“電路計算器”是工程師的離線電子設計工具。本軟件適用于Android平臺具有便利性，可見性以及在最短時間內找到最佳解決方案的能力。超過130個模擬電路拓撲，超過40個電子計算器，超過20個應用筆記，邏輯求解器。特征：*電流源和接收器。*低通，高通，帶通，帶阻濾波器。*數學運算。*電源電路。*開關電源模塊。*控制回路補償。
上傳時間： 2021-12-19
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臺灣數能NU510ES是 一款低壓線性恒流驅動芯片，高達30V耐壓，高精度恒流，低壓差，功率電流可外掛電阻任意調節電流至最大350mA,NU510恒流芯片主要應用場景如下： 一般 LED 照明 LCD 背光 商業照明 燈條、燈帶 RGB 裝飾燈 LED 手電筒 RGB 顯示器/指示燈/裝飾燈 LED車燈照明/轉向流星燈備註：雙色溫調光調色主要是通過改變 C1、C2 容量的大小，造成 VDD 的上電時間延時不同。多顆電容順序增大，就能產流量燈效果。 NU510提供SOT23-6封裝、SOP-8封裝兩種形式，用戶可以根據實際情況靈活選用，通常150mA 以下采用SOT23-6封裝，150-350mA采用SOP-8封裝。
上傳時間： 2022-01-07
上傳用戶：shjgzh
讓人魂牽夢繞的東西，都具備三個特點：有難度、能實現、你喜歡。下棋、足球、打游戲……追你心儀的對象，但凡你能說得出來的，基本都如此。 趁著年輕，為自己找個興趣所在吧，最好，它還能養家糊口。 放大器，就具備前兩個特點。這本書，只想讓你喜歡它。 …… 而現在，你拿起這本書的時候，可能是種類繁多、秉性迥異，但青春健 朗、招人憐愛的放大器，第一次，如此端莊地站在你的面前，笑容可掬。 好吧……很高興認識你。 你好，放大器。 運算放大器 運算放大器又稱運放，其實就是一個差分輸入、多級、直接耦合、高增益放大電路 （通常大于 10000 倍），用集成電路工藝生產在一個單芯片集成電路中。它有兩個差分輸入 端，一個或者兩個輸出端，兩個供電電源端 全差分運放的誕生 后來，在這種標準運放的基礎上，科學家又研制了另外一種運放，稱為全差分運放， 它有差分輸入腳 IN+和 IN-，差分輸出腳 OUT+和 OUT-，除此之外還有一個輸入腳，稱之 為 VOCM。 功能放大器 如果某個以運放為核心的放大電路，非常常用，生產廠家就會考慮把這個放大電路 （包括運放和外圍電阻）進一步集成，提供給用戶。這就是功能放大器。 儀表放大器 高阻差分輸入，輸出有單端的，也有差分的，增益一般可以用一個外部電阻，由用戶 選擇設定。常用于儀器儀表的最前端，和傳感器直接接觸。 ……
標簽： 放大器
上傳時間： 2022-02-15
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硬件工程師 電子工程師必備知識手冊關鍵字： 電阻 基礎知識 線繞電阻器 薄膜電阻器 實心電阻器 電阻 導電體對電流的阻礙作用稱著電阻，用符號 R 表示，單位為歐姆、千歐、兆歐， 分別用Ω、kΩ、MΩ 表示。 一、電阻的型號命名方法： 國產電阻器的型號由四部分組成（不適用敏感電阻） 第一部分：主稱 ，用字母表示，表示產品的名字。如 R 表示電阻，W 表示電位 器。 第二部分：材料 ，用字母表示，表示電阻體用什么材料組成，T-碳膜、H-合成 碳膜、S-有機實心、N-無機實心、J-金屬膜、Y-氮化膜、C-沉積膜、I-玻璃釉膜、 X-線繞。 第三部分：分類，一般用數字表示，個別類型用字母表示，表示產品屬于什么類 型。1-普通、2-普通、3-超高頻 、4-高阻、5-高溫、6- 精密、7-精密、8-高壓、 9-特殊、G-高功率、T-可調。 第四部分：序號，用數字表示，表示同類產品中不同品種，以
上傳時間： 2022-02-17
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隨著光通信的蓬勃發展，光纖通信技術廣泛應用于電信、電力、廣播等領域，對整個信息產業產生了深遠影響，光纖已成為當前最有前景的傳輸媒介。與此同時，光纖測試技術在光纖生產、現場鋪設與后期維護等工程領域中得到廣泛應用。光時域反射儀（Optical Time Domain Reflectometer），又稱背向散射儀，是一種用于表征光纖鏈路物理特性的精密光學測試儀器，主要用于測試光纖鏈路長度，精確定位斷點事件，計算光纖損耗，并提供與長度有關的衰減細節。光纖鏈路中待測光纖的測量長度范圍和測量精度，取決于OTDR的激光出纖功率和光脈寬。因此，需要設計合適的激光脈沖驅動電源及配套的控制和探測系統，研究激光出纖功率和脈寬對測量長度和測量精度的影響，從而獲得能滿足不同光纖鏈路測量需求的OTDR系統解決方案。文章在具體描述了光時域反射儀的工作機理以及影響其主要性能的關鍵參數的基礎上，提出以設計能提供大功率、窄脈沖電流信號的激光驅動電源作為提高OTDR性能的主要手段。在掌握半導體激光驅動原理的基礎上，經過細致地比較與方案論證提出以 MOSFET作為激光脈沖驅動電源的開關器件，以能量儲存法作為窄脈沖產生機制的脈沖電源設計方案，設計實現基于FPGA的觸發脈沖信號，并通過 Multisim對系統硬件電路仿真優化，實現激光脈沖驅動大功率、窄脈寬輸出。以雪崩二極管作為光電探測系統關鍵響應轉換器件驗證驅動電源性能，并完成光纖測距。最終成功研制出一套基于納秒脈沖激光和對應光電探測系統的OTDR系統，并進行了實際測試測試和研究結果顯示：所研制的脈沖激光電源能輸出的最小脈寬為33n，最小輸出峰值電流為1A，且峰值電流及頻率大小可調。大電流窄脈寬驅動電源信號輸出可極大地增強光時域反射儀的動態范圍以及分辨率，探測器分時調控測量技術可以極大地提高系統的測量精度和信噪比。
上傳時間： 2022-03-11
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電阻-電容-電感 Altium Designer AD原理圖庫元件庫CSV text has been written to file : 0.1 - 電阻-電容-電感.csvLibrary Component Count : 35Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------C 貼片電容C-MLCC 獨石電容CBB CBB電容CC 瓷片電容CE 直插電解電容CE_SMD 貼片電解電容CS 直插固態電容CS_SMD 貼片固態電容CT 貼片鉭電容CX 安規X電容CY 安規Y電容L 小功率貼片電感L-AL 色環電感L-CDRH 功率屏蔽電感L-MR 功率磁環電感L-NR NR磁膠電感L-PK 工字電感L-SMD CD系列貼片線繞功率電感L-UU 共模電感PTR902 雙聯電位器帶開關R 貼片電阻R SIP9 9腳直插排阻R-8P4R 貼片排阻R-I 電流檢測電阻R-Precision 精密貼片電阻R-S 色環電阻RG 光敏電阻RK0971221 雙聯電位器帶開關RP 單聯電位器RP-SMD 貼片電位器RP-WH148 雙聯電位器RT 熱敏電阻R_MPR 5W無感水泥電阻R_VSR 壓敏電阻TMR 隧道磁電阻
標簽： 電阻元件 altium designer
上傳時間： 2022-03-13
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半導體物理學 劉恩科 第六版本書較全面地論述了半導體物理的基礎知識。全書共13章，主要內容為：半導體的晶格結構和電子狀態；雜質和缺陷能級；載流子的統計分布；載流子的散射及電導問題；非平衡載流子的產生、復合及其運動規律；pn結；金屬和半導體的接觸；半導體表面及MIS結構；半導體異質結構；半導體的光、熱、磁、壓阻等物理現象和非晶態半導體。本書可作為工科電子信息類微電子技術、半導體器件專業學生的教材，也可供從事相關專業的科技人員參考叢編項：普通高等教育"十一五"國家級規劃教材
標簽： 半導體物理學
上傳時間： 2022-03-19
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目前cPU+ Memory等系統集成的多芯片系統級封裝已經成為3DSiP（3 Dimension System in Package，三維系統級封裝）的主流，非常具有代表性和市場前景，SiP作為將不同種類的元件，通過不同技術，混載于同一封裝內的一種系統集成封裝形式，不僅可搭載不同類型的芯片，還可以實現系統的功能。然而，其封裝具有更高密度和更大的發熱密度和熱阻，對封裝技術具有更大的挑戰。因此，對SiP封裝的工藝流程和SiP封裝中的濕熱分布及它們對可靠性影響的研究有著十分重要的意義本課題是在數字電視（DTV）接收端子系統模塊設計的基礎上對CPU和DDR芯片進行芯片堆疊的SiP封裝。封裝形式選擇了適用于小型化的BGA封裝，結構上采用CPU和DDR兩芯片堆疊的3D結構，以引線鍵合的方式為互連，實現小型化系統級封裝。本文研究該SP封裝中芯片粘貼工藝及其可靠性，利用不導電膠將CPU和DDR芯片進行了堆疊貼片，分析總結了SiP封裝堆疊貼片工藝最為關鍵的是涂布材料不導電膠的體積和施加在芯片上作用力大小，對制成的樣品進行了高溫高濕試驗，分析濕氣對SiP封裝的可靠性的影響。論文利用有限元軟件 Abaqus對SiP封裝進行了建模，模型包括熱應力和濕氣擴散模型。模擬分析了封裝體在溫度循環條件下，受到的應力、應變、以及可能出現的失效形式：比較了相同的熱載荷條件下，改變塑封料、粘結層的材料屬性，如楊氏模量、熱膨脹系數以及芯片、粘結層的厚度等對封裝體應力應變的影響。并對封裝進行了濕氣吸附分析，研究了SiP封裝在85℃RH85%環境下吸濕5h、17h、55和168h后的相對濕度分布情況，還對SiP封裝在濕熱環境下可能產生的可靠性問題進行了實驗研究。在經過168小時濕氣預處理后，封裝外部的基板和模塑料基本上達到飽和。模擬結果表明濕應力同樣對封裝的可靠性會產生重要影響。實驗結果也證實了，SiP封裝在濕氣環境下引入的濕應力對可靠性有著重要影響。論文還利用有限元分析方法對超薄多芯片SiP封裝進行了建模，對其在溫度循環條件下的應力、應變以及可能的失效形式進行了分析。采用二水平正交試驗設計的方法研究四層芯片、四層粘結薄膜、塑封料等9個封裝組件的厚度變化對芯片上最大應力的影響，從而找到最主要的影響因子進行優化設計，最終得到更優化的四層芯片疊層SiP封裝結構。
標簽： sip封裝
上傳時間： 2022-04-08
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宏晶 STC15F2K60S2開發板配套軟件源碼 基礎例程30例/**********************基于STC15F2K60S2系列單片機C語言編程實現使用如下頭文件，不用另外再包含"REG51.H"#include <STC15F2K60S2.h>***********************/#include "STC15F2K60S2.H"//#include "REG51.H" //sfr P4 = 0xC0;#define uint unsigned int #define uchar unsigned char /**********************引腳別名定義***********************/sbit SEL=P4^3; // LED和數碼管選擇引腳 高：LED有效 低：數碼管有效 // SEL連接的單片機引腳必須為帶有上拉電阻的引腳 或將其直接連接VCC#define data P2 // 數據輸入定義 /**********************函數名稱：Delay_1ms功能描述：延時入口參數：unsigned int t 表示要延時t個1ms 出口參數：無備注：通過參數t，控制延時的時間長短***********************/void Delay_1ms(uint t){ uchar j; for(;t>0;t--) for(j=110;j>0;j--) ;}/**********************函數名稱：Led_test功能描述：對8個二極管進行測試，依次輪流點亮8個二極管入口參數：無出口參數：無備注： ***********************/void Led_test(){ uchar G_value=0x01; // 給變量賦初值 SEL=1; //高電平LED有效 while(1) { data=G_value; Delay_1ms(10000); G_value=G_value<<1; if(G_value==0x00) { data=G_value; Delay_1ms(10000); G_value=0x01; } }}/***********************主函數************************/void main(){ ///////////////////////////////////////////////// //注意: STC15W4K32S4系列的芯片,上電后所有與PWM相關的IO口均為 // 高阻態,需將這些口設置為準雙向口或強推挽模式方可正常使用 //相關IO: P0.6/P0.7/P1.6/P1.7/P2.1/P2.2 // P2.3/P2.7/P3.7/P4.2/P4.4/P4.5 ///////////////////////////////////////////////// P4M1=0x00; P4M0=0x00; P2M0=0xff; P2M1=0x00; //將P2設為推挽 Led_test(); }
標簽： STC15F2K60S2
上傳時間： 2022-05-03
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在電子設計中一定會用到各種元器件的原理圖和封裝圖，每個人在使用過程中可以自己創建或者在網站下載或者網上購買，但是所有的封裝庫混在一起比較混亂，命名規則也五花八門。長此以往導致自己使用很麻煩，所以本人根據元器件的封裝類型，約束了封裝的命名規則，便于查找和使用。本人致力于將所有常用的元器件封裝做一套完整的封裝庫，以便于大家使用。另外對于3D封裝，一般是借用其他人的封裝庫而創建的，由于本人不是機械設計出生，部分3D封裝尺寸可能不是很正確望見諒。對于直插的排阻可以使用SIP封裝，本人會在后續的資料中上傳。電阻內容較少，不設下載積分。后續資料會需要少量積分，也是希望大家能夠喜歡并給與鼓勵。如果能打賞一二就萬分感激了。
上傳時間： 2022-05-04
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