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電容觸控技術

㆒ 般㆟ 對 C++ templates 的粗淺印象

㆒ 般㆟ 對 C++ templates 的粗淺印象，大約停留在「容器（containers）」的製作㆖ 。稍有研究則會發現，templates衍生出來的 C++ Generic Programming（泛型編程）技術，在 C++ 標準程式庫㆗ 已經遍㆞ 開花結果。以 STL為重要骨幹的 C++ 標準程式庫，將 templates 廣泛運用於容器（containers）、演算法（algorithms）、仿函式（functors）、配接器（adapters）、配置器（allocators）、迭代器（iterators）㆖ 頭，無處不在，無役不與，乃至於原有的 class-based iostream都被改寫為 template-based iostream。

標簽： templates 12690 12703

上傳時間： 2016-10-28

上傳用戶：rocwangdp
幫助系統工程師

幫助系統工程師，設計者，管理者在電視廣播上可以順利的傳輸類比訊號至數位訊號之基礎技術

標簽： 系統工程

上傳時間： 2014-01-07

上傳用戶：lht618
VK3602K 2 KEYS 電容式觸摸按鍵應用電路簡單高抗干擾雙邏輯控制輸出

概述 VK3602K 是一款兩觸摸通道帶兩個邏輯控制輸出的電容式觸摸芯片。具有如下功能特點和優勢：可通過觸摸實現各種邏輯功能控制。操作簡單、方便實用。可在有介質（如玻璃、亞克力、塑料、陶瓷等）隔離保護的情況下實現觸摸功能，安全性高。應用電壓范圍寬，可在2.4~5.5V之間任意選擇。應用電路簡單，外圍器件少，加工方便，成本低。抗電源干擾及手機干擾特性好。EFT可以達到±2KV以上；近距離、多角度手機干擾情況下，觸摸響應靈敏度及可靠性不受影響。特性 LO1與LO2在上電后的初始輸出狀態由上電前OSC的輸入狀態決定。OSC管腳接VDD（高電平）上電，上電后LO1與LO2輸出高電平；OSC管腳接GND（低電平）上電，上電后LO1與LO2輸出低電平。 TI1觸摸輸入對應LO1邏輯輸出，TI2觸摸輸入對應LO2邏輯輸出。按住TI1或TI2，對應LO1或LO2的輸出狀態翻轉；松開后回復初始狀態。

標簽： 抗電源干擾及手機干擾特性好可通過觸摸實現各種邏輯功能控制。操作簡單、方便實用。

上傳時間： 2020-02-25

上傳用戶：shubashushi66
ESD Protection in CMOS ICs

在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些可靠度的問題。在次微米技術中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發展出 Polycide 製程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發展出所謂 Salicide 製程

標簽： Protection CMOS ESD ICs in

上傳時間： 2020-06-05

上傳用戶：shancjb
高速電路設計詳細基礎理論知識

設計高速電路必須考慮高速訊號所引發的電磁干擾、阻抗匹配及串音等效應，所以訊號完整性 (signal integrity)將是考量設計電路優劣的一項重要指標，電路日異複雜必須仰賴可靠的軟體來幫忙分析這些複雜的效應，才比較可能獲得高品質且可靠的設計，因此熟悉軟體的使用也將是重要的研究項目之一。另外了解高速訊號所引發之各種效應(反射、振鈴、干擾、地彈及串音等)及其克服方法也是研究高速電路設計的重點之一。目前高速示波器的功能越來越多，使用上很複雜，必須事先進修學習，否則無法全盤了解儀器之功能，因而無法有效發揮儀器的量測功能。其次就是高速訊號量測與介面的一些測試規範也必須熟悉，像眼圖分析，探針效應，抖動(jitter)測量規範及高速串列介面量測規範等實務技術，必須充分了解研究學習，進而才可設計出優良之教學教材及教具。

標簽： 高速電路

上傳時間： 2021-11-02

上傳用戶：jiabin
用于軟件定義UHF RFID閱讀器的可編程基帶濾波器

射頻識別 (RFID) 是一種自動識別技術，用於識別包含某個編碼標簽的任何物體

標簽： RFID UHF 軟件定義可編程基帶

上傳時間： 2013-10-29

上傳用戶：star_in_rain
面向小面積和大面積光電二極管的低躁聲放大器

光電二極管可分為兩類：具高電容 (30pF 至 3000pF)的大面積光電二極管和具相對較低電容 (10pF 或更小)的較小面積光電二極管

標簽： 光電二極管低躁聲放大器

上傳時間： 2013-11-21

上傳用戶：firstbyte
透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導性及輻射性EMI

經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。

標簽： MOSFET EMI 電壓電流控制

上傳時間： 2014-09-08

上傳用戶：swing
DDR記憶體電源

CMOS 邏輯系統的功耗主要與時脈頻率、系統內各閘極輸入電容及電源電壓有關，裝置尺寸縮小後，電源電壓也隨之降低，使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運作速度，因此系統時脈頻率可升高至 Ghz 範圍。

標簽： DDR 記憶體電源

上傳時間： 2013-10-14

上傳用戶：immanuel2006
折衷選擇輸入電容鏈波電流的線壓范圍

透過增加輸入電容，可以在獲得更多鏈波電流的同時，還能藉由降低輸入電容的壓降來縮小電源的工作輸入電壓範圍。這會影響電源的變壓器圈數比以及各種電壓與電流應力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大，應力越小，電源效率也就越高。

標簽： 輸入電容電流

上傳時間： 2013-11-11

上傳用戶：jelenecheung