半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類(lèi)別，圖一中不同類(lèi)別的英文縮寫(xiě)名稱(chēng)原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類(lèi)很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見(jiàn)的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱(chēng)為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱(chēng)為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。
上傳時(shí)間： 2014-01-20
上傳用戶：蒼山觀海
分析并設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了一種基于磁耦合諧振的無(wú)線電能傳輸系統(tǒng)。介紹了無(wú)線電能傳輸技術(shù)，闡述了磁耦合諧振式無(wú)線電能傳輸技術(shù)原理及其優(yōu)越性，分析了磁耦合諧振無(wú)線電能傳輸系統(tǒng)中傳輸距離d及負(fù)載阻值RL等相關(guān)參數(shù)對(duì)系統(tǒng)傳輸功率、效率的影響。對(duì)所提出的無(wú)線電能傳輸系統(tǒng)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)測(cè)試，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，需綜合考慮上述相關(guān)參數(shù)，以達(dá)到傳輸效率、傳輸功率的最優(yōu)化設(shè)計(jì)。同時(shí)驗(yàn)證了理論分析的有效性。
標(biāo)簽： 磁耦合 無(wú)線電能傳輸 諧振
上傳時(shí)間： 2014-01-04
上傳用戶：集美慧
對(duì)磁環(huán)電感及其飽和磁通進(jìn)行計(jì)算。
標(biāo)簽： 磁環(huán)電感 磁通計(jì)算
上傳時(shí)間： 2013-10-13
上傳用戶：wangw7689
全橋變換器中磁通不平衡的抑制。
上傳時(shí)間： 2013-10-22
上傳用戶：nunnzhy
高頻磁放大器穩(wěn)壓電源的設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-10-27
上傳用戶：Miyuki
高頻磁放大器穩(wěn)壓電源具有諸多的優(yōu)點(diǎn)，響應(yīng)快，抗過(guò)載，抗干擾
上傳時(shí)間： 2013-10-27
上傳用戶：jinyao
經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來(lái)做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。
上傳時(shí)間： 2014-09-08
上傳用戶：swing
在電源設(shè)計(jì)中，工程人員時(shí)常會(huì)面臨控制 IC 驅(qū)動(dòng)電流不足的問(wèn)題，或者因?yàn)殚l極驅(qū)動(dòng)損耗導(dǎo)致控制 IC 功耗過(guò)大。為解決這些問(wèn)題，工程人員通常會(huì)採(cǎi)用外部驅(qū)動(dòng)器。目前許多半導(dǎo)體廠商都有現(xiàn)成的 MOSFET 積體電路驅(qū)動(dòng)器解決方案，但因?yàn)槌杀究剂?，工程師往往?huì)選擇比較低價(jià)的獨(dú)立元件。
上傳時(shí)間： 2013-11-19
上傳用戶：阿譚電器工作室
PC電源測(cè)試系統(tǒng)chroma8000簡(jiǎn)介
標(biāo)簽： chroma 8000 電源測(cè)試系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2013-11-08
上傳用戶：xiehao13
鐵鎳鉬磁粉芯性能曲線
上傳時(shí)間： 2013-10-17
上傳用戶：zuozuo1215
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