隨著電信業(yè)的迅猛發(fā)展，電信網(wǎng)絡(luò)總體規(guī)模不斷擴(kuò)大，網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)日益復(fù)雜先進(jìn)。作為通訊支撐系統(tǒng)的通訊用基礎(chǔ)電源系統(tǒng)，市場(chǎng)需求逐年增加，其動(dòng)力之源的重要性也日益突出。龐大的電信網(wǎng)絡(luò)高效、安全、有序的正常運(yùn)行，對(duì)通信電源系統(tǒng)的品質(zhì)提出了越來(lái)越嚴(yán)格的要求，推動(dòng)了通信電源向著高效率、高頻化、模塊化、數(shù)字化方向發(fā)展。 本文在廣泛了解通信電源的行業(yè)現(xiàn)狀和研究熱點(diǎn)的基礎(chǔ)上，深入研究了開(kāi)關(guān)電源的基本原理及相關(guān)技術(shù)，重點(diǎn)分析了開(kāi)關(guān)電源功率因數(shù)技術(shù)及移相全橋軟開(kāi)關(guān)PWM技術(shù)的基本原理，并在這基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了一款通信機(jī)房常用的48V/25A的通信電源模塊，該電源模塊由功率因數(shù)校正和DC/DC變換兩級(jí)電路組成，采用了一些最新的技術(shù)來(lái)提高電源的性能。例如，在電路拓?fù)渲幸胲涢_(kāi)關(guān)技術(shù)，通過(guò)采用移相全橋軟開(kāi)關(guān)PWM變換器實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)管的零電壓開(kāi)通，減小功率器件損耗，提高電源效率；采用高性能的DSP芯片對(duì)電源實(shí)現(xiàn)數(shù)字PWM控制，克服了一般單芯片控制器由于運(yùn)行頻率有限，無(wú)法產(chǎn)生足夠高頻率和精度的PWM輸出及無(wú)法完成單周期控制的缺陷；引入了智能控制技術(shù)，以模糊自適應(yīng)PID控制算法取代傳統(tǒng)的PID算法，提高了開(kāi)關(guān)電源的動(dòng)態(tài)性能。 整篇論文以電源設(shè)計(jì)為主線，在詳細(xì)分析電路原理的基礎(chǔ)上，進(jìn)行系統(tǒng)的主電路參數(shù)設(shè)計(jì)、輔助電路設(shè)計(jì)、控制回路設(shè)計(jì)、仿真研究、軟件實(shí)現(xiàn)。
上傳時(shí)間： 2013-05-26
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本課題為電流型高電壓隔離電源，它是基于交流電流母線的分布式系統(tǒng)，能夠整定短路電流，適應(yīng)高電壓工作環(huán)境的隔離電源。本論文介紹了該課題的應(yīng)用場(chǎng)合，簡(jiǎn)要介紹了分布式系統(tǒng)的種類及各自優(yōu)勢(shì)，以及已有的電流型副邊穩(wěn)壓電路相關(guān)的研究成果，并在此基礎(chǔ)上提出了本課題的研究目標(biāo)。 本篇論文主要針對(duì)課題方案的三個(gè)方面進(jìn)行論述，分別闡述如下： 一，母線電流產(chǎn)生系統(tǒng)與電流型副邊開(kāi)關(guān)電路的匹配問(wèn)題，包括各部分電路的功能介紹、電流型副邊開(kāi)關(guān)電路的小信號(hào)等效電路的建模、高電壓隔離變壓器及磁元件的選擇； 二，模塊體積小型化有利于高壓部件的設(shè)計(jì)安裝和EMS防護(hù)。為了省去體積較大的輔助電源部分，本課題采用了副邊電路自供電的方式。在低壓自供電方式下，利用比較器、TLA31等器件產(chǎn)生多路同步三角波以及開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)PWM脈沖。對(duì)自供電方式下的三角波振蕩器進(jìn)行比較，并對(duì)三角波振蕩器電路模塊進(jìn)行了建模以及系統(tǒng)反饋補(bǔ)償； 三，在本方案中實(shí)現(xiàn)了電流源拓?fù)涞耐秸骷夹g(shù)，利用PMOS管替代續(xù)流二極管，減小了電路的損耗、散熱器的使用以及模塊的體積。 本篇論文對(duì)本課題設(shè)計(jì)的核心部分進(jìn)行了比較詳細(xì)的介紹和分析，具體的參數(shù)計(jì)算方法也一一列出。最終，論文以研究目標(biāo)為方向，通過(guò)一系列的改進(jìn)措施，基本實(shí)現(xiàn)了課題要求。
標(biāo)簽： 電流型 高電壓 隔離開(kāi)關(guān)
上傳時(shí)間： 2013-06-24
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隨著電力電子技術(shù)的迅速發(fā)展，雙向DC/DC變換器的應(yīng)用日益廣泛。尤其是軟開(kāi)關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)，使雙向DC/DC變換器不斷朝著高效化、小型化、高頻化和高性能化的方向發(fā)展，軟開(kāi)關(guān)技術(shù)的應(yīng)用可以降低雙向DC/DC變換器的開(kāi)關(guān)損耗，提高變換器的工作效率，為變換器的高頻化提供可能性，從而減小變換器的體積，提高變換器的動(dòng)態(tài)性能。雙向DC/DC變換器在直流不停電電源系統(tǒng)、航空電源系統(tǒng)、電動(dòng)汽車等車載電源系統(tǒng)、直流功率放大器以及蓄電池儲(chǔ)能等場(chǎng)合都得到了廣泛的應(yīng)用。 本論文首先在研究硬開(kāi)關(guān)的缺陷上，提出軟開(kāi)關(guān)技術(shù)；然后在研究雙向DC/DC變換器的基本工作原理的基礎(chǔ)上，對(duì)雙向DC/DC變換器的應(yīng)用及軟開(kāi)關(guān)雙向DC/DC變換器的幾種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)一步闡述；把軟開(kāi)關(guān)技術(shù)和雙向DC/DC變換器技術(shù)有機(jī)地結(jié)合在一起，提出一種新型的雙向DC/DC變換器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。該雙向DC/DC變換器的降壓變換電路采用移相控制ZVSPWMDC/DC變換器；升壓變換電路采用Boost升壓和推挽式升壓兩種變換器相結(jié)合的兩級(jí)升壓的新型變換器。 在分別對(duì)移相控制ZVSPWMDC/DC變換器和Boost推挽式DC/DC變換器的工作原理進(jìn)行分析研究的基礎(chǔ)上，使用PSpice9.2計(jì)算機(jī)仿真軟件對(duì)變換器的主電路進(jìn)行仿真和分析，驗(yàn)證該新型雙向DC/DC變換器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的正確性和可行性。
標(biāo)簽： DCDC PWM 軟開(kāi)關(guān)
上傳時(shí)間： 2013-04-24
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在功率電路中，電壓的檢測(cè)相對(duì)于電流的檢測(cè)要簡(jiǎn)單和容易得多。電壓的檢測(cè)可以很方便地進(jìn)行而不會(huì)對(duì)電路性能產(chǎn)生明顯影響；而對(duì)電流的檢測(cè)卻要復(fù)雜得多，電流的檢測(cè)必須引入測(cè)量電流的檢測(cè)器，檢測(cè)器的引入將影響電路的性能。根據(jù)具體的電路，選擇合適的電流檢測(cè)方案，并進(jìn)行正確的電路設(shè)計(jì)，是功率電路設(shè)計(jì)成敗的關(guān)鍵之一。 在開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中，電流檢測(cè)技術(shù)起著至關(guān)重要的作用，是開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)成功與否的關(guān)鍵因素。本文首先詳細(xì)分析和比較了目前開(kāi)關(guān)電源中常用的電阻檢測(cè)、磁檢測(cè)、MOSFET檢測(cè)等幾種電流檢測(cè)方法。并根據(jù)各自的特點(diǎn)，將各種技術(shù)加以區(qū)別，為各種開(kāi)關(guān)電源選擇合適的檢測(cè)技術(shù)指明了方向。在此基礎(chǔ)上，本文提出了兩種適用于電流型控制開(kāi)關(guān)電源的新型電流檢測(cè)電路。該電路結(jié)合了場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通電阻特性和電流鏡像原理，能即時(shí)、快速地檢測(cè)流過(guò)功率開(kāi)關(guān)管的電流，以有效地進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制和過(guò)流保護(hù)。論文最后還介紹了一種無(wú)檢測(cè)電路的控制，并提出了一種分析無(wú)電流傳感器控制斜坡補(bǔ)償?shù)姆治龇椒?，從理論上證實(shí)了電流型控制斜坡補(bǔ)償?shù)囊饬x。
標(biāo)簽： 開(kāi)關(guān)電源 電流檢測(cè) 技術(shù)研究
上傳時(shí)間： 2013-06-07
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有機(jī)發(fā)光顯示器件(OrganicLight-EmittingDiodes，OLEDs)作為下一代顯示器倍受關(guān)注，它具有輕、薄、高亮度、快速響應(yīng)、高清晰度、低電壓、高效率和低成本等優(yōu)點(diǎn)，完全可以媲美CRT、LCD、LED等顯示器件。作為全固化顯示器件，OLED的最大優(yōu)越性是能夠與塑料晶體管技術(shù)相結(jié)合實(shí)現(xiàn)柔性顯示，應(yīng)用前景非常誘人。OLED如此眾多的優(yōu)點(diǎn)和廣闊的商業(yè)前景，吸引了全球眾多研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)參與其研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。然而，OLED也存在一些問(wèn)題，特別是在發(fā)光機(jī)理、穩(wěn)定性和壽命等方面還需要進(jìn)一步的研究。要達(dá)到這些目標(biāo)，除了器件的材料，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)外，封裝也十分重要。 本論文的主要工作是利用現(xiàn)有的材料，從綠光OLED器件制作工藝、發(fā)光機(jī)理，結(jié)構(gòu)和封裝入手，首先，探討了作為陽(yáng)極的ITO玻璃表面處理工藝和ITO玻璃的光刻工藝。ITO表面的清潔程度嚴(yán)重影響著光刻質(zhì)量和器件的最終性能；ITO表面經(jīng)過(guò)氧等離子處理后其表面功函數(shù)增大，明顯提高了器件的發(fā)光亮度和發(fā)光效率。 其次，針對(duì)光刻、曝光工藝技術(shù)進(jìn)行了一系列相關(guān)實(shí)驗(yàn)，在光刻工藝中，光刻膠的厚度是影響光刻質(zhì)量的一個(gè)重要因素，其厚度在1.2μm左右時(shí)，光刻效果理想。研究了OLED器件陰極隔離柱成像過(guò)程中的曝光工藝，摸索出了最佳工藝參數(shù)。 然后采用以C545T作為綠光摻雜材料制作器件結(jié)構(gòu)為ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm)：C545T(2.1％摻雜比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的綠光OLED器件。最后基于以上器件采用了兩種封裝工藝，實(shí)驗(yàn)一中，在封裝玻璃的四周涂上UV膠，放入手套箱，在氮?dú)獗Ｗo(hù)氣氛下用紫外冷光源照射1min進(jìn)行一次封裝，然后取出OLED片，在ITO玻璃和封裝玻璃接口處涂上UV膠，真空下用紫外冷光源照射1min，固化進(jìn)行二次封裝。實(shí)驗(yàn)二中，在各功能層蒸鍍完成后，又在陰極的外面蒸鍍了一層薄膜封裝層，然后再按實(shí)驗(yàn)一的方法進(jìn)行封裝。薄膜封裝層的材料分別為硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)。分別對(duì)兩種封裝工藝器件的電流-電壓特性、亮度-電壓特性、發(fā)光光譜及壽命等特性進(jìn)行了測(cè)試與討論。通過(guò)對(duì)比，研究發(fā)現(xiàn)增加薄膜封裝層器件的壽命比未加薄膜封裝層器件壽命都有所延長(zhǎng)，其中，Se薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長(zhǎng)了1.4倍，Te薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長(zhǎng)了兩倍多，Sb薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長(zhǎng)了1.3倍，研究還發(fā)現(xiàn)薄膜封裝層基本不影響器件的電流-電壓特性、色坐標(biāo)等光電性能。最后，分別對(duì)三種薄膜封裝層材料硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)進(jìn)行了研究。
上傳時(shí)間： 2013-07-11
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本文從感應(yīng)加熱基本原理出發(fā)，概述了感應(yīng)加熱技術(shù)的現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)，在分析串聯(lián)諧振逆變器各種功率控制策略原理及優(yōu)缺點(diǎn)的基礎(chǔ)上，對(duì)于移相調(diào)功輕載時(shí)的缺陷，本文將有限雙極性PWM法引入逆變器輕載時(shí)的輸出控制，通過(guò)DPLL鎖相，使滯后橋臂的電壓與電流始終保持一定的相位，同時(shí)結(jié)合非輕載時(shí)移相功率調(diào)節(jié)良好的特性，提出了一種基于DSP的新型功率控制策略，克服了傳統(tǒng)移相全橋的缺點(diǎn)，使得高頻逆變電源在輕載條件下仍能實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)關(guān)，且輕載時(shí)電流連續(xù)調(diào)節(jié)范圍廣，三角畸變程度輕于PSPWM，大幅度的擴(kuò)大了負(fù)載的適用范圍，提高了電源整機(jī)效率。 在對(duì)新型PWM功率控制串聯(lián)諧振逆變器工作過(guò)程進(jìn)行分析的基礎(chǔ)上，解決了所有開(kāi)關(guān)管的軟開(kāi)關(guān)問(wèn)題；并通過(guò)分析功率輸出單元的輸出電壓、電流、功率等，進(jìn)而得到一個(gè)脈沖周期的輸出電壓、電流及功率的計(jì)算式。在這些理論分析的基礎(chǔ)上，本文設(shè)計(jì)了基于新型PWM功率控制策略的感應(yīng)加熱電源實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)，對(duì)主電路各元器件進(jìn)行了精確計(jì)算與設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)了以TMS320LF2407A為核心的控制與保護(hù)電路，并對(duì)DSP外圍電路進(jìn)行設(shè)計(jì)，同時(shí)編寫(xiě)了基于新型PWM功率控制策略，以數(shù)字環(huán)相環(huán)及功率控制算法為核心的DSP程序，相關(guān)的仿真與實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)得到的輸出波形很好的驗(yàn)證了新型PWM控制策略的可行性。
上傳時(shí)間： 2013-04-24
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隨著計(jì)算機(jī)及其外圍設(shè)備的發(fā)展，傳統(tǒng)的并行接口和串行接口在靈活性和接口擴(kuò)展等方面存在的缺陷愈來(lái)愈不可回避，并逐漸成為計(jì)算機(jī)通信的瓶頸。在這種情況下，通用串行總線(Universal Serial Bus，USB)誕生了。USB由于具有傳輸速率高、價(jià)格便宜、使用方便、靈活性高、支持熱插拔、接口標(biāo)準(zhǔn)化和易于擴(kuò)展等優(yōu)點(diǎn)，目前已經(jīng)成為計(jì)算機(jī)外設(shè)接口的主流技術(shù)，在計(jì)算機(jī)外圍設(shè)備和消費(fèi)類電子領(lǐng)域正獲得越來(lái)越多的應(yīng)用。 @@ 本文基于USB2．0協(xié)議規(guī)范，設(shè)計(jì)了一款支持高速和全速傳輸?shù)腢SB2．0設(shè)備控制器IP核。文中著重介紹了這款設(shè)備控制器IP核的設(shè)計(jì)和FPGA驗(yàn)證工作，詳細(xì)研究并分析了USB2．0規(guī)范，根據(jù)規(guī)范提出了一種USB2．0設(shè)備控制器整體構(gòu)架方案，描述了各個(gè)功能子模塊硬件電路的功能及實(shí)現(xiàn)。從可重用的角度出發(fā)，對(duì)設(shè)備控制器模塊進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，增加多個(gè)靈活的配置選項(xiàng)，根據(jù)不同的應(yīng)用對(duì)硬件進(jìn)行配置，使其在滿足要求的情況下去除冗余電路，以減少占用面積和功耗，從而使其靈活地應(yīng)用于各種USB系統(tǒng)。本文還研究了IP核的驗(yàn)證方法，并對(duì)所設(shè)計(jì)的USB2．0設(shè)備控制器建立了功能完備的ModelSim仿真驗(yàn)證環(huán)境，搭建了FPGA硬件驗(yàn)證平臺(tái)，設(shè)計(jì)了具有AHB接口的設(shè)備控制器和帶有8051的設(shè)備控制器，并分別在FPGA平臺(tái)上進(jìn)行了功能驗(yàn)證。 @@ 本文所設(shè)計(jì)的USB2．0設(shè)備控制器IP核可配置性高，使用者可以自由配置所需端點(diǎn)的個(gè)數(shù)以及每個(gè)端點(diǎn)類型等，可以集成于多種USB系統(tǒng)中，適于各類USB設(shè)備的開(kāi)發(fā)。本課題所取得的成果為USB2．0設(shè)備類的研究和開(kāi)發(fā)積累了經(jīng)驗(yàn)，并為后來(lái)實(shí)驗(yàn)室某項(xiàng)目測(cè)試芯片的USB數(shù)據(jù)采集提供了參考方案，也為未來(lái)USB3．0接口IP核的開(kāi)發(fā)和應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。 @@關(guān)鍵詞USB2．0控制器；IP核；FPGA；驗(yàn)證
上傳時(shí)間： 2013-06-30
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激光打標(biāo)是指利用高能量密度的激光束在物件表面作永久性標(biāo)刻。激光打標(biāo)以其“打標(biāo)速度快、性能穩(wěn)定、打標(biāo)質(zhì)量好”等優(yōu)勢(shì)，獲得了日益廣泛的應(yīng)用。傳統(tǒng)的激光打標(biāo)系統(tǒng)一般是基于ISA總線或PCI總線的，運(yùn)動(dòng)控制卡必須插在計(jì)算機(jī)的PCI插槽內(nèi)，且不支持熱捅拔，影響了控制卡的穩(wěn)定性；以單片機(jī)為主控制器的激光打標(biāo)控制卡雖然成本低、運(yùn)行可靠，但由于其運(yùn)算速度慢、存儲(chǔ)容量有限，限制了它的應(yīng)用范圍。 運(yùn)動(dòng)控制卡是激光打標(biāo)系統(tǒng)的核心組成部分。本文設(shè)計(jì)了一種新型的基于USB總線，以FPGA為主控單元的振鏡掃描式激光打標(biāo)控制卡，它利用了USB總線高速、穩(wěn)定、易用和FPGA資源豐富、處理能力強(qiáng)、易擴(kuò)展等優(yōu)點(diǎn)，將PC機(jī)強(qiáng)大的信息處理能力與運(yùn)動(dòng)控制卡的運(yùn)動(dòng)控制能力相結(jié)合，具有信息處理能力強(qiáng)、開(kāi)放程度高、使用方便的特點(diǎn)。 本文首先介紹了激光打標(biāo)的原理，激光打標(biāo)技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀以及激光打標(biāo)系統(tǒng)的組成結(jié)構(gòu)。在對(duì)USB總線技術(shù)作了簡(jiǎn)要介紹后，詳細(xì)討論了激光打標(biāo)控制卡的硬件電路設(shè)計(jì)，包括USB接口電路，F(xiàn)PGA主控單元電路，D/A單元電路，存儲(chǔ)器電路，I/O接口電路等。接著對(duì)USB接口單元的固件程序和FPGA中USB接口功能模塊、D/A寫(xiě)控制功能模塊和SRAM讀寫(xiě)控制功能模塊的程序做了詳細(xì)設(shè)計(jì)，通過(guò)軟硬件調(diào)試，控制卡實(shí)現(xiàn)了USB通信，輸出兩路模擬信號(hào)，SRAM數(shù)據(jù)讀寫(xiě)，數(shù)字量輸入輸出等功能。
標(biāo)簽： FPGA USB 激光打標(biāo)
上傳時(shí)間： 2013-04-24
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近年來(lái)，大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備主要是機(jī)械硬盤(pán)，機(jī)械硬盤(pán)采用機(jī)械馬達(dá)和磁片作為載體，存在抗震性能低、高功耗和速度提升難度大等缺點(diǎn)。固態(tài)硬盤(pán)是以半導(dǎo)體作為存儲(chǔ)介質(zhì)及控制載體，無(wú)機(jī)械裝置，具有抗震、寬溫、無(wú)噪、可靠和節(jié)能等特點(diǎn)，是目前存儲(chǔ)領(lǐng)域所存在問(wèn)題的解決方案之一。本文針對(duì)這一問(wèn)題，設(shè)計(jì)基于FPGA的固態(tài)硬盤(pán)控制器，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的固態(tài)存儲(chǔ)。 文章首先介紹硬盤(pán)技術(shù)的發(fā)展，分析固態(tài)硬盤(pán)的技術(shù)現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)，闡述課題研究意義，并概述了本文研究的主要內(nèi)容及所做的工作。然后從分析固態(tài)硬盤(pán)控制器的關(guān)鍵技術(shù)入手，研究了SATA接口協(xié)議和NANDFLASH芯片特性。整體設(shè)計(jì)采用SOPC架構(gòu)，所有功能由單片F(xiàn)PGA完成。移植MicroBlaze嵌入式處理器軟核作為主控制器，利用Verilog HDL語(yǔ)言描述IP核形式設(shè)計(jì)SATA控制器核和NAND FLASH控制器核。SATA控制器核作為高速串行傳輸接口，實(shí)現(xiàn)SATA1.0協(xié)議，根據(jù)協(xié)議劃分四層模型，通過(guò)狀態(tài)機(jī)和邏輯電路實(shí)現(xiàn)協(xié)議功能。NAND FLASH控制器核管理NANDFLASH芯片陣列，將NAND FLASH接口轉(zhuǎn)換成通用的SRAM接口，提高訪問(wèn)效率。控制器完成NAND FLASH存儲(chǔ)管理和糾錯(cuò)算法，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)和讀取。最后完成固態(tài)硬盤(pán)控制器的模塊測(cè)試和整體測(cè)試，介紹了測(cè)試方法、測(cè)試工具和測(cè)試流程，給出測(cè)試數(shù)據(jù)和結(jié)果分析，得出了驗(yàn)證結(jié)論。 本文設(shè)計(jì)的固態(tài)硬盤(pán)控制器，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單和穩(wěn)定性高的特點(diǎn)，易于升級(jí)和二次開(kāi)發(fā)，是實(shí)現(xiàn)固態(tài)硬盤(pán)和固態(tài)存儲(chǔ)系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)。
標(biāo)簽： FPGA 固態(tài)硬盤(pán) 制器設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-05-28
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并行總線PATA從設(shè)計(jì)至今已快20年歷史，如今它的缺陷已經(jīng)嚴(yán)重阻礙了系統(tǒng)性能的進(jìn)一步提高，已被串行ATA(Serial ATA)即SATA總線所取代。SATA作為新一代磁盤(pán)接口總線，采用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)方式進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，內(nèi)置數(shù)據(jù)/命令校驗(yàn)單元，支持熱插拔，具有150MB/s(SATA1.0)或300MB/s(SATA2.0)的傳輸速度。目前SATA已在存儲(chǔ)領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，但國(guó)內(nèi)尚無(wú)獨(dú)立研發(fā)的面向FPGA的SATAIP CORE，在這樣的條件下設(shè)計(jì)面向FPGA應(yīng)用的SATA IP CORE具有重要的意義。 本論文對(duì)協(xié)議進(jìn)行了詳細(xì)的分析，建立了SATA IP CORE的層次結(jié)構(gòu)，將設(shè)備端SATA IP CORE劃分成應(yīng)用層、傳輸層、鏈路層和物理層；介紹了實(shí)現(xiàn)該IPCORE所選擇的開(kāi)發(fā)工具、開(kāi)發(fā)語(yǔ)言和所選用的芯片；在此基礎(chǔ)上著重闡述協(xié)議IP CORE的設(shè)計(jì)，并對(duì)各個(gè)部分的設(shè)計(jì)予以分別闡述，并編碼實(shí)現(xiàn)；最后進(jìn)行綜合和測(cè)試。 采用FPGA集成硬核RocketIo MGT(RocketIo Multi-Gigabit Transceiver)實(shí)現(xiàn)了1.5Gbps的串行傳輸鏈路；設(shè)計(jì)滿足協(xié)議需求、適合FPGA設(shè)計(jì)的并行結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了多狀態(tài)機(jī)的協(xié)同工作：在高速設(shè)計(jì)中，使用了流水線方法進(jìn)行并行設(shè)計(jì)，以提高速度，考慮到系統(tǒng)不同部分復(fù)雜度的不同，設(shè)計(jì)采用部分流水線結(jié)構(gòu)；采用在線邏輯分析儀Chipscope pro與SATA總線分析儀進(jìn)行片上調(diào)試與測(cè)試，使得調(diào)試工作方便快捷、測(cè)試數(shù)據(jù)準(zhǔn)確；嚴(yán)格按照SATA1.0a協(xié)議實(shí)現(xiàn)了SATA設(shè)備端IP CORE的設(shè)計(jì)。 最終測(cè)試數(shù)據(jù)表明，本論文設(shè)計(jì)的基于FPGA的SATA IP CORE滿足協(xié)議需求。設(shè)計(jì)中的SATA IP CORE具有使用方便、集成度高、成本低等優(yōu)點(diǎn)，在固態(tài)電子硬盤(pán)SSD(Solid-State Disk)開(kāi)發(fā)中應(yīng)用本設(shè)計(jì)，將使開(kāi)發(fā)變得方便快捷，更能夠適應(yīng)市場(chǎng)需求。
上傳時(shí)間： 2013-06-21
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