近年來，人們對(duì)環(huán)境保護(hù)越來越重視，SF<,6>氣體的使用和排放受到限制，從而使電器領(lǐng)域內(nèi)SF<,6>斷路器的發(fā)展也受到限制。而真空斷路器充分利用了真空優(yōu)異的絕緣與熄弧特性，且對(duì)環(huán)境不造成污染，所以目前在中壓領(lǐng)域已經(jīng)占據(jù)了主導(dǎo)地位，而且不斷向高電壓、大容量方向發(fā)展。因此，未來高壓真空斷路器必然取代高壓SF<,6>斷路器。真空滅弧室是真空斷路器的“心臟”，所以，開發(fā)高壓真空斷路器最關(guān)鍵的是滅弧室的設(shè)計(jì)。本文對(duì)110kV的真空滅弧室的內(nèi)部電磁場(chǎng)進(jìn)行了仿真分析，為我國開發(fā)110kV真空斷路器提供一定的參考。 本文采用有限元軟件對(duì)110kV真空斷路器滅弧室內(nèi)部靜電場(chǎng)進(jìn)行了仿真分析，得到了滅弧室內(nèi)部各種屏蔽罩的大小、尺寸和位置對(duì)電場(chǎng)分布的影響；觸頭距離對(duì)滅弧室內(nèi)部電場(chǎng)分布的影響；傘裙對(duì)滅弧室內(nèi)部電場(chǎng)分布的影響。再根據(jù)等離子體和金屬蒸氣具有一定導(dǎo)電率的特點(diǎn)，從麥克斯韋基本方程出發(fā)，推導(dǎo)了滅弧室內(nèi)部電場(chǎng)所滿足的計(jì)算方程，然后用有限元法對(duì)二維電場(chǎng)進(jìn)行了求解。考慮到弧后粒子消散過程中，電極和懸浮導(dǎo)體表面會(huì)有帶電微粒的存在，又計(jì)算分析了帶電微粒對(duì)真空滅弧室電場(chǎng)分布的影響，進(jìn)而提出了使滅弧室內(nèi)部電場(chǎng)更加均勻的措施。 根據(jù)大電流真空電弧的物理模型，基于磁場(chǎng)對(duì)電流的作用力理論，計(jì)算分析了真空電弧自生磁場(chǎng)的收縮效應(yīng)以及對(duì)分?jǐn)嚯娀〉挠绊懀玫搅嘶≈凶陨艌?chǎng)產(chǎn)生的電磁壓強(qiáng)分布，最后分析了外加縱向磁場(chǎng)分量對(duì)減小自生磁場(chǎng)收縮效應(yīng)的作用。 建立了110kV、1/2線圈以及1/3線圈縱向磁場(chǎng)觸頭三維電極模型，并利用有限元法進(jìn)行了三維靜磁場(chǎng)和渦流場(chǎng)仿真。得到了電流在峰值和過零時(shí)縱向磁場(chǎng)分別在觸頭片表面和觸頭間隙中心平面上的二維和三維分布，給出了這兩種觸頭在電流過零時(shí)縱向磁場(chǎng)滯后時(shí)間沿徑向路徑和軸向路徑的分布規(guī)律，最后還對(duì)這兩種觸頭的性能進(jìn)行了比較。
標(biāo)簽：
110
kV
真空斷路器
上傳時(shí)間：
2013-07-09
上傳用戶：smthxt
