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ESD Protection in CMOS ICs

  • 資源大小:6545 K
  • 上傳時間: 2020-06-05
  • 上傳用戶:shancjb
  • 資源積分:2 下載積分
  • 標(biāo)      簽: Protection CMOS ESD ICs in

資 源 簡 介

在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn),元件的尺寸已縮減到深次微
米(deep-submicron)階段,以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度,以及降低每顆晶片的製造
成本。但隨著元件尺寸的縮減,卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。
在次微米技術(shù)中,為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain)
製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與
Rd,而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg,而發(fā)展出 Polycide 製
程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造,而發(fā)展出所謂 Salicide 製程

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