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電子器件

  • 單片機外圍器件實用手冊-存儲器分冊-542頁-12.0M.pdf

    專輯類-單片機專輯-258冊-4.20G 單片機外圍器件實用手冊-存儲器分冊-542頁-12.0M.pdf

    標簽: 12.0 542 單片機

    上傳時間: 2013-04-24

    上傳用戶:Ruzzcoy

  • 單片機外圍器件實用手冊-輸入通道器件分冊-595頁-10.4M.pdf

    專輯類-單片機專輯-258冊-4.20G 單片機外圍器件實用手冊-輸入通道器件分冊-595頁-10.4M.pdf

    標簽: 10.4 595 單片機

    上傳時間: 2013-07-24

    上傳用戶:diamondsGQ

  • 單片機外圍器件實用手冊-電源器件分冊-595頁-21.9M.pdf

    專輯類-單片機專輯-258冊-4.20G 單片機外圍器件實用手冊-電源器件分冊-595頁-21.9M.pdf

    標簽: 21.9 595 單片機

    上傳時間: 2013-07-16

    上傳用戶:一棵發財樹

  • GB-T-249-1989-半導體分立器件型號命名方法.pdf

    專輯類-國標類相關專輯-313冊-701M GB-T-249-1989-半導體分立器件型號命名方法.pdf

    標簽: GB-T 1989 249

    上傳時間: 2013-06-06

    上傳用戶:徐孺

  • GB-T-12560-1990-半導體器件-分立器件分規范-可供認證用-.pdf

    專輯類-國標類相關專輯-313冊-701M GB-T-12560-1990-半導體器件-分立器件分規范-可供認證用-.pdf

    標簽: 12560 GB-T 1990

    上傳時間: 2013-06-12

    上傳用戶:h886166

  • ip地址管理與子網劃分-5.3M-PDF.zip

    專輯類-網絡及電腦相關專輯-114冊-4.31G ip地址管理與子網劃分-5.3M-PDF.zip

    標簽: M-PDF 5.3 zip ip地址

    上傳時間: 2013-07-21

    上傳用戶:bg6jsx

  • 單片機外圍器件實用手冊叢書.rar

    單片機外圍器件實用手冊叢書,學習單片機的兄弟們能用的上了.

    標簽: 單片機 外圍器件 實用手冊

    上傳時間: 2013-05-18

    上傳用戶:1101055045

  • 基于模塊化多電平換流器結構的HVDCLight系統的研究.rar

    輕型高壓直流輸電系統在解決交流系統非同步互聯、向偏遠地區的無源負荷供電、滿足保護環境要求等方面具有很大的優勢。在傳統的基于兩電平或三電平電壓源型換流器的輕型高壓直流輸電系統中,換流器交流側需要使用體積龐大和笨重的濾波裝置,橋臂的高電壓需要功率開關器件直接串聯來實現等,增大了換流站的占地空間,降低了換流器的工作效率。 本文針對傳統輕型高壓直流輸電系統所存在的缺點,采用一種新的模塊化多電平換流器作為輕型高壓直流輸電系統的換流器。分析了模塊化多電平換流器的工作原理,并提出將其應用于輕型高壓直流輸電系統的調制算法和控制策略。最后對控制系統的具體實現方案進行一定的探討。通過仿真驗證所提出的調制算法和控制策略的正確性。具體說來,全文的主要工作體現在以下幾個方面: 1、詳細講述模塊化多電平換流器的拓撲結構、子模塊的具體實現形式及工作原理,并提出適合該換流器的調制算法。 2、詳細介紹組成輕型高壓直流輸電系統的電壓源型換流器的工作原理,分析電壓源型換流器的間接電流和直接電流控制策略。 3、對基于模塊化多電平換流器的輕型高壓直流輸電系統進行仿真,驗證所提出控制策略的正確性。 4、探討解決模塊化多電平換流器子模塊直流側電容電壓的均衡問題,提出一種較為簡單有效的控制方法。 5、提出基于模塊化多電平換流器結構的輕型高壓直流輸電控制系統的實現方法,并重點講述子模塊的數字邏輯電路的實現方法。

    標簽: HVDCLight 模塊化 換流器

    上傳時間: 2013-04-24

    上傳用戶:huangzr5

  • 可編程器件應用技巧百問.rar

    可編程邏輯器件使用參考資料。 解答可編程器件使用中的常見問題。 供參考。

    標簽: 可編程器件 應用技巧

    上傳時間: 2013-05-19

    上傳用戶:thh29

  • 有機電致發光顯示器件新型封裝技術及材料的研究.rar

    有機發光顯示器件(OrganicLight-EmittingDiodes,OLEDs)作為下一代顯示器倍受關注,它具有輕、薄、高亮度、快速響應、高清晰度、低電壓、高效率和低成本等優點,完全可以媲美CRT、LCD、LED等顯示器件。作為全固化顯示器件,OLED的最大優越性是能夠與塑料晶體管技術相結合實現柔性顯示,應用前景非常誘人。OLED如此眾多的優點和廣闊的商業前景,吸引了全球眾多研究機構和企業參與其研發和產業化。然而,OLED也存在一些問題,特別是在發光機理、穩定性和壽命等方面還需要進一步的研究。要達到這些目標,除了器件的材料,結構設計外,封裝也十分重要。 本論文的主要工作是利用現有的材料,從綠光OLED器件制作工藝、發光機理,結構和封裝入手,首先,探討了作為陽極的ITO玻璃表面處理工藝和ITO玻璃的光刻工藝。ITO表面的清潔程度嚴重影響著光刻質量和器件的最終性能;ITO表面經過氧等離子處理后其表面功函數增大,明顯提高了器件的發光亮度和發光效率。 其次,針對光刻、曝光工藝技術進行了一系列相關實驗,在光刻工藝中,光刻膠的厚度是影響光刻質量的一個重要因素,其厚度在1.2μm左右時,光刻效果理想。研究了OLED器件陰極隔離柱成像過程中的曝光工藝,摸索出了最佳工藝參數。 然后采用以C545T作為綠光摻雜材料制作器件結構為ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm):C545T(2.1%摻雜比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的綠光OLED器件。最后基于以上器件采用了兩種封裝工藝,實驗一中,在封裝玻璃的四周涂上UV膠,放入手套箱,在氮氣保護氣氛下用紫外冷光源照射1min進行一次封裝,然后取出OLED片,在ITO玻璃和封裝玻璃接口處涂上UV膠,真空下用紫外冷光源照射1min,固化進行二次封裝。實驗二中,在各功能層蒸鍍完成后,又在陰極的外面蒸鍍了一層薄膜封裝層,然后再按實驗一的方法進行封裝。薄膜封裝層的材料分別為硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)。分別對兩種封裝工藝器件的電流-電壓特性、亮度-電壓特性、發光光譜及壽命等特性進行了測試與討論。通過對比,研究發現增加薄膜封裝層器件的壽命比未加薄膜封裝層器件壽命都有所延長,其中,Se薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.4倍,Te薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了兩倍多,Sb薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.3倍,研究還發現薄膜封裝層基本不影響器件的電流-電壓特性、色坐標等光電性能。最后,分別對三種薄膜封裝層材料硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)進行了研究。

    標簽: 機電 發光 顯示器件

    上傳時間: 2013-07-11

    上傳用戶:liuwei6419

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