這是可編程邏輯器件（CPLD）初學(xué)者的入門級文章，僅供參考。
標(biāo)簽： CPLD 可編程邏輯器件 初學(xué)者 入門級
上傳時(shí)間： 2013-09-06
上傳用戶：dudu121
可編程器件，如果有問題的可以和我直接聯(lián)系
標(biāo)簽： 可編程器件 開發(fā)指南
上傳用戶：思索的小白
protel的常用器件庫\r\n protel的常用器件庫\r\nprotel的常用器件庫
標(biāo)簽： protel 常用器件
上傳時(shí)間： 2013-09-19
上傳用戶：奔跑的雪糕
protel的常用器件庫，本人積累幾年的成果，尤其適合單片機(jī)開發(fā)電路設(shè)計(jì)使用。
上傳時(shí)間： 2013-09-20
上傳用戶：hz07104032
基于又些器件在Proteus 里沒有庫文件，特此添加的一些，希望用得上
標(biāo)簽： Proteus 器件 庫文件
上傳時(shí)間： 2013-09-21
上傳用戶：asaqq
proteus 的元件器件中英文對照翻譯表
標(biāo)簽： proteus 元件 中英文對照 器件
上傳時(shí)間： 2013-09-22
上傳用戶：小火車?yán)怖怖?/p>
Proteus6.7是目前最好的模擬單片機(jī)外圍器件的工具，真的很不錯。可以仿真51系列、AVR，PIC等常用的MCU及其外圍電路（如LCD，RAM，ROM，鍵盤，馬達(dá)，LED，AD/DA，部分SPI器件，部分IIC器件，...） 其實(shí)proteus與multisim比較類似，只不過它可以仿真MCU！
標(biāo)簽： Proteus 6.7 模擬 單片機(jī)
上傳時(shí)間： 2013-09-29
上傳用戶：swz13842860183
看到不少網(wǎng)友對COOLMOS感興趣，把自己收集整理的資料、個人理解發(fā)出來，與大家共享。個人理解不一定完全正確，僅供參考。COOLMOS（super junction）原理，與普通VDMOS的差異如下： 對于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)，大家都知道Rdson與BV這一對矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson就大了。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時(shí)對Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？
標(biāo)簽： COOLMOS
上傳時(shí)間： 2014-12-23
上傳用戶：標(biāo)點(diǎn)符號
采用三維泊松方程和二維薛定諤方程自洽求解方法,建立量子點(diǎn)接觸器件（QPC）內(nèi)的電勢分布和二維電子氣層的電子密度分布的準(zhǔn)三維模型及模擬方法,并將模擬結(jié)果與傳統(tǒng)的Buttiker鞍型電勢分布進(jìn)行比較。
標(biāo)簽： 量子點(diǎn) 接觸器 電勢 數(shù)值
上傳時(shí)間： 2013-10-18
上傳用戶：ZOULIN58
由于CMOS器件靜電損傷90%是延遲失效，對整機(jī)應(yīng)用的可靠性影響太大，因而有必要對CMOS器件進(jìn)行抗靜電措施。本文描述了CMOS器件受靜電損傷的機(jī)理，從而對設(shè)計(jì)人員提出了幾種在線路設(shè)計(jì)中如何抗靜電，以保護(hù)CMOS器件不受損傷。
標(biāo)簽： CMOS 器件 抗靜電
上傳時(shí)間： 2013-11-05
上傳用戶：yupw24
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