玻璃中量子點(diǎn)之間電子的共振隧穿.摘要：在建立玻璃中阻容耦合雙量子點(diǎn)模型的基礎(chǔ)，通過(guò)分析雙量子點(diǎn)的靜電能和化學(xué)勢(shì)，討論了化學(xué)勢(shì)隨外加偏壓的變化和共振隧穿現(xiàn)．隨外加偏壓的增大，當(dāng)雙量子點(diǎn)2個(gè)能級(jí)的化學(xué)勢(shì)相等時(shí)發(fā)生共振隧穿現(xiàn)象，在 特性曲線上呈現(xiàn)電流峰．玻璃中不同間距的量子點(diǎn)用不同大小的耦合電容來(lái)表示．隨著玻璃中2個(gè)量子點(diǎn)之間耦合電容的增大，2個(gè)量子點(diǎn)發(fā)生共振隧穿所需要的外加偏壓隨之增大．
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元器件樣本專輯 116冊(cè) 3.03G拓迪電子 阻,容,三極管,二極管 12.6M.rar
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科普知識(shí)--常用阻容元器件的選型參考，給硬件工程師提供一些經(jīng)驗(yàn)
標(biāo)簽： 阻容元器件
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磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡(jiǎn)述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過(guò)程，分析了諸多因數(shù)對(duì)諧波測(cè)量的影響，提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞：比損耗系數(shù)， 磁滯常數(shù)ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來(lái)，變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家，在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上，進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問(wèn)題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施，促進(jìn)了質(zhì)量問(wèn)題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡(jiǎn)稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規(guī)定了高μQ材料制作的無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心詳細(xì)的測(cè)試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測(cè)量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對(duì)比較的實(shí)用方法，專用于無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心的諧波衰耗測(cè)試。 這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話設(shè)備的遙測(cè)振蕩器和線路放大器系統(tǒng)，其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測(cè)無(wú)心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測(cè)量時(shí)，所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測(cè)磁心配對(duì)安裝好后，先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測(cè)得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測(cè)得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測(cè)量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作，其中測(cè)量系統(tǒng)的高、低通濾波器，信號(hào)源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán)，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對(duì)磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求， 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初，1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié)，出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬(wàn)和 100 萬(wàn)的低損耗高穩(wěn)定材料，在此基礎(chǔ)上，還實(shí)現(xiàn)了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國(guó)外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM（頻率劃分調(diào)制）向PCM（脈沖編碼調(diào)制） 轉(zhuǎn)換時(shí)期， 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬(wàn)為 0.8×10 ，100KHz）的超優(yōu)鐵氧體材料<3>，其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵
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電容降壓的工作原理并不復(fù)雜。他的工作原理是利用電容在一定的交流信號(hào)頻率下產(chǎn)生的容抗來(lái)限制最大工作電流。例如,在50Hz的工頻條件下,一個(gè)1uF的電容所產(chǎn)生的容抗約為3180歐姆。當(dāng)220V的交流電壓加在電容器的兩端,則流過(guò)電容的最大電流約為70mA。
標(biāo)簽： 阻容降壓 電路設(shè)計(jì)
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透過(guò)增加輸入電容，可以在獲得更多鏈波電流的同時(shí)，還能藉由降低輸入電容的壓降來(lái)縮小電源的工作輸入電壓範(fàn)圍。這會(huì)影響電源的變壓器圈數(shù)比以及各種電壓與電流應(yīng)力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大，應(yīng)力越小，電源效率也就越高。
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單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)抗干擾技術(shù):第1章 電磁干擾控制基礎(chǔ). 1.1 電磁干擾的基本概念1 1.1.1 噪聲與干擾1 1.1.2 電磁干擾的形成因素2 1.1.3 干擾的分類2 1.2 電磁兼容性3 1.2.1 電磁兼容性定義3 1.2.2 電磁兼容性設(shè)計(jì)3 1.2.3 電磁兼容性常用術(shù)語(yǔ)4 1.2.4 電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)6 1.3 差模干擾和共模干擾8 1.3.1 差模干擾8 1.3.2 共模干擾9 1.4 電磁耦合的等效模型9 1.4.1 集中參數(shù)模型9 1.4.2 分布參數(shù)模型10 1.4.3 電磁波輻射模型11 1.5 電磁干擾的耦合途徑14 1.5.1 傳導(dǎo)耦合14 1.5.2 感應(yīng)耦合（近場(chǎng)耦合）15 .1.5.3 電磁輻射耦合（遠(yuǎn)場(chǎng)耦合）15 1.6 單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)電磁干擾控制的一般方法16 第2章 數(shù)字信號(hào)耦合與傳輸機(jī)理 2.1 數(shù)字信號(hào)與電磁干擾18 2.1.1 數(shù)字信號(hào)的開(kāi)關(guān)速度與頻譜18 2.1.2 開(kāi)關(guān)暫態(tài)電源尖峰電流噪聲22 2.1.3 開(kāi)關(guān)暫態(tài)接地反沖噪聲24 2.1.4 高速數(shù)字電路的EMI特點(diǎn)25 2.2 導(dǎo)線阻抗與線間耦合27 2.2.1 導(dǎo)體交直流電阻的計(jì)算27 2.2.2 導(dǎo)體電感量的計(jì)算29 2.2.3 導(dǎo)體電容量的計(jì)算31 2.2.4 電感耦合分析32 2.2.5 電容耦合分析35 2.3 信號(hào)的長(zhǎng)線傳輸36 2.3.1 長(zhǎng)線傳輸過(guò)程的數(shù)學(xué)描述36 2.3.2 均勻傳輸線特性40 2.3.3 傳輸線特性阻抗計(jì)算42 2.3.4 傳輸線特性阻抗的重復(fù)性與阻抗匹配44 2.4 數(shù)字信號(hào)傳輸過(guò)程中的畸變45 2.4.1 信號(hào)傳輸?shù)娜肷浠?5 2.4.2 信號(hào)傳輸?shù)姆瓷浠?6 2.5 信號(hào)傳輸畸變的抑制措施49 2.5.1 最大傳輸線長(zhǎng)度的計(jì)算49 2.5.2 端點(diǎn)的阻抗匹配50 2.6 數(shù)字信號(hào)的輻射52 2.6.1 差模輻射52 2.6.2 共模輻射55 2.6.3 差模和共模輻射比較57 第3章 常用元件的可靠性能與選擇 3.1 元件的選擇與降額設(shè)計(jì)59 3.1.1 元件的選擇準(zhǔn)則59 3.1.2 元件的降額設(shè)計(jì)59 3.2 電阻器60 3.2.1 電阻器的等效電路60 3.2.2 電阻器的內(nèi)部噪聲60 3.2.3 電阻器的溫度特性61 3.2.4 電阻器的分類與主要參數(shù)62 3.2.5 電阻器的正確選用66 3.3 電容器67 3.3.1 電容器的等效電路67 3.3.2 電容器的種類與型號(hào)68 3.3.3 電容器的標(biāo)志方法70 3.3.4 電容器引腳的電感量71 3.3.5 電容器的正確選用71 3.3.6 電容器使用注意事項(xiàng)73 3.4 電感器73 3.4.1 電感器的等效電路74 3.4.2 電感器使用的注意事項(xiàng)74 3.5 數(shù)字集成電路的抗干擾性能75 3.5.1 噪聲容限與抗干擾能力75 3.5.2 施密特集成電路的噪聲容限77 3.5.3 TTL數(shù)字集成電路的抗干擾性能78 3.5.4 CMOS數(shù)字集成電路的抗干擾性能79 3.5.5 CMOS電路使用中注意事項(xiàng)80 3.5.6 集成門電路系列型號(hào)81 3.6 高速CMOS 54/74HC系列接口設(shè)計(jì)83 3.6.1 54/74HC 系列芯片特點(diǎn)83 3.6.2 74HC與TTL接口85 3.6.3 74HC與單片機(jī)接口85 3.7 元器件的裝配工藝對(duì)可靠性的影響86 第4章 電磁干擾硬件控制技術(shù) 4.1 屏蔽技術(shù)88 4.1.1 電場(chǎng)屏蔽88 4.1.2 磁場(chǎng)屏蔽89 4.1.3 電磁場(chǎng)屏蔽91 4.1.4 屏蔽損耗的計(jì)算92 4.1.5 屏蔽體屏蔽效能的計(jì)算99 4.1.6 屏蔽箱的設(shè)計(jì)100 4.1.7 電磁泄漏的抑制措施102 4.1.8 電纜屏蔽層的屏蔽原理108 4.1.9 屏蔽與接地113 4.1.10 屏蔽設(shè)計(jì)要點(diǎn)113 4.2 接地技術(shù)114 4.2.1 概述114 4.2.2 安全接地115 4.2.3 工作接地117 4.2.4 接地系統(tǒng)的布局119 4.2.5 接地裝置和接地電阻120 4.2.6 地環(huán)路問(wèn)題121 4.2.7 浮地方式122 4.2.8 電纜屏蔽層接地123 4.3 濾波技術(shù)126 4.3.1 濾波器概述127 4.3.2 無(wú)源濾波器130 4.3.3 有源濾波器138 4.3.4 鐵氧體抗干擾磁珠143 4.3.5 貫通濾波器146 4.3.6 電纜線濾波連接器149 4.3.7 PCB板濾波器件154 4.4 隔離技術(shù)155 4.4.1 光電隔離156 4.4.2 繼電器隔離160 4.4.3 變壓器隔離 161 4.4.4 布線隔離161 4.4.5 共模扼流圈162 4.5 電路平衡結(jié)構(gòu)164 4.5.1 雙絞線在平衡電路中的使用164 4.5.2 同軸電纜的平衡結(jié)構(gòu)165 4.5.3 差分放大器165 4.6 雙絞線的抗干擾原理及應(yīng)用166 4.6.1 雙絞線的抗干擾原理166 4.6.2 雙絞線的應(yīng)用168 4.7 信號(hào)線間的串?dāng)_及抑制169 4.7.1 線間串?dāng)_分析169 4.7.2 線間串?dāng)_的抑制173 4.8 信號(hào)線的選擇與敷設(shè)174 4.8.1 信號(hào)線型式的選擇174 4.8.2 信號(hào)線截面的選擇175 4.8.3 單股導(dǎo)線的阻抗分析175 4.8.4 信號(hào)線的敷設(shè)176 4.9 漏電干擾的防止措施177 4.10 抑制數(shù)字信號(hào)噪聲常用硬件措施177 4.10.1 數(shù)字信號(hào)負(fù)傳輸方式178 4.10.2 提高數(shù)字信號(hào)的電壓等級(jí)178 4.10.3 數(shù)字輸入信號(hào)的RC阻容濾波179 4.10.4 提高輸入端的門限電壓181 4.10.5 輸入開(kāi)關(guān)觸點(diǎn)抖動(dòng)干擾的抑制方法181 4.10.6 提高器件的驅(qū)動(dòng)能力184 4.11 靜電放電干擾及其抑制184 第5章 主機(jī)單元配置與抗干擾設(shè)計(jì) 5.1 單片機(jī)主機(jī)單元組成特點(diǎn)186 5.1.1 80C51最小應(yīng)用系統(tǒng)186 5.1.2 低功耗單片機(jī)最小應(yīng)用系統(tǒng)187 5.2 總線的可靠性設(shè)計(jì)191 5.2.1 總線驅(qū)動(dòng)器191 5.2.2 總線的負(fù)載平衡192 5.2.3 總線上拉電阻的配置192 5.3 芯片配置與抗干擾193 5.3.1去耦電容配置194 5.3.2 數(shù)字輸入端的噪聲抑制194 5.3.3 數(shù)字電路不用端的處理195 5.3.4 存儲(chǔ)器的布線196 5.4 譯碼電路的可靠性分析197 5.4.1 過(guò)渡干擾與譯碼選通197 5.4.2 譯碼方式與抗干擾200 5.5 時(shí)鐘電路配置200 5.6 復(fù)位電路設(shè)計(jì)201 5.6.1 復(fù)位電路RC參數(shù)的選擇201 5.6.2 復(fù)位電路的可靠性與抗干擾分析202 5.6.3 I/O接口芯片的延時(shí)復(fù)位205 5.7 單片機(jī)系統(tǒng)的中斷保護(hù)問(wèn)題205 5.7.1 80C51單片機(jī)的中斷機(jī)構(gòu)205 5.7.2 常用的幾種中斷保護(hù)措施205 5.8 RAM數(shù)據(jù)掉電保護(hù)207 5.8.1 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)保護(hù)207 5.8.2 利用雙片選的外RAM數(shù)據(jù)保護(hù)207 5.8.3 利用DS1210實(shí)現(xiàn)外RAM數(shù)據(jù)保護(hù)208 5.8.4 2 KB非易失性隨機(jī)存儲(chǔ)器DS1220AB/AD211 5.9 看門狗技術(shù)215 5.9.1 由單穩(wěn)態(tài)電路實(shí)現(xiàn)看門狗電路216 5.9.2 利用單片機(jī)片內(nèi)定時(shí)器實(shí)現(xiàn)軟件看門狗217 5.9.3 軟硬件結(jié)合的看門狗技術(shù)219 5.9.4 單片機(jī)內(nèi)配置看門狗電路221 5.10 微處理器監(jiān)控器223 5.10.1 微處理器監(jiān)控器MAX703～709/813L223 5.10.2 微處理器監(jiān)控器MAX791227 5.10.3 微處理器監(jiān)控器MAX807231 5.10.4 微處理器監(jiān)控器MAX690A/MAX692A234 5.10.5 微處理器監(jiān)控器MAX691A/MAX693A238 5.10.6 帶備份電池的微處理器監(jiān)控器MAX1691242 5.11 串行E2PROM X25045245 第6章 測(cè)量單元配置與抗干擾設(shè)計(jì) 6.1 概述255 6.2 模擬信號(hào)放大器256 6.2.1 集成運(yùn)算放大器256 6.2.2 測(cè)量放大器組成原理260 6.2.3 單片集成測(cè)量放大器AD521263 6.2.4 單片集成測(cè)量放大器AD522265 6.2.5 單片集成測(cè)量放大器AD526266 6.2.6 單片集成測(cè)量放大器AD620270 6.2.7 單片集成測(cè)量放大器AD623274 6.2.8 單片集成測(cè)量放大器AD624276 6.2.9 單片集成測(cè)量放大器AD625278 6.2.10 單片集成測(cè)量放大器AD626281 6.3 電壓/電流變換器（V/I）283 6.3.1 V/I變換電路..283 6.3.2 集成V/I變換器XTR101284 6.3.3 集成V/I變換器XTR110289 6.3.4 集成V/I變換器AD693292 6.3.5 集成V/I變換器AD694299 6.4 電流/電壓變換器（I/V）302 6.4.1 I/V變換電路302 6.4.2 RCV420型I/V變換器303 6.5 具有放大、濾波、激勵(lì)功能的模塊2B30/2B31305 6.6 模擬信號(hào)隔離放大器313 6.6.1 隔離放大器ISO100313 6.6.2 隔離放大器ISO120316 6.6.3 隔離放大器ISO122319 6.6.4 隔離放大器ISO130323 6.6.5 隔離放大器ISO212P326 6.6.6 由兩片VFC320組成的隔離放大器329 6.6.7 由兩光耦組成的實(shí)用線性隔離放大器333 6.7 數(shù)字電位器及其應(yīng)用336 6.7.1 非易失性數(shù)字電位器x9221336 6.7.2 非易失性數(shù)字電位器x9241343 6.8 傳感器供電電源的配置及抗干擾346 6.8.1 傳感器供電電源的擾動(dòng)補(bǔ)償347 6.8.2 單片集成精密電壓芯片349 6.8.3 A/D轉(zhuǎn)換器芯片提供基準(zhǔn)電壓350 6.9 測(cè)量單元噪聲抑制措施351 6.9.1 外部噪聲源的干擾及其抑制351 6.9.2 輸入信號(hào)串模干擾的抑制352 6.9.3 輸入信號(hào)共模干擾的抑制353 6.9.4 儀器儀表的接地噪聲355 第7章 D/A、A/D單元配置與抗干擾設(shè)計(jì) 7.1 D/A、A/D轉(zhuǎn)換器的干擾源357 7.2 D/A轉(zhuǎn)換原理及抗干擾分析358 7.2.1 T型電阻D/A轉(zhuǎn)換器359 7.2.2 基準(zhǔn)電源精度要求361 7.2.3 D/A轉(zhuǎn)換器的尖峰干擾362 7.3 典型D/A轉(zhuǎn)換器與單片機(jī)接口363 7.3.1 并行12位D/A轉(zhuǎn)換器AD667363 7.3.2 串行12位D/A轉(zhuǎn)換器MAX5154370 7.4 D/A轉(zhuǎn)換器與單片機(jī)的光電接口電路377 7.5 A/D轉(zhuǎn)換器原理與抗干擾性能378 7.5.1 逐次比較式ADC原理378 7.5.2 余數(shù)反饋比較式ADC原理378 7.5.3 雙積分ADC原理380 7.5.4 V/F ADC原理382 7.5.5 ∑Δ式ADC原理384 7.6 典型A/D轉(zhuǎn)換器與單片機(jī)接口387 7.6.18 位并行逐次比較式MAX 118387 7.6.28 通道12位A/D轉(zhuǎn)換器MAX 197394 7.6.3 雙積分式A/D轉(zhuǎn)換器5G14433399 7.6.4 V/F轉(zhuǎn)換器AD 652在A/D轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用403 7.7 采樣保持電路與抗干擾措施408 7.8 多路模擬開(kāi)關(guān)與抗干擾措施412 7.8.1 CD4051412 7.8.2 AD7501413 7.8.3 多路開(kāi)關(guān)配置與抗干擾技術(shù)413 7.9 D/A、A/D轉(zhuǎn)換器的電源、接地與布線416 7.10 精密基準(zhǔn)電壓電路與噪聲抑制416 7.10.1 基準(zhǔn)電壓電路原理417 7.10.2 引腳可編程精密基準(zhǔn)電壓源AD584418 7.10.3 埋入式齊納二極管基準(zhǔn)AD588420 7.10.4 低漂移電壓基準(zhǔn)MAX676/MAX677/MAX678422 7.10.5 低功率低漂移電壓基準(zhǔn)MAX873/MAX875/MAX876424 7.10.6 MC1403/MC1403A、MC1503精密電壓基準(zhǔn)電路430 第8章 功率接口與抗干擾設(shè)計(jì) 8.1 功率驅(qū)動(dòng)元件432 8.1.1 74系列功率集成電路432 8.1.2 75系列功率集成電路433 8.1.3 MOC系列光耦合過(guò)零觸發(fā)雙向晶閘管驅(qū)動(dòng)器435 8.2 輸出控制功率接口電路438 8.2.1 繼電器輸出驅(qū)動(dòng)接口438 8.2.2 繼電器—接觸器輸出驅(qū)動(dòng)電路439 8.2.3 光電耦合器—晶閘管輸出驅(qū)動(dòng)電路439 8.2.4 脈沖變壓器—晶閘管輸出電路440 8.2.5 單片機(jī)與大功率單相負(fù)載的接口電路441 8.2.6 單片機(jī)與大功率三相負(fù)載間的接口電路442 8.3 感性負(fù)載電路噪聲的抑制442 8.3.1 交直流感性負(fù)載瞬變?cè)肼暤囊种品椒?42 8.3.2 晶閘管過(guò)零觸發(fā)的幾種形式445 8.3.3 利用晶閘管抑制感性負(fù)載的瞬變?cè)肼?47 8.4 晶閘管變流裝置的干擾和抑制措施448 8.4.1 晶閘管變流裝置電氣干擾分析448 8.4.2 晶閘管變流裝置的抗干擾措施449 8.5 固態(tài)繼電器451 8.5.1 固態(tài)繼電器的原理和結(jié)構(gòu)451 8.5.2 主要參數(shù)與選用452 8.5.3 交流固態(tài)繼電器的使用454 第9章 人機(jī)對(duì)話單元配置與抗干擾設(shè)計(jì) 9.1 鍵盤接口抗干擾問(wèn)題456 9.2 LED顯示器的構(gòu)造與特點(diǎn)458 9.3 LED的驅(qū)動(dòng)方式459 9.3.1 采用限流電阻的驅(qū)動(dòng)方式459 9.3.2 采用LM317的驅(qū)動(dòng)方式460 9.3.3 串聯(lián)二極管壓降驅(qū)動(dòng)方式462 9.4 典型鍵盤/顯示器接口芯片與單片機(jī)接口463 9.4.1 8位LED驅(qū)動(dòng)器ICM 7218B463 9.4.2 串行LED顯示驅(qū)動(dòng)器MAX 7219468 9.4.3 并行鍵盤/顯示器專用芯片8279482 9.4.4 串行鍵盤/顯示器專用芯片HD 7279A492 9.5 LED顯示接口的抗干擾措施502 9.5.1 LED靜態(tài)顯示接口的抗干擾502 9.5.2 LED動(dòng)態(tài)顯示接口的抗干擾506 9.6 打印機(jī)接口與抗干擾技術(shù)508 9.6.1 并行打印機(jī)標(biāo)準(zhǔn)接口信號(hào)508 9.6.2 打印機(jī)與單片機(jī)接口電路509 9.6.3 打印機(jī)電磁干擾的防護(hù)設(shè)計(jì)510 9.6.4 提高數(shù)據(jù)傳輸可靠性的措施512 第10章 供電電源的配置與抗干擾設(shè)計(jì) 10.1 電源干擾問(wèn)題概述513 10.1.1 電源干擾的類型513 10.1.2 電源干擾的耦合途徑514 10.1.3 電源的共模和差模干擾515 10.1.4 電源抗干擾的基本方法516 10.2 EMI電源濾波器517 10.2.1 實(shí)用低通電容濾波器518 10.2.2 雙繞組扼流圈的應(yīng)用518 10.3 EMI濾波器模塊519 10.3.1 濾波器模塊基礎(chǔ)知識(shí)519 10.3.2 電源濾波器模塊521 10.3.3 防雷濾波器模塊531 10.3.4 脈沖群抑制模塊532 10.4 瞬變干擾吸收器件532 10.4.1 金屬氧化物壓敏電阻（MOV）533 10.4.2 瞬變電壓抑制器（TVS）537 10.5 電源變壓器的屏蔽與隔離552 10.6 交流電源的供電抗干擾方案553 10.6.1 交流電源配電方式553 10.6.2 交流電源抗干擾綜合方案555 10.7 供電直流側(cè)抑制干擾措施555 10.7.1 整流電路的高頻濾波555 10.7.2 串聯(lián)型直流穩(wěn)壓電源配置與抗干擾556 10.7.3 集成穩(wěn)壓器使用中的保護(hù)557 10.8 開(kāi)關(guān)電源干擾的抑制措施559 10.8.1 開(kāi)關(guān)噪聲的分類559 10.8.2 開(kāi)關(guān)電源噪聲的抑制措施560 10.9 微機(jī)用不間斷電源UPS561 10.10 采用晶閘管無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)消除瞬態(tài)干擾設(shè)計(jì)方案564 第11章 印制電路板的抗干擾設(shè)計(jì) 11.1 印制電路板用覆銅板566 11.1.1 覆銅板材料566 11.1.2 覆銅板分類568 11.1.3 覆銅板的標(biāo)準(zhǔn)與電性能571 11.1.4 覆銅板的主要特點(diǎn)和應(yīng)用583 11.2 印制板布線設(shè)計(jì)基礎(chǔ)585 11.2.1 印制板導(dǎo)線的阻抗計(jì)算585 11.2.2 PCB布線結(jié)構(gòu)和特性阻抗計(jì)算587 11.2.3 信號(hào)在印制板上的傳播速度589 11.3 地線和電源線的布線設(shè)計(jì)590 11.3.1 降低接地阻抗的設(shè)計(jì)590 11.3.2 減小電源線阻抗的方法591 11.4 信號(hào)線的布線原則592 11.4.1 信號(hào)傳輸線的尺寸控制592 11.4.2 線間串?dāng)_控制592 11.4.3 輻射干擾的抑制593 11.4.4 反射干擾的抑制594 11.4.5 微機(jī)自動(dòng)布線注意問(wèn)題594 11.5 配置去耦電容的方法594 11.5.1 電源去耦595 11.5.2 集成芯片去耦595 11.6 芯片的選用與器件布局596 11.6.1 芯片選用指南596 11.6.2 器件的布局597 11.6.3 時(shí)鐘電路的布置598 11.7 多層印制電路板599 11.7.1 多層印制板的結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)599 11.7.2 多層印制板的布局方案600 11.7.3 20H原則605 11.8 印制電路板的安裝和板間配線606 第12章 軟件抗干擾原理與方法 12.1 概述607 12.1.1 測(cè)控系統(tǒng)軟件的基本要求607 12.1.2 軟件抗干擾一般方法607 12.2 指令冗余技術(shù)608 12.2.1 NOP的使用609 12.2.2 重要指令冗余609 12.3 軟件陷阱技術(shù)609 12.3.1 軟件陷阱609 12.3.2 軟件陷阱的安排610 12.4 故障自動(dòng)恢復(fù)處理程序613 12.4.1 上電標(biāo)志設(shè)定614 12.4.2 RAM中數(shù)據(jù)冗余保護(hù)與糾錯(cuò)616 12.4.3 軟件復(fù)位與中斷激活標(biāo)志617 12.4.4 程序失控后恢復(fù)運(yùn)行的方法618 12.5 數(shù)字濾波619 12.5.1 程序判斷濾波法620 12.5.2 中位值濾波法620 12.5.3 算術(shù)平均濾波法621 12.5.4 遞推平均濾波法623 12.5.5 防脈沖干擾平均值濾波法624 12.5.6 一階滯后濾波法626 12.6 干擾避開(kāi)法627 12.7 開(kāi)關(guān)量輸入/輸出軟件抗干擾設(shè)計(jì)629 12.7.1 開(kāi)關(guān)量輸入軟件抗干擾措施629 12.7.2 開(kāi)關(guān)量輸出軟件抗干擾措施629 12.8 編寫軟件的其他注意事項(xiàng)630 附錄 電磁兼容器件選購(gòu)信息632
標(biāo)簽： 單片機(jī) 應(yīng)用系統(tǒng) 抗干擾技術(shù)
上傳時(shí)間： 2013-10-20
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AL-FGB系列復(fù)合式過(guò)電壓保護(hù)器 AL-FGB型三相復(fù)合式過(guò)電壓保護(hù)器（簡(jiǎn)稱AL-FGB）是我公司針對(duì)現(xiàn)行各類過(guò)電壓保護(hù)器保護(hù)弱點(diǎn)而研制的新一代專利產(chǎn)品，將組容吸收器和避雷器的功能有機(jī)結(jié)合在一起，專用于35KV及以下中壓電網(wǎng)中，主要用來(lái)吸收真空斷路器、真空接觸器在開(kāi)斷感性負(fù)載時(shí)產(chǎn)生的高頻操作過(guò)電壓，同時(shí)具有吸收大氣過(guò)電壓及其他形式的暫態(tài)沖擊過(guò)電壓的功能； 因此具備一系列其它類型過(guò)電壓保護(hù)器無(wú)法比擬的優(yōu)點(diǎn)。可廣泛地應(yīng)用于真空斷路器操作的電動(dòng)機(jī)、電抗器、變壓器等配電線路中。 該產(chǎn)品使過(guò)電壓保護(hù)器的整體功能實(shí)現(xiàn)了重大突破，是目前功能最全面、保護(hù)最完善的產(chǎn)品。符合國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策及國(guó)家電氣產(chǎn)品無(wú)油化、小型化、節(jié)能環(huán)保等發(fā)展趨勢(shì)，具有顯著的技術(shù)經(jīng)濟(jì)效益和廣泛的社會(huì)效益，是我國(guó)電力建設(shè)尤其是城鄉(xiāng)電網(wǎng)改造急需的產(chǎn)品。 該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于發(fā)電廠、變（配）電站、各種水利設(shè)施、礦山、石油、化工、冶金以及其他各類工業(yè)企業(yè)等。 1、全面抑制雷電和操作過(guò)電壓的危害，功能強(qiáng)大，保護(hù)更全面 在中壓電網(wǎng)中，由于真空電器產(chǎn)品（真空斷路器、真空接觸器、真空負(fù)荷開(kāi)關(guān)、真空重合器等）的滅弧能力特別強(qiáng)，在關(guān)、合感性負(fù)載（發(fā)電機(jī)、變壓器、電抗器和電動(dòng)機(jī)等）時(shí)，容易引發(fā)截流過(guò)電壓、多次重燃過(guò)電壓及三相同時(shí)開(kāi)斷過(guò)電壓。這些操作過(guò)電壓具有高幅值、高陡度（振蕩頻率高達(dá)105～106HZ），對(duì)感性負(fù)載的危害性極大，被稱為“電機(jī)殺手”。 目前各類避雷器和組合式過(guò)電壓保護(hù)器，都是利用氧化鋅閥片的殘壓限制過(guò)電壓的幅值，只限幅不限頻，用來(lái)防雷能起到好的效果，但對(duì)操作過(guò)電壓只治標(biāo)不治本。 AL-FGB內(nèi)部為氧化鋅閥片和電阻電容的有機(jī)組合，兼有氧化鋅閥片型避雷器與阻容吸收器的優(yōu)點(diǎn)，從根本上克服了單純氧化鋅閥片型避雷器與阻容吸收器各自不可避免的缺點(diǎn)，不但能夠防雷，而且能有效抑制上述操作過(guò)電壓的幅值和陡度；雙效合一，至善盡美。 2、雙回路設(shè)計(jì)，功能互補(bǔ)，相互保護(hù) 操作過(guò)電壓保護(hù)阻容回路Ⅰ和避雷保護(hù)回路Ⅱ有機(jī)結(jié)合，保護(hù)功能互不干涉，還能相互保護(hù)。如圖2-1。 當(dāng)雷電波侵入時(shí)，阻容回路Ⅰ不通（但可輔助減緩波頭陡度），雷電波按實(shí)線路徑，經(jīng)避雷回路Ⅱ泄入大地；同時(shí)保護(hù)了阻容回路中電容器，避免其因承受過(guò)高雷電過(guò)電壓而擊穿。當(dāng)高頻振蕩的操作過(guò)電壓侵入時(shí)，則按虛線路徑，經(jīng)阻容回路Ⅰ流通，限幅降頻；同時(shí)減少避雷回路的動(dòng)作次數(shù)，保護(hù)閥片，延長(zhǎng)產(chǎn)品壽命。 3、降低陡度，排除匝間擊穿危險(xiǎn)性； 感性負(fù)載的匝間電位梯度與電流陡度（di/dt）成正比，操作過(guò)電壓陡度極高，對(duì)匝間絕緣危害極大，且易使斷路器重燃。現(xiàn)場(chǎng)許多事故實(shí)例都證明，在操作過(guò)電壓作用下，電機(jī)和變壓器的損壞部位大多集中在匝間，且以進(jìn)線端的匝間為主，這說(shuō)明高陡度對(duì)帶繞組的電氣設(shè)備危害極大。 AL-FGB設(shè)計(jì)的阻容回路能夠有效降低操作過(guò)電壓的振蕩頻率，緩解波頭陡度，從而降低繞組間的電位梯度，且能減少斷路器的重燃機(jī)率，成功抑制高陡度對(duì)電氣設(shè)備的危害。 目前同類的過(guò)電壓保護(hù)設(shè)備，如避雷器、各類組合式過(guò)電壓保護(hù)器等，對(duì)改變操作過(guò)電壓的振蕩頻率、降低陡度無(wú)能為力，即不能防治高陡度對(duì)感性負(fù)載匝間造成的損傷。 4、自控接入，環(huán)保節(jié)能； AL-FGB增加了自控接入裝置，在正常運(yùn)行時(shí)僅通過(guò)μA級(jí)電流，不僅節(jié)約電能，而且不向電網(wǎng)提供附加電容電流，保證系統(tǒng)穩(wěn)定工作。具體參數(shù)設(shè)計(jì)保證其在需要時(shí)能夠迅速接入電網(wǎng)，保護(hù)即時(shí)，而且接入電網(wǎng)工頻電壓性能穩(wěn)定、分散性小、不受大氣條件影響。 設(shè)置自控接入裝置對(duì)消除諧振過(guò)電壓（注：不超過(guò)AL- FGB的承受能力）也具有一定作用。當(dāng)諧振過(guò)電壓幅值高至危害電氣設(shè)備時(shí)，AL-FGB接入電網(wǎng)，電容器增大主回路電容，有利于破壞諧振條件，電阻阻尼震蕩，有利于降低諧振過(guò)電壓幅值。 5、免受諧波侵?jǐn)_，適應(yīng)的電網(wǎng)運(yùn)行環(huán)境更廣； 電網(wǎng)中常含有高次諧波分量，使電容回路的電流異常增大，電阻過(guò)熱，對(duì)過(guò)電壓保護(hù)設(shè)備的正常運(yùn)行不利。 AL-FGB能免受高次諧波侵?jǐn)_:因?yàn)樗黾恿俗钥亟尤胙b置,在正常運(yùn)行或發(fā)生單相接地異常運(yùn)行時(shí)都與電網(wǎng)隔離,所以可以在高次諧波含量較高的電網(wǎng)中工作,適應(yīng)的電網(wǎng)運(yùn)行環(huán)境更廣。 6、自控脫離，有效控制事故范圍； 諧振過(guò)電壓、間歇性弧光接地過(guò)電壓等系統(tǒng)過(guò)電壓，持續(xù)時(shí)間長(zhǎng)、能量大，但幅度和陡度都不是很高。這類系統(tǒng)過(guò)電壓極易損壞過(guò)電壓保護(hù)設(shè)備，出現(xiàn)爆炸等現(xiàn)象。 AL-FGB增加了自控脫離裝置，能實(shí)現(xiàn)自我保護(hù)功能。當(dāng)系統(tǒng)過(guò)電壓超過(guò)AL-FGB的承受能力時(shí)，自控脫離裝置選擇自我脫離，保護(hù)本體，避免出現(xiàn)爆炸的現(xiàn)象，控制事故范圍，延長(zhǎng)使用壽命，運(yùn)行更安全更經(jīng)濟(jì)。 7、既可保護(hù)相對(duì)地，又可保護(hù)相間； 四極式聯(lián)接（如圖2-2），具體參數(shù)設(shè)計(jì)保證：不僅能保護(hù)相對(duì)地絕緣，而且能保護(hù)相間絕緣。本身為連體結(jié)構(gòu)，體積小，性能穩(wěn)定，而價(jià)格不高。 8、吸收容量大，保護(hù)范圍更廣； 針對(duì)35KV電網(wǎng)系統(tǒng)，AL-FGB電容容量高達(dá)0.05μF，保護(hù)范圍完全覆蓋該電網(wǎng)系統(tǒng)中的各類電氣設(shè)備，且裕量充足；針對(duì)35KV以下各類電網(wǎng)系統(tǒng)，其電容容量高達(dá)0.1μF，吸收容量更大，保護(hù)范圍更廣泛。 9、選材考究，VO級(jí)阻燃材質(zhì)； 9.1 阻容回路 采用具有自愈功能的干式高壓電容器，這種電容器真正達(dá)到了防護(hù)型電容器的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)，其絕緣水平完全達(dá)到了GB311.1—1997標(biāo)準(zhǔn)的要求，該產(chǎn)品能在環(huán)境溫度上限，1.15UN和1.5IN下長(zhǎng)期運(yùn)行，在2UN下連續(xù)運(yùn)行4小時(shí)不出現(xiàn)閃絡(luò)和擊穿；極間選用國(guó)外進(jìn)口的優(yōu)質(zhì)、高性能的絕緣材料聚丙烯金屬化鍍膜為固體介質(zhì)；各個(gè)電容器單元聯(lián)接后采用阻燃環(huán)氧樹(shù)脂灌封；電性能穩(wěn)定可靠。 配置散熱性能良好的特制非線性無(wú)感電阻，可靠性大大提高，從而也大大提高了電力系統(tǒng)運(yùn)行的可靠性和安全性，使用壽命更長(zhǎng)。 9.2 避雷回路 采用非線性伏—安特性十分優(yōu)異的氧化鋅閥片，具有良好的陡波響應(yīng)特性，殘壓低、容量大、保護(hù)大氣過(guò)電壓可靠性高。 9.3外殼 采用阻燃級(jí)別達(dá)到最高級(jí)別的VO級(jí)進(jìn)口材質(zhì)，使用更放心。 10、動(dòng)態(tài)記錄，清晰掌控設(shè)備運(yùn)行狀況； 可根據(jù)用戶要求選裝放電動(dòng)作記錄器，清晰掌控AL-FGB的工作動(dòng)作狀況。
標(biāo)簽： AL-FGB 過(guò)電壓保護(hù)器
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AL-FGB系列復(fù)合式過(guò)電壓保護(hù)器 AL-FGB型三相復(fù)合式過(guò)電壓保護(hù)器（簡(jiǎn)稱AL-FGB）是我公司針對(duì)現(xiàn)行各類過(guò)電壓保護(hù)器保護(hù)弱點(diǎn)而研制的新一代專利產(chǎn)品，將組容吸收器和避雷器的功能有機(jī)結(jié)合在一起，專用于35KV及以下中壓電網(wǎng)中，主要用來(lái)吸收真空斷路器、真空接觸器在開(kāi)斷感性負(fù)載時(shí)產(chǎn)生的高頻操作過(guò)電壓，同時(shí)具有吸收大氣過(guò)電壓及其他形式的暫態(tài)沖擊過(guò)電壓的功能； 因此具備一系列其它類型過(guò)電壓保護(hù)器無(wú)法比擬的優(yōu)點(diǎn)。可廣泛地應(yīng)用于真空斷路器操作的電動(dòng)機(jī)、電抗器、變壓器等配電線路中。 該產(chǎn)品使過(guò)電壓保護(hù)器的整體功能實(shí)現(xiàn)了重大突破，是目前功能最全面、保護(hù)最完善的產(chǎn)品。符合國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策及國(guó)家電氣產(chǎn)品無(wú)油化、小型化、節(jié)能環(huán)保等發(fā)展趨勢(shì)，具有顯著的技術(shù)經(jīng)濟(jì)效益和廣泛的社會(huì)效益，是我國(guó)電力建設(shè)尤其是城鄉(xiāng)電網(wǎng)改造急需的產(chǎn)品。 該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于發(fā)電廠、變（配）電站、各種水利設(shè)施、礦山、石油、化工、冶金以及其他各類工業(yè)企業(yè)等。 1、全面抑制雷電和操作過(guò)電壓的危害，功能強(qiáng)大，保護(hù)更全面 在中壓電網(wǎng)中，由于真空電器產(chǎn)品（真空斷路器、真空接觸器、真空負(fù)荷開(kāi)關(guān)、真空重合器等）的滅弧能力特別強(qiáng)，在關(guān)、合感性負(fù)載（發(fā)電機(jī)、變壓器、電抗器和電動(dòng)機(jī)等）時(shí)，容易引發(fā)截流過(guò)電壓、多次重燃過(guò)電壓及三相同時(shí)開(kāi)斷過(guò)電壓。這些操作過(guò)電壓具有高幅值、高陡度（振蕩頻率高達(dá)105～106HZ），對(duì)感性負(fù)載的危害性極大，被稱為“電機(jī)殺手”。 目前各類避雷器和組合式過(guò)電壓保護(hù)器，都是利用氧化鋅閥片的殘壓限制過(guò)電壓的幅值，只限幅不限頻，用來(lái)防雷能起到好的效果，但對(duì)操作過(guò)電壓只治標(biāo)不治本。 AL-FGB內(nèi)部為氧化鋅閥片和電阻電容的有機(jī)組合，兼有氧化鋅閥片型避雷器與阻容吸收器的優(yōu)點(diǎn)，從根本上克服了單純氧化鋅閥片型避雷器與阻容吸收器各自不可避免的缺點(diǎn)，不但能夠防雷，而且能有效抑制上述操作過(guò)電壓的幅值和陡度；雙效合一，至善盡美。 2、雙回路設(shè)計(jì)，功能互補(bǔ)，相互保護(hù) 操作過(guò)電壓保護(hù)阻容回路Ⅰ和避雷保護(hù)回路Ⅱ有機(jī)結(jié)合，保護(hù)功能互不干涉，還能相互保護(hù)。如圖2-1。 當(dāng)雷電波侵入時(shí)，阻容回路Ⅰ不通（但可輔助減緩波頭陡度），雷電波按實(shí)線路徑，經(jīng)避雷回路Ⅱ泄入大地；同時(shí)保護(hù)了阻容回路中電容器，避免其因承受過(guò)高雷電過(guò)電壓而擊穿。當(dāng)高頻振蕩的操作過(guò)電壓侵入時(shí)，則按虛線路徑，經(jīng)阻容回路Ⅰ流通，限幅降頻；同時(shí)減少避雷回路的動(dòng)作次數(shù)，保護(hù)閥片，延長(zhǎng)產(chǎn)品壽命。 3、降低陡度，排除匝間擊穿危險(xiǎn)性； 感性負(fù)載的匝間電位梯度與電流陡度（di/dt）成正比，操作過(guò)電壓陡度極高，對(duì)匝間絕緣危害極大，且易使斷路器重燃。現(xiàn)場(chǎng)許多事故實(shí)例都證明，在操作過(guò)電壓作用下，電機(jī)和變壓器的損壞部位大多集中在匝間，且以進(jìn)線端的匝間為主，這說(shuō)明高陡度對(duì)帶繞組的電氣設(shè)備危害極大。 AL-FGB設(shè)計(jì)的阻容回路能夠有效降低操作過(guò)電壓的振蕩頻率，緩解波頭陡度，從而降低繞組間的電位梯度，且能減少斷路器的重燃機(jī)率，成功抑制高陡度對(duì)電氣設(shè)備的危害。 目前同類的過(guò)電壓保護(hù)設(shè)備，如避雷器、各類組合式過(guò)電壓保護(hù)器等，對(duì)改變操作過(guò)電壓的振蕩頻率、降低陡度無(wú)能為力，即不能防治高陡度對(duì)感性負(fù)載匝間造成的損傷。 4、自控接入，環(huán)保節(jié)能； AL-FGB增加了自控接入裝置，在正常運(yùn)行時(shí)僅通過(guò)μA級(jí)電流，不僅節(jié)約電能，而且不向電網(wǎng)提供附加電容電流，保證系統(tǒng)穩(wěn)定工作。具體參數(shù)設(shè)計(jì)保證其在需要時(shí)能夠迅速接入電網(wǎng)，保護(hù)即時(shí)，而且接入電網(wǎng)工頻電壓性能穩(wěn)定、分散性小、不受大氣條件影響。 設(shè)置自控接入裝置對(duì)消除諧振過(guò)電壓（注：不超過(guò)AL- FGB的承受能力）也具有一定作用。當(dāng)諧振過(guò)電壓幅值高至危害電氣設(shè)備時(shí)，AL-FGB接入電網(wǎng)，電容器增大主回路電容，有利于破壞諧振條件，電阻阻尼震蕩，有利于降低諧振過(guò)電壓幅值。 5、免受諧波侵?jǐn)_，適應(yīng)的電網(wǎng)運(yùn)行環(huán)境更廣； 電網(wǎng)中常含有高次諧波分量，使電容回路的電流異常增大，電阻過(guò)熱，對(duì)過(guò)電壓保護(hù)設(shè)備的正常運(yùn)行不利。 AL-FGB能免受高次諧波侵?jǐn)_:因?yàn)樗黾恿俗钥亟尤胙b置,在正常運(yùn)行或發(fā)生單相接地異常運(yùn)行時(shí)都與電網(wǎng)隔離,所以可以在高次諧波含量較高的電網(wǎng)中工作,適應(yīng)的電網(wǎng)運(yùn)行環(huán)境更廣。 6、自控脫離，有效控制事故范圍； 諧振過(guò)電壓、間歇性弧光接地過(guò)電壓等系統(tǒng)過(guò)電壓，持續(xù)時(shí)間長(zhǎng)、能量大，但幅度和陡度都不是很高。這類系統(tǒng)過(guò)電壓極易損壞過(guò)電壓保護(hù)設(shè)備，出現(xiàn)爆炸等現(xiàn)象。 AL-FGB增加了自控脫離裝置，能實(shí)現(xiàn)自我保護(hù)功能。當(dāng)系統(tǒng)過(guò)電壓超過(guò)AL-FGB的承受能力時(shí)，自控脫離裝置選擇自我脫離，保護(hù)本體，避免出現(xiàn)爆炸的現(xiàn)象，控制事故范圍，延長(zhǎng)使用壽命，運(yùn)行更安全更經(jīng)濟(jì)。 7、既可保護(hù)相對(duì)地，又可保護(hù)相間； 四極式聯(lián)接（如圖2-2），具體參數(shù)設(shè)計(jì)保證：不僅能保護(hù)相對(duì)地絕緣，而且能保護(hù)相間絕緣。本身為連體結(jié)構(gòu)，體積小，性能穩(wěn)定，而價(jià)格不高。 8、吸收容量大，保護(hù)范圍更廣； 針對(duì)35KV電網(wǎng)系統(tǒng)，AL-FGB電容容量高達(dá)0.05μF，保護(hù)范圍完全覆蓋該電網(wǎng)系統(tǒng)中的各類電氣設(shè)備，且裕量充足；針對(duì)35KV以下各類電網(wǎng)系統(tǒng)，其電容容量高達(dá)0.1μF，吸收容量更大，保護(hù)范圍更廣泛。 9、選材考究，VO級(jí)阻燃材質(zhì)； 9.1 阻容回路 采用具有自愈功能的干式高壓電容器，這種電容器真正達(dá)到了防護(hù)型電容器的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)，其絕緣水平完全達(dá)到了GB311.1—1997標(biāo)準(zhǔn)的要求，該產(chǎn)品能在環(huán)境溫度上限，1.15UN和1.5IN下長(zhǎng)期運(yùn)行，在2UN下連續(xù)運(yùn)行4小時(shí)不出現(xiàn)閃絡(luò)和擊穿；極間選用國(guó)外進(jìn)口的優(yōu)質(zhì)、高性能的絕緣材料聚丙烯金屬化鍍膜為固體介質(zhì)；各個(gè)電容器單元聯(lián)接后采用阻燃環(huán)氧樹(shù)脂灌封；電性能穩(wěn)定可靠。 配置散熱性能良好的特制非線性無(wú)感電阻，可靠性大大提高，從而也大大提高了電力系統(tǒng)運(yùn)行的可靠性和安全性，使用壽命更長(zhǎng)。 9.2 避雷回路 采用非線性伏—安特性十分優(yōu)異的氧化鋅閥片，具有良好的陡波響應(yīng)特性，殘壓低、容量大、保護(hù)大氣過(guò)電壓可靠性高。 9.3外殼 采用阻燃級(jí)別達(dá)到最高級(jí)別的VO級(jí)進(jìn)口材質(zhì)，使用更放心。 10、動(dòng)態(tài)記錄，清晰掌控設(shè)備運(yùn)行狀況； 可根據(jù)用戶要求選裝放電動(dòng)作記錄器，清晰掌控AL-FGB的工作動(dòng)作狀況。
標(biāo)簽： AL-FGB 過(guò)電壓保護(hù)器
上傳時(shí)間： 2013-10-16
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磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡(jiǎn)述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過(guò)程，分析了諸多因數(shù)對(duì)諧波測(cè)量的影響，提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞：比損耗系數(shù)， 磁滯常數(shù)ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來(lái)，變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家，在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上，進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問(wèn)題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施，促進(jìn)了質(zhì)量問(wèn)題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡(jiǎn)稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規(guī)定了高μQ材料制作的無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心詳細(xì)的測(cè)試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測(cè)量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對(duì)比較的實(shí)用方法，專用于無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心的諧波衰耗測(cè)試。 這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話設(shè)備的遙測(cè)振蕩器和線路放大器系統(tǒng)，其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測(cè)無(wú)心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測(cè)量時(shí)，所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測(cè)磁心配對(duì)安裝好后，先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測(cè)得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測(cè)得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測(cè)量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作，其中測(cè)量系統(tǒng)的高、低通濾波器，信號(hào)源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán)，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對(duì)磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求， 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初，1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié)，出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬(wàn)和 100 萬(wàn)的低損耗高穩(wěn)定材料，在此基礎(chǔ)上，還實(shí)現(xiàn)了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國(guó)外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM（頻率劃分調(diào)制）向PCM（脈沖編碼調(diào)制） 轉(zhuǎn)換時(shí)期， 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬(wàn)為 0.8×10 ，100KHz）的超優(yōu)鐵氧體材料<3>，其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵
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