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電子管收音機(jī)(jī)

  • IC封裝製程簡(jiǎn)介(IC封裝制程簡(jiǎn)介)

    半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多,應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導(dǎo)體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導(dǎo)體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別,晶片是貼附在負(fù)極的腳上,經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時(shí),晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。     半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱為IC封裝製程,又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。

    標(biāo)簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時(shí)間: 2014-01-20

    上傳用戶:蒼山觀海

  • 開關(guān)電源中功率MOSFET管損壞模式及分析

    結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài),論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式,并說(shuō)明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因,也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過程中發(fā)生失效形態(tài)的差別,從而為失效在關(guān)斷或在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測(cè)試過電流和過電壓的電路圖。同時(shí)分析了功率MOSFET管在動(dòng)態(tài)老化測(cè)試中慢速開通、在電池保護(hù)電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長(zhǎng)時(shí)間工作在線性區(qū)時(shí)損壞的形態(tài)。最后,結(jié)合實(shí)際應(yīng)用,論述了功率MOSFET通常會(huì)產(chǎn)生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機(jī)理和過程。

    標(biāo)簽: MOSFET 開關(guān)電源 功率

    上傳時(shí)間: 2013-11-14

    上傳用戶:dongqiangqiang

  • 移動(dòng)電源原理圖+數(shù)碼管

    帶數(shù)碼管顯示的 移動(dòng)電源原理圖

    標(biāo)簽: 移動(dòng)電源 原理圖 數(shù)碼管

    上傳時(shí)間: 2013-10-21

    上傳用戶:拔絲土豆

  • N溝道MOS管和P溝道MOS管

    通俗易懂的介紹MOS管和使用方法

    標(biāo)簽: MOS N溝道

    上傳時(shí)間: 2014-08-23

    上傳用戶:woshinimiaoye

  • 開關(guān)電源,電機(jī)驅(qū)動(dòng)用MOS管:2SK2843

    開關(guān)電源,電機(jī)驅(qū)動(dòng)用MOS管:2SK2843

    標(biāo)簽: 2843 MOS 2SK SK

    上傳時(shí)間: 2013-10-27

    上傳用戶:wsf950131

  • 基于STM32的晶閘管三相調(diào)壓電路的設(shè)計(jì)

    SCR三相調(diào)壓觸發(fā)電路已有不少設(shè)計(jì)與應(yīng)用,文中提出了一種簡(jiǎn)化的基于STM32的調(diào)壓觸發(fā)電路設(shè)計(jì)方案,并完成了系統(tǒng)的軟硬件設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)主要采用了光電隔離并利用三相電源自身的相間換流特性,只用三組觸發(fā)信號(hào)就可以達(dá)到控制六只晶閘管導(dǎo)通角的作用。軟件部分采用了STM32芯片多個(gè)高性能定時(shí)器及周邊AD接口,完成了高精度觸發(fā)信號(hào)發(fā)生、PID控制調(diào)壓等功能。通過實(shí)驗(yàn)表明該系統(tǒng)簡(jiǎn)便可靠,達(dá)到了設(shè)計(jì)要求。

    標(biāo)簽: STM 32 晶閘管 三相調(diào)壓電路

    上傳時(shí)間: 2013-10-21

    上傳用戶:wfymay

  • 用MOSFET來(lái)替代“或”二極管以減少發(fā)熱和節(jié)省空間

    高可用性電信繫統(tǒng)采用冗餘電源或電池供電來(lái)增強(qiáng)繫統(tǒng)的可靠性。人們通常采用分立二極管來(lái)把這些電源組合於負(fù)載點(diǎn)處

    標(biāo)簽: MOSFET 二極管 發(fā)熱

    上傳時(shí)間: 2013-10-29

    上傳用戶:ysjing

  • 準(zhǔn)確的電源排序可防止系統(tǒng)受損

    諸如電信設(shè)備、存儲(chǔ)模塊、光學(xué)繫統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、服務(wù)器和基站等許多復(fù)雜繫統(tǒng)都采用了 FPGA 和其他需要多個(gè)電壓軌的數(shù)字 IC,這些電壓軌必須以一個(gè)特定的順序進(jìn)行啟動(dòng)和停機(jī)操作,否則 IC 就會(huì)遭到損壞。

    標(biāo)簽: 電源排序 防止

    上傳時(shí)間: 2014-12-24

    上傳用戶:packlj

  • 面向小面積和大面積光電二極管的低躁聲放大器

    光電二極管可分為兩類:具高電容 (30pF 至 3000pF)的大面積光電二極管和具相對(duì)較低電容 (10pF 或更小)的較小面積光電二極管

    標(biāo)簽: 光電二極管 低躁聲放大器

    上傳時(shí)間: 2013-11-21

    上傳用戶:firstbyte

  • 采用一個(gè)節(jié)省空間的三路輸出穩(wěn)壓器來(lái)驅(qū)動(dòng)大型TFT-LCD顯示器

    大型 TFT-LCD 的功率需求量之大似乎永遠(yuǎn)得不到滿足。電源必須滿足晶體管數(shù)目不斷增加和顯示器分辨率日益攀升的要求,並且還不能占用太大的板級(jí)空間。

    標(biāo)簽: TFT-LCD 輸出穩(wěn)壓器 大型 顯示器

    上傳時(shí)間: 2014-12-24

    上傳用戶:watch100

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