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電磁表面缺陷檢測(cè)

小型DFN封裝的電子電路斷路器免除了檢測(cè)電阻器

一直以來(lái)，電子電路斷路器( E C B ) 都是由一個(gè)MOSFET、一個(gè) MOSFET 控制器和一個(gè)電流檢測(cè)電阻器所組成的。

標(biāo)簽： DFN 封裝電子電路斷路器

上傳時(shí)間： 2013-10-18

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基于MATLAB的B樣條小波程序的實(shí)現(xiàn)

· 摘要： MATLAB是一種建立在向量、數(shù)組、矩陣基礎(chǔ)上,面向科學(xué)和工程計(jì)算的高級(jí)語(yǔ)言,為科學(xué)研究和工程計(jì)算提供了一個(gè)方便有效的工具.該文簡(jiǎn)要介紹了B樣條和B樣條小波的構(gòu)成,并利用MATLAB語(yǔ)言編寫(xiě)了繪制任意階B樣條和B樣條小波圖形的程序.

標(biāo)簽： MATLAB 程序

上傳時(shí)間： 2013-04-24

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剖析Intel IA32 架構(gòu)下C 語(yǔ)言及CPU 浮點(diǎn)數(shù)機(jī)制 Version 0.01 哈爾濱工業(yè)大學(xué) 謝煜波（email: xieyubo@126.com 網(wǎng)址:http://purec.b

剖析Intel IA32 架構(gòu)下C 語(yǔ)言及CPU 浮點(diǎn)數(shù)機(jī)制 Version 0.01 哈爾濱工業(yè)大學(xué) 謝煜波（email: xieyubo@126.com 網(wǎng)址:http://purec.binghua.com）（QQ:13916830 哈工大紫丁香BBSID:iamxiaohan）前言這兩天翻看一本C 語(yǔ)言書(shū)的時(shí)候，發(fā)現(xiàn)上面有一段這樣寫(xiě)到例：將同一實(shí)型數(shù)分別賦值給單精度實(shí)型和雙精度實(shí)型，然后打印輸出。 #include <stdio.h> main() { float a double b a = 123456.789e4 b = 123456.789e4 printf(“％f\n％f\n”,a,b) } 運(yùn)行結(jié)果如下：

標(biāo)簽： Version xieyubo Intel email

上傳時(shí)間： 2013-12-25

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問(wèn)題描述序列Z=是序列X=<A，B，C，B，D，A，B>的子序列，相應(yīng)的遞增下標(biāo)序列為<2，3，5，7>。一般地，給定一個(gè)序列X=<x1,x2,…,xm>，則另一個(gè)序列Z=<z1,z2,…,zk>是X的子序列，是指存在一個(gè)嚴(yán)格遞增的下標(biāo)序列〈i1,i2,…,ik〉使得對(duì)于所有j=1,2,…,k使Z中第j個(gè)元素zj與X中第ij個(gè)元素相同。給定2個(gè)序列X和Y，當(dāng)另一序列Z既是X的子序列又是Y的子序列時(shí)，稱Z是序列X和Y的公共子序列。你的任務(wù)是：給定2個(gè)序列X、Y，求X和Y的最長(zhǎng)公共子序列Z。

標(biāo)簽： lt 序列

上傳時(shí)間： 2014-01-25

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1.推動(dòng)教育學(xué)發(fā)展的內(nèi)在動(dòng)力是( D)的發(fā)展。A.教育規(guī)律 B.教育價(jià)值 C.教育現(xiàn)象 D.教育問(wèn)題 2.提出“泛智”教育思想

1.推動(dòng)教育學(xué)發(fā)展的內(nèi)在動(dòng)力是( D)的發(fā)展。A.教育規(guī)律 B.教育價(jià)值 C.教育現(xiàn)象 D.教育問(wèn)題 2.提出“泛智”教育思想，探討“把一切事物教給一切人類的全部藝術(shù)”的教育家是( B)A.培根 B.夸美紐斯 C.赫爾巴特 D.贊可夫

標(biāo)簽： A. B. C. D.

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pcf project dds sdfsd sdcsc sdcsc sdxcs gh fgb dfv fdgbvfg b fg fb fgbv gbfbf s bgtb fgbfv b fbv

pcf project dds sdfsd sdcsc sdcsc sdxcs gh fgb dfv fdgbvfg b fg fb fgbv gbfbf s bgtb fgbfv b fbvf v fbg b v fgg ffg fggfv.

標(biāo)簽： sdcsc fdgbvfg project fgbfv

上傳時(shí)間： 2014-12-19

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抗干擾高穩(wěn)定性：VK2C23A/B I2C接口LCD控制顯示段碼屏驅(qū)動(dòng)IC

產(chǎn)品型號(hào)：VK2C23A/B 產(chǎn)品品牌：VINKA/永嘉微/永嘉微電封裝形式：LQFP64/48 裸片:DICE（邦定COB）/COG（邦定玻璃用）產(chǎn)品年份：新年份聯(lián) 系人：許碩原廠直銷，工程服務(wù)，技術(shù)支持，價(jià)格最具優(yōu)勢(shì)！QT394 VK2C23A/B概述： VK2C23A/B是一個(gè)點(diǎn)陣式存儲(chǔ)映射的LCD驅(qū)動(dòng)器，可支持最大224點(diǎn)（56SEGx4COM）或者最大416點(diǎn)（52SEGx8COM）的LCD屏。單片機(jī)可通過(guò)I2C接口配置顯示參數(shù)和讀寫(xiě)顯示數(shù)據(jù)，也可通過(guò)指令進(jìn)入省電模式。其高抗干擾，低功耗的特性適用于水電氣表以及工控儀表類產(chǎn)品。特點(diǎn)： ★ 工作電壓 2.4-5.5V ★ 內(nèi)置32 kHz RC振蕩器 ★ 偏置電壓（BIAS）可配置為1/3、1/4 ★ COM周期（DUTY）可配置為1/4、1/8 ★ 內(nèi)置顯示RAM為56x4位、52x8位 ★ 幀頻可配置為80Hz、160Hz ★ 省電模式（通過(guò)關(guān)顯示和關(guān)振蕩器進(jìn)入）

標(biāo)簽： VK2C I2C LCD 23 抗干擾高穩(wěn)定接口控制驅(qū)動(dòng)IC

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紅外熱成像技術(shù)在亞平面缺陷檢測(cè)中的應(yīng)用

根據(jù)紅外成像無(wú)損檢測(cè)原理，利用機(jī)器視覺(jué)技術(shù)，通過(guò)實(shí)驗(yàn)將紅外熱像儀采集的亞表面紅外缺陷圖像進(jìn)行一系列的處理，包括濾波降噪，圖像增強(qiáng)，邊緣提取等，將缺陷檢測(cè)出來(lái)。文中用matlab和Visual C++2010聯(lián)合編程的方式對(duì)紅外缺陷進(jìn)行識(shí)別，通過(guò)窗口可視化將圖像和圖像中的缺陷位置，大小提取出來(lái)。通過(guò)多次實(shí)驗(yàn)，本方法能夠檢測(cè)大多的亞平面缺陷，具有較高的應(yīng)用價(jià)值。

標(biāo)簽： 紅外熱成像技術(shù) 中的應(yīng)用缺陷檢測(cè)

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高速電路設(shè)計(jì) 詳細(xì)基礎(chǔ)理論知識(shí)

設(shè)計(jì)高速電路必須考慮高速訊號(hào)所引發(fā)的電磁干擾、阻抗匹配及串音等效應(yīng)，所以訊號(hào)完整性 (signal integrity)將是考量設(shè)計(jì)電路優(yōu)劣的一項(xiàng)重要指標(biāo)，電路日異複雜必須仰賴可靠的軟體來(lái)幫忙分析這些複雜的效應(yīng)，才比較可能獲得高品質(zhì)且可靠的設(shè)計(jì)，因此熟悉軟體的使用也將是重要的研究項(xiàng)目之一。另外了解高速訊號(hào)所引發(fā)之各種效應(yīng)(反射、振鈴、干擾、地彈及串音等)及其克服方法也是研究高速電路設(shè)計(jì)的重點(diǎn)之一。目前高速示波器的功能越來(lái)越多，使用上很複雜，必須事先進(jìn)修學(xué)習(xí)，否則無(wú)法全盤(pán)了解儀器之功能，因而無(wú)法有效發(fā)揮儀器的量測(cè)功能。其次就是高速訊號(hào)量測(cè)與介面的一些測(cè)試規(guī)範(fàn)也必須熟悉，像眼圖分析，探針效應(yīng)，抖動(dòng)(jitter)測(cè)量規(guī)範(fàn)及高速串列介面量測(cè)規(guī)範(fàn)等實(shí)務(wù)技術(shù)，必須充分了解研究學(xué)習(xí)，進(jìn)而才可設(shè)計(jì)出優(yōu)良之教學(xué)教材及教具。

標(biāo)簽： 高速電路

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MSP430系列flash型超低功耗16位單片機(jī)

MSP430系列flash型超低功耗16位單片機(jī)MSP430系列單片機(jī)在超低功耗和功能集成等方面有明顯的特點(diǎn)。該系列單片機(jī)自問(wèn)世以來(lái)，頗受用戶關(guān)注。在2000年該系列單片機(jī)又出現(xiàn)了幾個(gè)FLASH型的成員，它們除了仍然具備適合應(yīng)用在自動(dòng)信號(hào)采集系統(tǒng)、電池供電便攜式裝置、超長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)工作的設(shè)備等領(lǐng)域的特點(diǎn)外，更具有開(kāi)發(fā)方便、可以現(xiàn)場(chǎng)編程等優(yōu)點(diǎn)。這些技術(shù)特點(diǎn)正是應(yīng)用工程師特別感興趣的。《MSP430系列FLASH型超低功耗16位單片機(jī)》對(duì)該系列單片機(jī)的FLASH型成員的原理、結(jié)構(gòu)、內(nèi)部各功能模塊及開(kāi)發(fā)方法與工具作詳細(xì)介紹。MSP430系列FLASH型超低功耗16位單片機(jī) 目錄第1章引論1.1 MSP430系列單片機(jī)1.2 MSP430F11x系列1.3 MSP430F11x1系列1.4 MSP430F13x系列1.5 MSP430F14x系列第2章結(jié)構(gòu)概述2.1 引言2.2 CPU2.3 程序存儲(chǔ)器2.4 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器2.5 運(yùn)行控制2.6 外圍模塊2.7 振蕩器與時(shí)鐘發(fā)生器第3章系統(tǒng)復(fù)位、中斷及工作模式3.1 系統(tǒng)復(fù)位和初始化3.1.1 引言3.1.2 系統(tǒng)復(fù)位后的設(shè)備初始化3.2 中斷系統(tǒng)結(jié)構(gòu)3.3 MSP430 中斷優(yōu)先級(jí)3.3.1 中斷操作--復(fù)位/NMI3.3.2 中斷操作--振蕩器失效控制3.4 中斷處理 3.4.1 SFR中的中斷控制位3.4.2 中斷向量地址3.4.3 外部中斷3.5 工作模式3.5.1 低功耗模式0、1（LPM0和LPM1）3.5.2 低功耗模式2、3（LPM2和LPM3）3.5.3 低功耗模式4（LPM4）22 3.6 低功耗應(yīng)用的要點(diǎn)23第4章存儲(chǔ)空間4.1 引言4.2 存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)4.3 片內(nèi)ROM組織4.3.1 ROM 表的處理4.3.2 計(jì)算分支跳轉(zhuǎn)和子程序調(diào)用4.4 RAM 和外圍模塊組織4.4.1 RAM4.4.2 外圍模塊--地址定位4.4.3 外圍模塊--SFR4.5 FLASH存儲(chǔ)器4.5.1 FLASH存儲(chǔ)器的組織4.5.2 FALSH存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)4.5.3 FLASH存儲(chǔ)器的控制寄存器4.5.4 FLASH存儲(chǔ)器的安全鍵值與中斷4.5.5 經(jīng)JTAG接口訪問(wèn)FLASH存儲(chǔ)器39第5章 16位CPU5.1 CPU寄存器5.1.1 程序計(jì)數(shù)器PC5.1.2 系統(tǒng)堆棧指針SP5.1.3 狀態(tài)寄存器SR5.1.4 常數(shù)發(fā)生寄存器CG1和CG25.2 尋址模式5.2.1 寄存器模式5.2.2 變址模式5.2.3 符號(hào)模式5.2.4 絕對(duì)模式5.2.5 間接模式5.2.6 間接增量模式5.2.7 立即模式5.2.8 指令的時(shí)鐘周期與長(zhǎng)度5.3 指令組概述5.3.1 雙操作數(shù)指令5.3.2 單操作數(shù)指令5.3.3 條件跳轉(zhuǎn)5.3.4 模擬指令的簡(jiǎn)短格式5.3.5 其他指令第6章硬件乘法器6.1 硬件乘法器6.2 硬件乘法器操作6.2.1 無(wú)符號(hào)數(shù)相乘(16位×16位、16位×8位、8位×16位、8位×8位)6.2.2 有符號(hào)數(shù)相乘(16位×16位、16位×8位、8位×16位、8位×8位)6.2.3 無(wú)符號(hào)數(shù)乘加(16位×16位、16位×8位、8位×16位、8位×8位)6.2.4 有符號(hào)數(shù)乘加(16位×16位、16位×8位、8位×16位、8位×8位)6.3 硬件乘法器寄存器6.4 硬件乘法器的軟件限制6.4.1 尋址模式6.4.2 中斷程序6.4.3 MACS第7章基礎(chǔ)時(shí)鐘模塊7.1 基礎(chǔ)時(shí)鐘模塊7.2 LFXT1與XT27.2.1 LFXT1振蕩器7.2.2 XT2振蕩器7.2.3 振蕩器失效檢測(cè)7.2.4 XT振蕩器失效時(shí)的DCO7.3 DCO振蕩器7.3.1 DCO振蕩器的特性7.3.2 DCO調(diào)整器7.4 時(shí)鐘與運(yùn)行模式7.4.1 由PUC啟動(dòng)7.4.2 基礎(chǔ)時(shí)鐘調(diào)整7.4.3 用于低功耗的基礎(chǔ)時(shí)鐘特性7.4.4 選擇晶振產(chǎn)生MCLK7.4.5 時(shí)鐘信號(hào)的同步7.5 基礎(chǔ)時(shí)鐘模塊控制寄存器7.5.1 DCO時(shí)鐘頻率控制7.5.2 振蕩器與時(shí)鐘控制寄存器7.5.3 SFR控制位第8章輸入輸出端口8.1 引言8.2 端口P1、P28.2.1 P1、P2的控制寄存器8.2.2 P1、P2的原理8.2.3 P1、P2的中斷控制功能8.3 端口P3、P4、P5和P68.3.1 端口P3、P4、P5和P6的控制寄存器8.3.2 端口P3、P4、P5和P6的端口邏輯第9章看門(mén)狗定時(shí)器WDT9.1 看門(mén)狗定時(shí)器9.2 WDT寄存器9.3 WDT中斷控制功能9.4 WDT操作第10章 16位定時(shí)器Timer_A10.1 引言10.2 Timer_A的操作10.2.1 定時(shí)器模式控制10.2.2 時(shí)鐘源選擇和分頻10.2.3 定時(shí)器啟動(dòng)10.3 定時(shí)器模式10.3.1 停止模式10.3.2 增計(jì)數(shù)模式10.3.3 連續(xù)模式10.3.4 增/減計(jì)數(shù)模式10.4 捕獲/比較模塊10.4.1 捕獲模式10.4.2 比較模式10.5 輸出單元10.5.1 輸出模式10.5.2 輸出控制模塊10.5.3 輸出舉例10.6 Timer_A的寄存器10.6.1 Timer_A控制寄存器TACTL10.6.2 Timer_A寄存器TAR10.6.3 捕獲/比較控制寄存器CCTLx10.6.4 Timer_A中斷向量寄存器10.7 Timer_A的UART應(yīng)用第11章 16位定時(shí)器Timer_B11.1 引言11.2 Timer_B的操作11.2.1 定時(shí)器長(zhǎng)度11.2.2 定時(shí)器模式控制11.2.3 時(shí)鐘源選擇和分頻11.2.4 定時(shí)器啟動(dòng)11.3 定時(shí)器模式11.3.1 停止模式11.3.2 增計(jì)數(shù)模式11.3.3 連續(xù)模式11.3.4 增/減計(jì)數(shù)模式11.4 捕獲/比較模塊11.4.1 捕獲模式11.4.2 比較模式11.5 輸出單元11.5.1 輸出模式11.5.2 輸出控制模塊11.5.3 輸出舉例11.6 Timer_B的寄存器11.6.1 Timer_B控制寄存器TBCTL11.6.2 Timer_B寄存器TBR11.6.3 捕獲/比較控制寄存器CCTLx11.6.4 Timer_B中斷向量寄存器第12章 USART通信模塊的UART功能12.1 異步模式12.1.1 異步幀格式12.1.2 異步通信的波特率發(fā)生器12.1.3 異步通信格式12.1.4 線路空閑多機(jī)模式12.1.5 地址位多機(jī)通信格式12.2 中斷和中斷允許12.2.1 USART接收允許12.2.2 USART發(fā)送允許12.2.3 USART接收中斷操作12.2.4 USART發(fā)送中斷操作12.3 控制和狀態(tài)寄存器12.3.1 USART控制寄存器UCTL12.3.2 發(fā)送控制寄存器UTCTL12.3.3 接收控制寄存器URCTL12.3.4 波特率選擇和調(diào)整控制寄存器12.3.5 USART接收數(shù)據(jù)緩存URXBUF12.3.6 USART發(fā)送數(shù)據(jù)緩存UTXBUF12.4 UART模式，低功耗模式應(yīng)用特性12.4.1 由UART幀啟動(dòng)接收操作12.4.2 時(shí)鐘頻率的充分利用與UART的波特率12.4.3 多處理機(jī)模式對(duì)節(jié)約MSP430資源的支持12.5 波特率計(jì)算第13章 USART通信模塊的SPI功能13.1 USART同步操作13.1.1 SPI模式中的主模式13.1.2 SPI模式中的從模式13.2 中斷與控制功能 13.2.1 USART接收/發(fā)送允許位及接收操作13.2.2 USART接收/發(fā)送允許位及發(fā)送操作13.2.3 USART接收中斷操作13.2.4 USART發(fā)送中斷操作13.3 控制與狀態(tài)寄存器13.3.1 USART控制寄存器13.3.2 發(fā)送控制寄存器UTCTL13.3.3 接收控制寄存器URCTL13.3.4 波特率選擇和調(diào)制控制寄存器13.3.5 USART接收數(shù)據(jù)緩存URXBUF13.3.6 USART發(fā)送數(shù)據(jù)緩存UTXBUF第14章比較器Comparator_A14.1 概述14.2 比較器A原理14.2.1 輸入模擬開(kāi)關(guān)14.2.2 輸入多路切換14.2.3 比較器14.2.4 輸出濾波器14.2.5 參考電平發(fā)生器14.2.6 比較器A中斷電路14.3 比較器A控制寄存器14.3.1 控制寄存器CACTL114.3.2 控制寄存器CACTL214.3.3 端口禁止寄存器CAPD14.4 比較器A應(yīng)用14.4.1 模擬信號(hào)在數(shù)字端口的輸入14.4.2 比較器A測(cè)量電阻元件14.4.3 兩個(gè)獨(dú)立電阻元件的測(cè)量系統(tǒng)14.4.4 比較器A檢測(cè)電流或電壓14.4.5 比較器A測(cè)量電流或電壓14.4.6 測(cè)量比較器A的偏壓14.4.7 比較器A的偏壓補(bǔ)償14.4.8 增加比較器A的回差第15章模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC1215.1 概述15.2 ADC12的工作原理及操作15.2.1 ADC內(nèi)核15.2.2 參考電平15.3 模擬輸入與多路切換15.3.1 模擬多路切換15.3.2 輸入信號(hào)15.3.3 熱敏二極管的使用15.4 轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)15.5 轉(zhuǎn)換模式15.5.1 單通道單次轉(zhuǎn)換模式15.5.2 序列通道單次轉(zhuǎn)換模式15.5.3 單通道重復(fù)轉(zhuǎn)換模式15.5.4 序列通道重復(fù)轉(zhuǎn)換模式15.5.5 轉(zhuǎn)換模式之間的切換15.5.6 低功耗15.6 轉(zhuǎn)換時(shí)鐘與轉(zhuǎn)換速度15.7 采樣15.7.1 采樣操作15.7.2 采樣信號(hào)輸入選擇15.7.3 采樣模式15.7.4 MSC位的使用15.7.5 采樣時(shí)序15.8 ADC12控制寄存器15.8.1 控制寄存器ADC12CTL0和ADC12CTL115.8.2 轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)寄存器ADC12MEMx15.8.3 控制寄存器ADC12MCTLx15.8.4 中斷標(biāo)志寄存器ADC12IFG.x和中斷允許寄存器ADC12IEN.x15.8.5 中斷向量寄存器ADC12IV15.9 ADC12接地與降噪第16章 FLASH型芯片的開(kāi)發(fā)16.1 開(kāi)發(fā)系統(tǒng)概述16.1.1 開(kāi)發(fā)技術(shù)16.1.2 MSP430系列的開(kāi)發(fā)16.1.3 MSP430F系列的開(kāi)發(fā)16.2 FLASH型的FET開(kāi)發(fā)方法16.2.1 MSP430芯片的JTAG接口16.2.2 FLASH型仿真工具16.3 FLASH型的BOOT ROM16.3.1 標(biāo)準(zhǔn)復(fù)位過(guò)程和進(jìn)入BSL過(guò)程16.3.2 BSL的UART協(xié)議16.3.3 數(shù)據(jù)格式16.3.4 退出BSL16.3.5 保護(hù)口令16.3.6 BSL的內(nèi)部設(shè)置和資源附錄A 尋址空間附錄B 指令說(shuō)明B.1 指令匯總B.2 指令格式B.3 不增加ROM開(kāi)銷的模擬指令B.4 指令說(shuō)明（字母順序）B.5 用幾條指令模擬的宏指令附錄C MSP430系列單片機(jī)參數(shù)表附錄D MSP430系列單片機(jī)封裝形式附錄E MSP430系列器件命名

標(biāo)簽： flash MSP 430 超低功耗

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電磁表面<b>缺陷檢測(cè)</b>

小型DFN封裝的電子電路斷路器免除了檢測(cè)電阻器

基于MATLAB的B樣條小波程序的實(shí)現(xiàn)

剖析Intel IA32 架構(gòu)下C 語(yǔ)言及CPU 浮點(diǎn)數(shù)機(jī)制 Version 0.01 哈爾濱工業(yè)大學(xué) 謝煜波（email: xieyubo@126.com 網(wǎng)址:http://purec.b

問(wèn)題描述序列Z=<B

1.推動(dòng)教育學(xué)發(fā)展的內(nèi)在動(dòng)力是( D)的發(fā)展。A.教育規(guī)律 B.教育價(jià)值 C.教育現(xiàn)象 D.教育問(wèn)題 2.提出“泛智”教育思想

pcf project dds sdfsd sdcsc sdcsc sdxcs gh fgb dfv fdgbvfg b fg fb fgbv gbfbf s bgtb fgbfv b fbv

抗干擾高穩(wěn)定性：VK2C23A/B I2C接口LCD控制顯示段碼屏驅(qū)動(dòng)IC

紅外熱成像技術(shù)在亞平面缺陷檢測(cè)中的應(yīng)用

高速電路設(shè)計(jì) 詳細(xì)基礎(chǔ)理論知識(shí)

MSP430系列flash型超低功耗16位單片機(jī)