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電容計(jì)(jì)

  • NCC 電容壽命計(jì)算

    探討電容可以使用的壽命,以便cost down

    標(biāo)簽: 電容元件

    上傳時(shí)間: 2015-06-28

    上傳用戶:任金霞2018

  • VK3606DM 6 KEYS 抗干擾并防水電容式觸摸按鍵SOP16

    一 產(chǎn)品描述 提供6個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵,一對(duì)一直接輸出,對(duì)於防水和抗干擾方面有很優(yōu)異的表現(xiàn)!    二 產(chǎn)品特色 1 工作電壓範(fàn)圍:3.1V – 5.5V 2 工作電流:3mA@5V 3 6個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵 4 提供一對(duì)一的直接輸出,未按鍵為高電平輸出,按鍵為低電平輸出 5 可以經(jīng)由調(diào)整 CAP 腳的外接電容,調(diào)整靈敏度,電容越大靈敏度越高 6 具有防水及水漫成片水珠覆蓋在觸摸按鍵面板,按鍵仍可有效判別 7 內(nèi)建 LDO 增加電源的抗干擾能力   三 產(chǎn)品應(yīng)用 各種大小家電,娛樂(lè)產(chǎn)品   四 功能描述 1 VK3606DM 於手指按壓觸摸盤,在 60ms 內(nèi)輸出對(duì)應(yīng)按鍵的狀態(tài)。 2 單鍵優(yōu)先判斷輸出方式處理, 如果 K1 已經(jīng)承認(rèn)了, 需要等 K1 放開(kāi)後, 其他按 鍵才能再被承認(rèn),同時(shí)間只有一個(gè)按鍵狀態(tài)會(huì)被輸出。 3 具有防呆措施, 若是按鍵有效輸出連續(xù)超過(guò) 10 秒, 就會(huì)做復(fù)位。 4 環(huán)境調(diào)適功能,可隨環(huán)境的溫濕度變化調(diào)整參考值,確保按鍵判斷工作正常。 5 可分辨水與手指的差異,對(duì)水漫與水珠覆蓋按鍵觸摸盤,仍可正確判斷按鍵動(dòng)作。但水不可於按鍵觸摸盤上形成“水柱”,若如此則如同手按鍵一般,會(huì)有按鍵承認(rèn)輸出。 6 內(nèi)建 LDO 及抗電源雜訊的處理程序,對(duì)電源漣波的干擾有很好的耐受能力。 7 不使用的按鍵請(qǐng)接地,避免太過(guò)靈敏而產(chǎn)生誤動(dòng)

    標(biāo)簽: 3606 KEYS SOP VK 16 DM 抗干擾 防水

    上傳時(shí)間: 2019-08-08

    上傳用戶:szqxw1688

  • 6 KEYS 高抗干擾并防水電容式觸摸按鍵VK3606OM SOP16

    一.產(chǎn)品描述 提供6個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵,一對(duì)一直接輸出,輸出為開(kāi)漏(opendrain)型態(tài),適合作AD鍵。對(duì)於防水和抗干擾方面有很優(yōu)異的表現(xiàn)!   二。產(chǎn)品特色 1.工作電壓範(fàn)圍:3.1V – 5.5V 2.工作電流: 3mA@5V 3.6 個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵 4.提供一對(duì)一的直接輸出,未按鍵為開(kāi)漏(open drain)型態(tài)輸出,按鍵時(shí)為低電平。 5.可以經(jīng)由調(diào)整 CAP 腳的外接電容,調(diào)整靈敏度,電容越大靈敏度越高 6.具有防水及水漫成片水珠覆蓋在觸摸按鍵面板,按鍵仍可有效判別 7.內(nèi)建 LDO 增加電源的抗干擾能力   三。 產(chǎn)品應(yīng)用 各種大小家電,娛樂(lè)產(chǎn)品   四.功能描述 1.VK3606OM 於手指按壓觸摸盤,在 60ms 內(nèi)輸出對(duì)應(yīng)按鍵的狀態(tài)。 2.單鍵優(yōu)先判斷輸出方式處理, 如果 K1 已經(jīng)承認(rèn)了, 需要等K1 放開(kāi)後, 其他按鍵才能再被承認(rèn),同時(shí)間只有一個(gè)按鍵狀態(tài)會(huì)被輸出。 3.具有防呆措施, 若是按鍵有效輸出連續(xù)超過(guò) 10 秒, 就會(huì)做復(fù)位。 4.環(huán)境調(diào)適功能,可隨環(huán)境的溫濕度變化調(diào)整參考值,確保按鍵判斷工作正常。 5.可分辨水與手指的差異,對(duì)水漫與水珠覆蓋按鍵觸摸盤,仍可正確判斷按鍵動(dòng)作。但水不可於按鍵觸摸盤上形成“水柱”,若如此則如同手按鍵一般,會(huì)有按鍵承認(rèn)輸出。 6.內(nèi)建 LDO 及抗電源雜訊的處理程序,對(duì)電源漣波的干擾有很好的耐受能力。 7.K0~K5 中不使用的按鍵請(qǐng)接地,避免太過(guò)靈敏而產(chǎn)生誤動(dòng)。 8.D0~D5 中不使用的輸出請(qǐng)接地,避免浮接會(huì)有漏電流的情 況。

    標(biāo)簽: KEYS 3606 SOP 16 VK OM 抗干擾 防水

    上傳時(shí)間: 2019-08-08

    上傳用戶:szqxw1688

  • 10 KEYS 高抗干擾并防水電容式觸摸按鍵VK3610IM SOP16

    一.產(chǎn)品描述   提供10個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵及兩線式串列界面,並有中斷輸出INT腳與MCU聯(lián)繫。特性上對(duì)於防水和抗干擾方面有很優(yōu)異的表現(xiàn)!   二。產(chǎn)品特色   1. 工作電壓範(fàn)圍:3.1V – 5.5V   2. 工作電流:3mA@5V   3. 10 個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵   4. 提供串列界面 SCK、SDA、INT 作為與 MCU 溝通方式。   5. 可以經(jīng)由調(diào)整 CAP 腳的外接電容,調(diào)整靈敏度,電容越大靈敏度越高   6.具有防水及水漫成片水珠覆蓋在觸摸按鍵面板,按鍵仍可有效判別   7. 內(nèi)建 LDO 增加電源的抗干擾能力   三。產(chǎn)品應(yīng)用   各種大小家電,娛樂(lè)產(chǎn)品   四.功能描述  1.VK3610IM 於手指按壓觸摸盤,在 60ms 內(nèi)輸出對(duì)應(yīng)按鍵的狀態(tài)。   2.單鍵優(yōu)先判斷輸出方式處理, 如果 K1 已經(jīng)承認(rèn)了, 需要等 K1 放開(kāi)後, 其他按鍵才能再被承認(rèn),同時(shí)間只有一個(gè)按鍵狀態(tài)會(huì)被輸出。   3.具有防呆措施, 若是按鍵有效輸出連續(xù)超過(guò) 10 秒, 就會(huì)做復(fù)位。   4.環(huán)境調(diào)適功能,可隨環(huán)境的溫濕度變化調(diào)整參考值,確保按鍵判斷工作正常。   5.可分辨水與手指的差異,對(duì)水漫與水珠覆蓋按鍵觸摸盤,仍可正確判斷按鍵動(dòng)作。但水不可於按鍵觸摸盤上形成“水柱”,若如此則如同手按鍵一般,會(huì)有按鍵承認(rèn)輸出。   6.內(nèi)建 LDO 及抗電源雜訊的處理程序,對(duì)電源漣波的干擾有很好的耐受能力。   7.不使用的按鍵請(qǐng)接地,避免太過(guò)靈敏而產(chǎn)生誤動(dòng)。  

    標(biāo)簽: KEYS VK3610 SOP 10 16 IM VK 抗干擾

    上傳時(shí)間: 2019-08-08

    上傳用戶:szqxw1688

  • 8鍵高抗干擾并防水電容式觸摸按鍵VK3608BM SOP16電子元器件貼片

    產(chǎn)品描述 提供8個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵,二進(jìn)制(BCD)編碼輸出,具有一個(gè)按鍵承認(rèn)輸出的顯示,按鍵後的資料會(huì)維持到下次按鍵,可先判斷按鍵承認(rèn)的狀態(tài),對(duì)於防水和抗干擾方面有很優(yōu)異的表現(xiàn)!   產(chǎn)品特色 工作電壓範(fàn)圍: 3.1V – 5.5V 工作電流: 3mA@5V 8 個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵 提供二進(jìn)制(BCD)編碼直接輸出介面(上電 D2~D0/111) 按鍵後離開(kāi),輸出狀態(tài)會(huì)維持到下次按鍵才會(huì)改變。 提供按鍵承認(rèn)有效輸出,當(dāng)有按鍵時(shí)輸出低電平,無(wú)按鍵為高電平。 可以經(jīng)由調(diào)整 CAP 腳的外接電容,調(diào)整靈敏度,電容越大靈敏度越高 具有防水及水漫成片水珠覆蓋在觸摸按鍵面板,按鍵仍可有效判別 內(nèi)建 LDO 增加電源的抗干擾能力   產(chǎn)品應(yīng)用 應(yīng)用于大小家電,娛樂(lè)產(chǎn)品等

    標(biāo)簽: VK3608 SOP VK 16 BM 抗干擾 防水 電元器件 貼片

    上傳時(shí)間: 2019-08-08

    上傳用戶:szqxw1688

  • 8 KEYS 高抗干擾并防水+省電電容式觸摸按鍵VK3708BM SOP16

    一.產(chǎn)品描述   提供8個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵,二進(jìn)制(BCD)編碼輸出,具有一個(gè)按鍵承認(rèn)輸出的顯示,按鍵後的資料會(huì)維持到下次按鍵,可先判斷按鍵承認(rèn)的狀態(tài)。提供低功耗模式,可使用於電池應(yīng)用的產(chǎn)品。對(duì)於防水和抗干擾方面有很優(yōu)異的表現(xiàn)!   二.產(chǎn)品特色   1.工作電壓範(fàn)圍:3.1V – 5.5V   2. 工作電流: 3mA (正常模式);15 uA (休眠模式) @5V   3. 8 個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵   4.持續(xù)無(wú)按鍵 4 秒,進(jìn)入休眠模式   5. 提供二進(jìn)制(BCD)編碼直接輸出介面(上電 D2~D0/111)   6. 按鍵後離開(kāi),輸出狀態(tài)會(huì)維持到下次按鍵才會(huì)改變。   7. 提供按鍵承認(rèn)有效輸出,當(dāng)有按鍵時(shí)輸出低電平,無(wú)按鍵為高電平。   8. 可以經(jīng)由調(diào)整 CAP 腳的外接電容,調(diào)整靈敏度,電容越大靈敏度越高   9. 具有防水及水漫成片水珠覆蓋在觸摸按鍵面板,按鍵仍可有效判別   10. 內(nèi)建 LDO 增加電源的抗干擾能力   三.產(chǎn)品應(yīng)用   各種大小家電,娛樂(lè)產(chǎn)品   四.功能描述   1.VK3708BM 於手指按壓觸摸盤,在 60ms 內(nèi)輸出對(duì)應(yīng)按鍵的狀態(tài)。   2.單鍵優(yōu)先判斷輸出方式處理, 如果 K1 已經(jīng)承認(rèn)了, 需要等 K1 放開(kāi)後, 其他按鍵才能再被承認(rèn),同時(shí)間只有一個(gè)按鍵狀態(tài)會(huì)被輸出。   3.具有防呆措施, 若是按鍵有效輸出連續(xù)超過(guò) 10 秒, 就會(huì)做復(fù)位。   4.環(huán)境調(diào)適功能,可隨環(huán)境的溫濕度變化調(diào)整參考值,確保按鍵判斷工作正常。   5.可分辨水與手指的差異,對(duì)水漫與水珠覆蓋按鍵觸摸盤,仍可正確判斷按鍵動(dòng)作。但水不可於按鍵觸摸盤上形成“水柱”,若如此則如同手按鍵一般,會(huì)有按鍵承認(rèn)輸出。   6.內(nèi)建 LDO 及抗電源雜訊的處理程序,對(duì)電源漣波的干擾有很好的耐受能力。   7.不使用的按鍵請(qǐng)接地,避免太過(guò)靈敏而產(chǎn)生誤動(dòng)。 聯(lián)系人:許碩          QQ:191 888 5898   聯(lián)系電話:188 9858 2398(微信)

    標(biāo)簽: KEYS 3708 SOP 16 BM VK 抗干擾 防水 省電

    上傳時(shí)間: 2019-08-08

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  • 一篇來(lái)自臺(tái)灣中華大學(xué)的論文--《無(wú)線射頻系統(tǒng)標(biāo)簽晶片設(shè)計(jì)》

    一篇來(lái)自臺(tái)灣中華大學(xué)的論文--《無(wú)線射頻系統(tǒng)標(biāo)簽晶片設(shè)計(jì)》,彩色版。其摘要為:本論文討論使用於無(wú)線射頻辨識(shí)系統(tǒng)(RFID)之標(biāo)籤晶片系統(tǒng)的電路設(shè)計(jì)和晶片製作,初步設(shè)計(jì)標(biāo)籤晶片的基本功能,設(shè)計(jì)流程包含數(shù)位軟體及功能的模擬、基本邏輯閘及類比電路的設(shè)計(jì)與晶片電路的佈局考量。 論文的第一部份是序論、射頻辨識(shí)系統(tǒng)的規(guī)劃、辨識(shí)系統(tǒng)的規(guī)格介紹及制定,而第二部份是標(biāo)籤晶片設(shè)計(jì)、晶片量測(cè)、結(jié)論。 電路的初步設(shè)計(jì)功能為:使用電容作頻率緩衝的Schmitt trigger Clock、CRC-16的錯(cuò)誤偵測(cè)編碼、Manchester編碼及使用單一電路做到整流、振盪及調(diào)變的功能,最後完成晶片的實(shí)作。

    標(biāo)簽: 大學(xué) 論文 無(wú)線射頻

    上傳時(shí)間: 2016-08-27

    上傳用戶:tb_6877751

  • 面向小面積和大面積光電二極管的低躁聲放大器

    光電二極管可分為兩類:具高電容 (30pF 至 3000pF)的大面積光電二極管和具相對(duì)較低電容 (10pF 或更小)的較小面積光電二極管

    標(biāo)簽: 光電二極管 低躁聲放大器

    上傳時(shí)間: 2013-11-21

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  • 透過(guò)MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

    經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來(lái)做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。

    標(biāo)簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時(shí)間: 2014-09-08

    上傳用戶:swing

  • DDR記憶體電源

    CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)脈頻率、系統(tǒng)內(nèi)各閘極輸入電容及電源電壓有關(guān),裝置尺寸縮小後,電源電壓也隨之降低,使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運(yùn)作速度,因此系統(tǒng)時(shí)脈頻率可升高至 Ghz 範(fàn)圍。

    標(biāo)簽: DDR 記憶體 電源

    上傳時(shí)間: 2013-10-14

    上傳用戶:immanuel2006

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