產(chǎn)品型號(hào)（封裝形式）： VK3702DM VK3702TM VK3702OM——(SOP8 ) VK3706OM VK3706OM VK3706DM VK3708BM VK3710IM——(SOP16) 產(chǎn)品品牌：VINTEK/元泰 產(chǎn)品年份：新年份 深圳永嘉微電原廠直銷，大量現(xiàn)貨更有優(yōu)勢(shì)！讓您的生產(chǎn)高枕無(wú)憂。 聯(lián)系人：許碩 QQ：191 888 5898 TEL：188 9858 2398（微信） ●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●● 產(chǎn)品描述 VK3702DM提供2個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵，一對(duì)一直接輸出，提供低功耗模式，可使用於電池應(yīng)用的產(chǎn)品。對(duì)於防水和抗干擾方面有很優(yōu)異的表現(xiàn)。 ●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●● 產(chǎn)品描述 VK3702TM提供 2 個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵，一對(duì)一的 Toggle 模式輸出，提供低功耗模式，可使用於電池應(yīng)用的產(chǎn)品。對(duì)於防水和抗干擾方面有很優(yōu)異的表現(xiàn) ●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●● 產(chǎn)品描述 VK3702OM提供 2 個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵，一對(duì)一直接輸出，輸出為開(kāi)漏(open drain)型態(tài)，適合作 AD 鍵。提供低功耗模式，可使用於電池應(yīng)用的產(chǎn)品。對(duì)於防水和抗干擾方面有很優(yōu)異的表現(xiàn)。 ●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●● 產(chǎn)品描述 VK3706OM提供6個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵，一對(duì)一直接輸出，輸出為開(kāi)漏(open drain)型態(tài)，適合作AD鍵。提供低功耗模式，可使用於電池應(yīng)用的產(chǎn)品。對(duì)於防水和抗干擾方面有很優(yōu)異的表現(xiàn)! ●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●● 產(chǎn)品描述 VK3706DM提供6個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵，一對(duì)一直接輸出，提供低功耗模式，可使用於電池應(yīng)用的產(chǎn)品。對(duì)於防水和抗干擾方面有很優(yōu)異的表現(xiàn)! ●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●● 產(chǎn)品描述 VK3708BM提供8個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵，二進(jìn)制(BCD)編碼輸出，具有一個(gè)按鍵承認(rèn)輸出的顯示，按鍵後的資料會(huì)維持到下次按鍵，可先判斷按鍵承認(rèn)的狀態(tài)。提供低功耗模式，可使用於電池應(yīng)用的產(chǎn)品。對(duì)於防水和抗干擾方面有很優(yōu)異的表現(xiàn)! ●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●● 產(chǎn)品描述 VK3710IM提供10個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵及兩線式串列界面，並有中斷輸出INT腳與MCU聯(lián)繫。提供低功耗模式，可使用於電池應(yīng)用的產(chǎn)品。特性上對(duì)於防水和抗干擾方面有很優(yōu)異的表現(xiàn)! 我們的優(yōu)勢(shì) 1：我司為VINTEK/臺(tái)灣元泰半導(dǎo)體股份有限公司/VINKA的授權(quán)大中華區(qū)代理商，產(chǎn)品渠道正宗，確保原裝，大量庫(kù)存現(xiàn)貨！ 2：公司工程力量雄厚，真誠(chéng)技術(shù)服務(wù)支持，搭配原廠服務(wù)各種應(yīng)用產(chǎn)品客戶。 3：好價(jià)格源自連接原廠直銷，你有量，我有價(jià)，確保原裝的好價(jià)格。 優(yōu)勢(shì)代理元泰VKD常用觸控按鍵IC，簡(jiǎn)介如下： 標(biāo)準(zhǔn)觸控IC-電池供電系列 VKD223EB --- 工作電壓/電流：2.0V-5.5V/5uA-3V 感應(yīng)通道數(shù)：1 通訊接口 更長(zhǎng)響應(yīng)時(shí)間快速模式60mS，低功耗模式220ms 封裝：SOT23-6 VKD223B --- 工作電壓/電流：2.0V-5.5V/5uA-3V 感應(yīng)通道數(shù)：1 通訊接口 更長(zhǎng)響應(yīng)時(shí)間快速模式60mS，低功耗模式220ms 封裝：SOT23-6 VKD232C --- 工作電壓/電流： 2.4V-5.5V/2.5uA-3V 感應(yīng)通道數(shù)：2封裝：SOT23-6 通訊接口：直接輸出，低電平有效 固定為多鍵輸出模式，內(nèi)建穩(wěn)壓電路 VKD233DH（更小體積2*2）---工作電壓/電流： 2.4V-5.5V/2.5uA-3V 1按鍵 封裝：DFN6L 通訊接口：直接輸出，鎖存(toggle)輸出 有效鍵更長(zhǎng)時(shí)間檢測(cè)16S VKD233DB(推薦) --- 工作電壓/電流： 2.4V-5.5V/2.5uA-3V 1感應(yīng)按鍵 封裝：SOT23-6 通訊接口：直接輸出，鎖存(toggle)輸出 低功耗模式電流2.5uA-3V VKD233DH（推薦）---工作電壓/電流： 2.4V-5.5V/2.5uA-3V 1感應(yīng)按鍵 封裝：SOT23-6 通訊接口：直接輸出，鎖存(toggle)輸出 有效鍵更長(zhǎng)時(shí)間檢測(cè)16S 標(biāo)準(zhǔn)觸控IC-多鍵觸摸按鈕系列 VKD104SB/N --- 工作電壓/電流：2.4V-5.5V/13uA-3V 感應(yīng)通道數(shù)/按鍵數(shù)：4 通訊接口：直接輸出,鎖存輸出,開(kāi)漏輸出 封裝：SSOP-16 VKD104BC --- 工作電壓/電流：2.4V-5.5V/13uA-3V 感應(yīng)通道數(shù)/按鍵數(shù)：4 通訊接口：直接輸出,鎖存輸出,開(kāi)漏輸出 封裝：SOP-16 VKD104BR --- 工作電壓/電流：2.4V-5.5V/13uA-3V 感應(yīng)通道數(shù)/按鍵數(shù)：2 通訊接口：直接輸出, toggle輸出 封裝：SOP-8 VKD104QB --- 工作電壓/電流：2.4V-5.5V/13uA-3V 感應(yīng)通道數(shù)/按鍵數(shù)：4 通訊接口：直接輸出,鎖存輸出,開(kāi)漏輸出 封裝：QFN-16 VKD1016B --- 工作電壓/電流：2.4V-5.5V/20uA-3V 感應(yīng)通道數(shù)/按鍵數(shù)：16-8 通訊接口：直接輸出,鎖存輸出,開(kāi)漏輸出 封裝：SSOP-28 VKD1016L --- 工作電壓/電流：2.4V-5.5V/20uA-3V 感應(yīng)通道數(shù)：16-8 通訊接口：直接輸出,鎖存輸出,開(kāi)漏輸出 封裝：SSOP-28 (元泰原廠授權(quán) 原裝保障 工程技術(shù)支持 大量現(xiàn)貨庫(kù)存) 標(biāo)準(zhǔn)觸控IC-VK36系列 VK3601SS --- 工作電壓/電流：2.4V-5.5V/1mA-5.0V 感應(yīng)通道數(shù)：1 通訊接口：1 INPUT/1PWM OUT 封裝：SOP-8 VK3601S --- 工作電壓/電流：2.4V-5.5V/4mA-3.3V 感應(yīng)通道數(shù)：1 通訊接口：1 INPUT/1PWM OUT 封裝：SOP-8 VK3602XS --- 工作電壓/電流：2.4V-5.5V/ 60uA-3V 感應(yīng)通道數(shù)：2 通訊接口：2對(duì)2 toggle輸出 封裝：SOP-8 VK3602K --- 工作電壓/電流：2.4V-5.5V/ 60uA-3V 感應(yīng)通道數(shù)：2 通訊接口：2對(duì)2 toggle輸出 封裝：SOP-8 VK3606DM --- 工作電壓/電流：3.1V-5.5V/ 3mA-5V 感應(yīng)通道數(shù)：6 通訊接口：1對(duì)1直接輸出 封裝：SOP-16 VK3606OM --- 工作電壓/電流：3.1V-5.5V/ 3mA-5V 感應(yīng)通道數(shù)：6 通訊接口：1對(duì)1開(kāi)漏輸出 封裝：SOP-16 VK3608BM --- 工作電壓/電流：3.1V-5.5V/ 3mA-5V 感應(yīng)通道數(shù)：6 通訊接口：BCD碼直接輸出 封裝：SOP-16 VK3610IM --- 工作電壓/電流：3.1V-5.5V/ 3mA-5V 感應(yīng)通道數(shù)：6 通訊接口：SCL/SDA/INT通訊口 封裝：SOP-16 標(biāo)準(zhǔn)觸控IC-VK37系列 VK3702DM --- 工作電壓/電流：3.1V-5.5V/ 3mA-5V 感應(yīng)通道數(shù)：2 通訊接口：1對(duì)1直接輸出 封裝：SOP-8 VK3702OM --- 工作電壓/電流：3.1V-5.5V/ 3mA-5V 感應(yīng)通道數(shù)：2 通訊接口：1對(duì)1開(kāi)漏輸出 封裝：SOP-8 VK3702TM --- 工作電壓/電流：3.1V-5.5V/ 3mA-5V 感應(yīng)通道數(shù)：2 通訊接口：1對(duì)1toggle輸出 封裝：SOP-8 VK3706DM --- 工作電壓/電流：3.1V-5.5V/ 3mA-5V 感應(yīng)通道數(shù)：6 通訊接口：1對(duì)1直接輸出 封裝：SOP-16 VK3706OM --- 工作電壓/電流：3.1V-5.5V/ 3mA-5V 感應(yīng)通道數(shù)：6 通訊接口：1對(duì)1開(kāi)漏輸出 封裝：SOP-16 VK3708BM --- 工作電壓/電流：3.1V-5.5V/ 3mA-5V 感應(yīng)通道數(shù)：8 通訊接口：BCD碼直接輸出 封裝：SOP-16 VK3710IM --- 工作電壓/電流：3.1V-5.5V/ 3mA-5V 感應(yīng)通道數(shù)：10 通訊接口：SCL/SDA/INT通訊口 封裝：SOP-16 標(biāo)準(zhǔn)觸控IC-VK38系列 VK3809IP --- 工作電壓/電流：2.5V-5.5V/1.1mA-3V 感應(yīng)通道數(shù)：9 通訊接口：IIC/INT通訊口 封裝：SSOP-16 VK3813IP --- 工作電壓/電流：2.5V-5.5V/1.1mA-3V 感應(yīng)通道數(shù)：13 通訊接口：IIC/INT通訊口 封裝：SSOP-20 VK3816IP --- 工作電壓/電流：2.5V-5.5V/1.1mA-3V 感應(yīng)通道數(shù)：16 通訊接口：IIC/INT通訊口 封裝：SSOP-28 VK3816IP-A --- 工作電壓/電流：2.5V-5.5V/1.1mA-3V 感應(yīng)通道數(shù)：16 通訊接口：IIC/INT通訊口 封裝：SSOP-28 以上介紹內(nèi)容為IC參數(shù)簡(jiǎn)介，難免有錯(cuò)漏，且相關(guān)IC型號(hào)眾多，未能一一收錄。歡迎聯(lián)系索取完整資料及樣品！ 生意無(wú)論大小，做人首重誠(chéng)信！本公司全體員工將既往開(kāi)來(lái)，再接再厲。爭(zhēng)取為各位帶來(lái)更專業(yè)的技術(shù)支持，更優(yōu)質(zhì)的銷售服務(wù)，更高性價(jià)比的好產(chǎn)品.竭誠(chéng)希望能與各位客戶朋友深入溝通，攜手共進(jìn)，共同成長(zhǎng)，合作共贏！謝謝。
標(biāo)簽： VK 3708 3710 BM IM 多按鍵 抗干擾 防水 操作 觸控
上傳時(shí)間： 2019-07-10
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1-1前言一般人所能夠感受到聲音的頻率約介於5H2-20KHz，超音波（Ultrasonic wave）即爲(wèi)頻率超過(guò)20KHz以上的音波或機(jī)械振動(dòng)，因此超音波馬達(dá)就是利用超音波的彈性振動(dòng)頻率所構(gòu)成的制動(dòng)力。超音波馬達(dá)的內(nèi)部主要是以壓電陶瓷材料作爲(wèi)激發(fā)源，其成份是由鉛（Pb）、結(jié)（Zr）及鈦（Ti）的氧化物皓鈦酸鉛（Lead zirconate titanate，PZT）製成的。將歷電材料上下方各黏接彈性體，如銅或不銹鋼，並施以交流電壓於壓電陶瓷材料作爲(wèi)驅(qū)動(dòng)源，以激振彈性體，稱此結(jié)構(gòu)爲(wèi)定子（Stator），將其用彈簧與轉(zhuǎn)子Rotor）接觸，將所産生摩擦力來(lái)驅(qū)使轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)動(dòng)，由於壓電材料的驅(qū)動(dòng)能量很大，並足以抗衡轉(zhuǎn)子與定子間的正向力，雖然伸縮振幅大小僅有數(shù)徵米（um）的程度，但因每秒之伸縮達(dá)數(shù)十萬(wàn)次，所以相較於同型的電磁式馬達(dá)的驅(qū)動(dòng)能量要大的許多。超音波馬達(dá)的優(yōu)點(diǎn)爲(wèi)：1，轉(zhuǎn)子慣性小、響應(yīng)時(shí)間短、速度範(fàn)圍大。2，低轉(zhuǎn)速可產(chǎn)生高轉(zhuǎn)矩及高轉(zhuǎn)換效率。3，不受磁場(chǎng)作用的影響。4，構(gòu)造簡(jiǎn)單，體積大小可控制。5，不須經(jīng)過(guò)齒輸作減速機(jī)構(gòu)，故較爲(wèi)安靜。實(shí)際應(yīng)用上，超音波馬達(dá)具有不同於傳統(tǒng)電磁式馬達(dá)的特性，因此在不適合應(yīng)用傳統(tǒng)馬達(dá)的場(chǎng)合，例如：間歇性運(yùn)動(dòng)的裝置、空間或形狀受到限制的場(chǎng)所；另外包括一些高磁場(chǎng)的場(chǎng)合，如核磁共振裝置、斷層掃描儀器等。所以未來(lái)在自動(dòng)化設(shè)備、視聽(tīng)音響、照相機(jī)及光學(xué)儀器等皆可應(yīng)用超音波馬達(dá)來(lái)取代。
標(biāo)簽： 超聲波電機(jī)
上傳時(shí)間： 2022-06-17
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隨著TFT 觸摸屏價(jià)格的不斷下降，其應(yīng)用也越來(lái)越廣泛，學(xué)習(xí)TFT 觸摸屏現(xiàn)已成為一 種時(shí)尚，以前，很多人只有在ARM 單片機(jī)中才能看到TFT 觸摸屏的風(fēng)采，現(xiàn)在，隨著51 單片機(jī)性能的提高，51 單片機(jī)也能玩TFT 觸摸屏了，這里,我們介紹的是一款2.4 寸TFT 觸 摸屏模塊。
標(biāo)簽： TFT 觸摸屏 使用說(shuō)明
上傳時(shí)間： 2013-04-24
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磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡(jiǎn)述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過(guò)程，分析了諸多因數(shù)對(duì)諧波測(cè)量的影響，提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞：比損耗系數(shù)， 磁滯常數(shù)ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來(lái)，變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家，在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上，進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問(wèn)題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施，促進(jìn)了質(zhì)量問(wèn)題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡(jiǎn)稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規(guī)定了高μQ材料制作的無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心詳細(xì)的測(cè)試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測(cè)量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對(duì)比較的實(shí)用方法，專用于無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心的諧波衰耗測(cè)試。 這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話設(shè)備的遙測(cè)振蕩器和線路放大器系統(tǒng)，其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測(cè)無(wú)心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測(cè)量時(shí)，所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測(cè)磁心配對(duì)安裝好后，先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測(cè)得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測(cè)得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測(cè)量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作，其中測(cè)量系統(tǒng)的高、低通濾波器，信號(hào)源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán)，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對(duì)磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求， 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初，1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié)，出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬(wàn)和 100 萬(wàn)的低損耗高穩(wěn)定材料，在此基礎(chǔ)上，還實(shí)現(xiàn)了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國(guó)外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM（頻率劃分調(diào)制）向PCM（脈沖編碼調(diào)制） 轉(zhuǎn)換時(shí)期， 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬(wàn)為 0.8×10 ，100KHz）的超優(yōu)鐵氧體材料<3>，其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵
上傳時(shí)間： 2014-12-24
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光電二極管可分為兩類：具高電容 (30pF 至 3000pF)的大面積光電二極管和具相對(duì)較低電容 (10pF 或更小)的較小面積光電二極管
上傳時(shí)間： 2013-11-21
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經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來(lái)做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。
上傳時(shí)間： 2014-09-08
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CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)脈頻率、系統(tǒng)內(nèi)各閘極輸入電容及電源電壓有關(guān)，裝置尺寸縮小後，電源電壓也隨之降低，使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運(yùn)作速度，因此系統(tǒng)時(shí)脈頻率可升高至 Ghz 範(fàn)圍。
上傳時(shí)間： 2013-10-14
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透過(guò)增加輸入電容，可以在獲得更多鏈波電流的同時(shí)，還能藉由降低輸入電容的壓降來(lái)縮小電源的工作輸入電壓範(fàn)圍。這會(huì)影響電源的變壓器圈數(shù)比以及各種電壓與電流應(yīng)力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大，應(yīng)力越小，電源效率也就越高。
上傳時(shí)間： 2013-11-11
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磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡(jiǎn)述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過(guò)程，分析了諸多因數(shù)對(duì)諧波測(cè)量的影響，提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞：比損耗系數(shù)， 磁滯常數(shù)ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來(lái)，變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家，在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上，進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問(wèn)題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施，促進(jìn)了質(zhì)量問(wèn)題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡(jiǎn)稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規(guī)定了高μQ材料制作的無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心詳細(xì)的測(cè)試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測(cè)量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對(duì)比較的實(shí)用方法，專用于無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心的諧波衰耗測(cè)試。 這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話設(shè)備的遙測(cè)振蕩器和線路放大器系統(tǒng)，其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測(cè)無(wú)心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測(cè)量時(shí)，所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測(cè)磁心配對(duì)安裝好后，先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測(cè)得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測(cè)得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測(cè)量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作，其中測(cè)量系統(tǒng)的高、低通濾波器，信號(hào)源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán)，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對(duì)磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求， 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初，1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié)，出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬(wàn)和 100 萬(wàn)的低損耗高穩(wěn)定材料，在此基礎(chǔ)上，還實(shí)現(xiàn)了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國(guó)外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM（頻率劃分調(diào)制）向PCM（脈沖編碼調(diào)制） 轉(zhuǎn)換時(shí)期， 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬(wàn)為 0.8×10 ，100KHz）的超優(yōu)鐵氧體材料<3>，其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵
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SED1335驅(qū)動(dòng)320x240圖形液晶驅(qū)動(dòng)演示程序 接口情況表述： No: LCM ----- 52 --------------------- 1...VSS..... GND 地線 2...VDD..... +5V(VCC) 電源 3...VO ..... -Vadj Input 對(duì)比度負(fù)壓調(diào)整輸入 4...A0 ..... P2.0 寄存器選擇信號(hào),命令數(shù)據(jù)方式選擇 5.../WR..... WR 寫有效 6.../RD..... RD 讀有效 7...D0 ..... P0.0 數(shù)據(jù)總線 D0 8...D1 ..... P0.1 數(shù)據(jù)總線 D1 9...D2 ..... P0.2 數(shù)據(jù)總線 D2 10..D3 ..... P0.3 數(shù)據(jù)總線 D3 11..D4 ..... P0.4 數(shù)據(jù)總線 D4 12..D5 ..... P0.5 數(shù)據(jù)總線 D5 13..D6 ..... P0.6 數(shù)據(jù)總線 D6 14..D7 ..... P0.7 數(shù)據(jù)總線 D7 15../CS .... GND 片選通信號(hào)，低電平有效.實(shí)際使用應(yīng)編入地址 16../RES.... /RESET 復(fù)位信號(hào)，低電平有效，阻容式復(fù)位電路 17..VEE..... -Vout 逆變-22.5V 負(fù)電壓輸出 18..VSS..... GND 地線 0V
標(biāo)簽： 320x240 1335 SED LCM
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