第2版_2006年.pdf 42M2020-03-12 11:28 《交換式電源供給器之理論與實務設計》.pdf

    標簽： AutoCAD 2000 實用教程

    上傳時間： 2013-06-26

    上傳用戶：eeworm

  • HT45F23 OPA 功能

    HT45F23 MCU 含有兩個運算放大器，OPA1 和OPA2，可用於用戶特定的模擬信號處理，通 過控制暫存器，OPA 相關的應用可以很容易實現。本文主要介紹OPA 的操作，暫存器設定 以及基本OPA 應用，例如：同相放大器、反相放大器和電壓跟隨器。 HT45F23 運算放大器OPA1/OPA2 具有多個開關，輸入路徑可選以及多種參考電壓選擇，此 外OPA2 內部有8 種增益選項，直接通過軟體設定。適應於各種廣泛的應用。

    標簽： 45F F23 OPA HT

    上傳時間： 2013-11-21

    上傳用戶：immanuel2006

  • 關於一些面板的介紹

    關於一些面板的介紹，包括音波式面板、電阻式面板、電容式面板等資料。

    標簽： 面板

    上傳時間： 2013-12-07

    上傳用戶：啊颯颯大師的

  • 雙通道8A DCDC uModule穩壓器能夠容易地通過并聯來提供16A電流

    LTM®4616 是一款雙路輸入、雙路輸出 DC/DC μModule™ 穩壓器，采用 15mm x 15mm x 2.8mm LGA 表面貼裝型封裝。由於開關控制器、MOSFET、電感器和其他支持元件均被集成在纖巧型封裝之內，因此只需少量的外部元件。

    標簽： uModule DCDC 16A 雙通道

    上傳時間： 2013-10-27

    上傳用戶：頂得柱

  • DDR記憶體電源

    CMOS 邏輯系統的功耗主要與時脈頻率、系統內各閘極輸入電容及電源電壓有關，裝置尺寸縮小後，電源電壓也隨之降低，使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運作速度，因此系統時脈頻率可升高至 Ghz 範圍。

    標簽： DDR 記憶體 電源

    上傳時間： 2013-10-14

    上傳用戶：immanuel2006

  • 面向小面積和大面積光電二極管的低躁聲放大器

    光電二極管可分為兩類：具高電容 (30pF 至 3000pF)的大面積光電二極管和具相對較低電容 (10pF 或更小)的較小面積光電二極管

    標簽： 光電二極管 低躁聲放大器

    上傳時間： 2013-11-21

    上傳用戶：firstbyte

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導性及輻射性EMI

    經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。

    標簽： MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時間： 2014-09-08

    上傳用戶：swing

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