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電瓶

雙通道8A DCDC uModule穩(wěn)壓器能夠容易地通過(guò)并聯(lián)來(lái)提供16A電流

LTM®4616 是一款雙路輸入、雙路輸出 DC/DC μModule™ 穩(wěn)壓器，采用 15mm x 15mm x 2.8mm LGA 表面貼裝型封裝。由於開(kāi)關(guān)控制器、MOSFET、電感器和其他支持元件均被集成在纖巧型封裝之內(nèi)，因此只需少量的外部元件。

標(biāo)簽： uModule DCDC 16A 雙通道

上傳時(shí)間： 2013-10-27

上傳用戶：頂?shù)弥?/p>
對(duì)于電源故障保護(hù)應(yīng)用，超級(jí)電容器能夠替代后備電池

在越來(lái)越多的短時(shí)間能量存貯應(yīng)用以及那些需要間歇式高能量脈衝的應(yīng)用中，超級(jí)電容器找到了自己的用武之地。電源故障保護(hù)電路便是此類應(yīng)用之一，在該電路中，如果主電源發(fā)生短時(shí)間故障，則接入一個(gè)後備電源，用於給負(fù)載供電

標(biāo)簽： 電源故障保護(hù) 后備電池超級(jí)電容器

上傳時(shí)間： 2014-01-08

上傳用戶：lansedeyuntkn
四相升壓型轉(zhuǎn)換器提供348W功率而無(wú)需采用散熱器

在汽車(chē)、工業(yè)和電信行業(yè)的設(shè)計(jì)師當(dāng)中，使用高功率升壓型轉(zhuǎn)換器的現(xiàn)像正變得越來(lái)越普遍。當(dāng)需要 300W 或更高的功率時(shí)，必須在功率器件中實(shí)現(xiàn)高效率 (低功率損耗)，以免除增設(shè)龐大散熱器和采用強(qiáng)迫通風(fēng)冷卻的需要

標(biāo)簽： 348W 升壓型轉(zhuǎn)換器功率散熱器

上傳時(shí)間： 2014-12-01

上傳用戶：lhc9102
開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)

開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā) 資料

標(biāo)簽： 開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)

上傳時(shí)間： 2014-12-24

上傳用戶：38553903210
使用簡(jiǎn)易閂鎖電路保護(hù)電源

設(shè)計(jì)時(shí)需要過(guò)一款簡(jiǎn)單、低成本的閂鎖電路 (latch circuit) ？圖一顯示的就是這樣一款電路，基本上是一個(gè)可控矽整流器(SCR)，結(jié)合了一些離散組件，只需低成本的元件便可以提供電源故障保護(hù)。

標(biāo)簽： 閂鎖電路保護(hù)電源

上傳時(shí)間： 2013-11-11

上傳用戶：zq70996813
透過(guò)MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來(lái)做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。

標(biāo)簽： MOSFET EMI 電壓電流控制

上傳時(shí)間： 2014-09-08

上傳用戶：swing
可替代整合型MOSFET的獨(dú)立元件

在電源設(shè)計(jì)中，工程人員時(shí)常會(huì)面臨控制 IC 驅(qū)動(dòng)電流不足的問(wèn)題，或者因?yàn)殚l極驅(qū)動(dòng)損耗導(dǎo)致控制 IC 功耗過(guò)大。為解決這些問(wèn)題，工程人員通常會(huì)採(cǎi)用外部驅(qū)動(dòng)器。目前許多半導(dǎo)體廠商都有現(xiàn)成的 MOSFET 積體電路驅(qū)動(dòng)器解決方案，但因?yàn)槌杀究剂?，工程師往往?huì)選擇比較低價(jià)的獨(dú)立元件。

標(biāo)簽： MOSFET 獨(dú)立元件

上傳時(shí)間： 2013-11-19

上傳用戶：阿譚電器工作室
DDR記憶體電源

CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)脈頻率、系統(tǒng)內(nèi)各閘極輸入電容及電源電壓有關(guān)，裝置尺寸縮小後，電源電壓也隨之降低，使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運(yùn)作速度，因此系統(tǒng)時(shí)脈頻率可升高至 Ghz 範(fàn)圍。

標(biāo)簽： DDR 記憶體電源

上傳時(shí)間： 2013-10-14

上傳用戶：immanuel2006
折衷選擇輸入電容鏈波電流的線壓范圍

透過(guò)增加輸入電容，可以在獲得更多鏈波電流的同時(shí)，還能藉由降低輸入電容的壓降來(lái)縮小電源的工作輸入電壓範(fàn)圍。這會(huì)影響電源的變壓器圈數(shù)比以及各種電壓與電流應(yīng)力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大，應(yīng)力越小，電源效率也就越高。

標(biāo)簽： 輸入電容電流

上傳時(shí)間： 2013-11-11

上傳用戶：jelenecheung
開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)實(shí)例和開(kāi)關(guān)電源調(diào)試基礎(chǔ)

開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)資料

標(biāo)簽： 開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)實(shí)例調(diào)試

上傳時(shí)間： 2013-11-08

上傳用戶：李哈哈哈