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器件數據手冊專輯 120冊 2.15G最新電子元器件產品大全第3冊--真空電子器件與顯示器件 1116頁 15.0M.pdf
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上傳時間： 2014-05-05
上傳用戶：時代將軍
最新電子元器件產品大全 (第三冊) 真空電子器件與顯示器件.pdf
標簽： 電子元器件
上傳時間： 2022-01-07
上傳用戶：kingwide
有機發光顯示器件(OrganicLight-EmittingDiodes，OLEDs)作為下一代顯示器倍受關注，它具有輕、薄、高亮度、快速響應、高清晰度、低電壓、高效率和低成本等優點，完全可以媲美CRT、LCD、LED等顯示器件。作為全固化顯示器件，OLED的最大優越性是能夠與塑料晶體管技術相結合實現柔性顯示，應用前景非常誘人。OLED如此眾多的優點和廣闊的商業前景，吸引了全球眾多研究機構和企業參與其研發和產業化。然而，OLED也存在一些問題，特別是在發光機理、穩定性和壽命等方面還需要進一步的研究。要達到這些目標，除了器件的材料，結構設計外，封裝也十分重要。 本論文的主要工作是利用現有的材料，從綠光OLED器件制作工藝、發光機理，結構和封裝入手，首先，探討了作為陽極的ITO玻璃表面處理工藝和ITO玻璃的光刻工藝。ITO表面的清潔程度嚴重影響著光刻質量和器件的最終性能；ITO表面經過氧等離子處理后其表面功函數增大，明顯提高了器件的發光亮度和發光效率。 其次，針對光刻、曝光工藝技術進行了一系列相關實驗，在光刻工藝中，光刻膠的厚度是影響光刻質量的一個重要因素，其厚度在1.2μm左右時，光刻效果理想。研究了OLED器件陰極隔離柱成像過程中的曝光工藝，摸索出了最佳工藝參數。 然后采用以C545T作為綠光摻雜材料制作器件結構為ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm)：C545T(2.1％摻雜比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的綠光OLED器件。最后基于以上器件采用了兩種封裝工藝，實驗一中，在封裝玻璃的四周涂上UV膠，放入手套箱，在氮氣保護氣氛下用紫外冷光源照射1min進行一次封裝，然后取出OLED片，在ITO玻璃和封裝玻璃接口處涂上UV膠，真空下用紫外冷光源照射1min，固化進行二次封裝。實驗二中，在各功能層蒸鍍完成后，又在陰極的外面蒸鍍了一層薄膜封裝層，然后再按實驗一的方法進行封裝。薄膜封裝層的材料分別為硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)。分別對兩種封裝工藝器件的電流-電壓特性、亮度-電壓特性、發光光譜及壽命等特性進行了測試與討論。通過對比，研究發現增加薄膜封裝層器件的壽命比未加薄膜封裝層器件壽命都有所延長，其中，Se薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.4倍，Te薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了兩倍多，Sb薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.3倍，研究還發現薄膜封裝層基本不影響器件的電流-電壓特性、色坐標等光電性能。最后，分別對三種薄膜封裝層材料硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)進行了研究。
標簽： 機電 發光 顯示器件
上傳時間： 2013-07-11
上傳用戶：liuwei6419
真空斷路器滅弧室觸頭是斷路器實現分閘合閘的關鍵部件，需定期檢查，但常規人工檢測方法費時費力。經過對真空斷路器滅弧室機械結構特點與動作過程的研究，設計出一種基于ARM處理器的觸頭磨損度檢測系統，此系統由安裝在斷路器端的從機和安裝在控制室電腦上的主機適配器組成，系統使用搭載ARM1176JZF-S處理器的S3C6410芯片、AD3812模塊、W-DCD5位移傳感器、4432系列射頻無線模塊等器件實現了在機房使用一臺PC機或手機短信對多臺真空斷路器滅弧室觸頭磨損進行遠程檢測與控制。經測試，系統檢測誤差低于0.78%。系統檢測精度高，使用方便實時性好，可靠性強，大大減少了以往的觸頭檢測工作量。
標簽： ARM 真空斷路器 檢測系統 磨損
上傳時間： 2013-10-14
上傳用戶：nanshan
結合典型的焊料鍵合MEMS真空封裝工藝，應用真空物理的相關理論，建立了封裝腔體的真空度與氣體吸附和解吸、氣體的滲透、材料的蒸氣壓、氣體通過小孔的流動等的數學模型，確定了其數值模擬的算法．通過實驗初步驗證了模擬結果的準確性，分析了毛細孔尺寸對腔體和烘箱真空度的影響，實現了MEMS器件真空封裝工藝的參數化建模與模擬和仿真優化設計．
標簽： MEMS 焊料 封裝 模擬 鍵合
上傳時間： 2016-07-26
上傳用戶：leishenzhichui
MEMS真空封裝是提高MEMS慣性器件性能的主要手段。本文應用實驗方法，在真空熔焊工藝設備上研究了MEMS器件金屬外殼真空封裝工藝。對不同鍍層結構的外殼進行了封裝實驗比較和氣密性測試，結果發現，金屬外殼表面鍍Ni和鍍Au或管座表面鍍Ni和Au、管帽表面鍍Ni可有效的提高真空封裝的氣密性和可靠性，其氣密性優于5×10-9 Pa·m3／s。封裝樣品的高低溫循環實驗和真空保持特性的測量結果說明，金屬外殼真空熔焊工藝可基本滿足MEMS器件真空封裝工藝的要求，并測得真空度為5 Pa—15 Pa左右。MEMS陀螺儀的封裝應用也說明了工藝的可行性。
標簽： MEMS 熔焊 封裝工藝
簡要介紹本文件的目的是，針對潮濕、再流焊和工藝敏感器件，向生產商和用戶提供標準的操作、包裝、運輸及使用方法。所提供的這些方法可避免由于吸收濕氣和暴露在再流焊溫度下造成的封裝損傷，這些損傷會導致合格率和可靠性的降低。一旦正確執行IPC/JEDEC J-STD-033D，這些工藝可以提供從密封時間算起12個月的最短保質期。由IPC和JEDEC開發。一般的IC封裝零件都需要根據MSL標準管控零件暴露於環境濕度的時間，以確保零件不會因為過度吸濕在過回焊爐時發生popcom(爆裂)或delamination(分層)的后果，不同的零件封裝會產生不同的MSL等級，當濕氣進入零件越多，零件因溫度而膨脹剝離的風險就越高，基本上濕度敏感的零件在出廠前都會經過一定時間及溫度的烘烤，然后連同乾燥劑(desiccant)一起加入真空包裝中來達到最低的濕氣入侵可能。本文件的目的是，針對潮濕/再流焊敏感表面貼裝器件，向生產商和用戶提供標準的操作、包裝、運輸及使用方法。所提供的這些方法可避免由于吸收濕氣和暴露在再流焊溫度下造成的封裝損傷，這些損傷會導致合格率和可靠性的降低。一旦正確執行，這些工藝可以提供從密封時間算起12個月的最短保質期。由IPC和JEDEC開發。
標簽： ipc j-std-033d
上傳時間： 2022-06-26
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基本磁場測量實驗 真空鍍膜
標簽： 磁場測量 實驗 鍍膜
上傳時間： 2013-06-21
上傳用戶：eeworm
壓電器件
標簽： 壓電器件
上傳時間： 2013-06-23
現代光電器件技術及應用
標簽： 光電器件
上傳時間： 2013-08-01
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