帶有PPS電源適配器的60 W USB PD 3.0具有PowiGaN的InnoSwitch3-Pro(INN3379C-H302); MinE-CAP(MIN1072M);威盛Labs VP302控制器輸入：90 VAC – 265 VAC可變輸出：5 V / 3 A; 9 V / 3 A; 15 V / 3 A; 20 V / 3 APPS輸出：3.3 V – 21 V / 3 A
標簽： InnoSwitch3-Pro PowiGaN
上傳時間： 2022-03-24
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使用InnoSwitch3-Pro PowiGaN和MinE-CAP的3.3 W-21 V PPS電源的65 W USB PD 3.0
標簽： InnoSwitch3-Pro PowiGaN PPS電源
上傳時間： 2022-04-02
上傳用戶：kingwide
使用InnoSwitch3-CP(具有PowiGaN技術的INN3270C-H215)和HiperPFS-4的100 W USB PD Type-C充電器(5 V / 3 A; 9 V / 3 A; 15 V / 3 A; 20 V / 5 A輸出) (PFS7628C)
標簽： InnoSwitch3-CP HiperPFS-4
上傳時間： 2022-05-09
上傳用戶：XuVshu
IPC7351,SMT焊盤及阻焊設計標準，可用于SMT器件PCB封裝設計
標簽： IPC-7351 SMT焊盤 阻焊
上傳時間： 2022-05-10
上傳用戶：jason_vip1
科普知識--常用阻容元器件的選型參考，給硬件工程師提供一些經驗
標簽： 阻容元器件
上傳時間： 2022-05-27
上傳用戶：shjgzh
安裝塌所1、通凰良好少溫策及灰座之塌所。2、雜腐蝕性、引火性氛髓、油急、切削液、切前粉、戴粉等聚境。3、雜振勤的場所。4、雜水氟及踢光直射的場所。1、本距勤器探用自然封流冷御方式正隨安裝方向局垂直站立方式2、在配電箱中需考感溫升情況未連有效散熟及冷御效果需保留足豹的空固以取得充分的空氟。3、如想要使控制箱內溫度連到一致需增加凰扇等散熱毅倩。4、組裝睛廊注意避免贊孔屑及其他翼物掉落距勤器內。5、安裝睛請硫資以M5螺練固定。6、附近有振勤源時請使用振勤吸收器防振橡腥來作腐噩勤器的防振支撐。7、勤器附近有大型磁性陰嗣、熔接樓等雄部干援源睛，容易使距勤器受外界干攝造成誤勤作，此時需加裝雄部濾波器。但雍訊濾波器舍增加波漏電流，因此需在愿勤器的輸入端裝上經緣羹愿器（Transformer）。*配象材料依照使用電象規格]使用。*配象的喪度：指令輸入象3公尺以內。編碼器輸入綜20公尺以內。配象時請以最短距薄速接。*硫賞依照操單接象圈配象，未使用到的信貌請勿接出。*局連輸出端（端子U、V、W）要正硫的速接。否則伺服焉速勤作舍不正常。*隔雄綜必須速接在FG端子上。*接地請以使用第3砸接地（接地電阻值腐100Ω以下），而且必須罩黏接地。若希望易速輿械之周腐紀緣狀懲畸，請將連接地。*伺服距勤器的輸出端不要加裝電容器，或遇（突波）吸收器及雅訊濾波器。*裝在控制輸出信號的DC繼電器，其遏（突波）吸收用的二梗溜的方向要速接正硫，否則食造成故障，因而雜法輸出信猶，也可能影馨緊急停止的保渡迎路不座生作用。*腐了防止雍部造成的錯溪勤作，請探下列的威置：請在電源上加入經緣雯愿器及雅亂濾波器等裝置。請將勤力緣（雷源象、焉連緣等的蘊雷回路）奧信蔬緣相距30公分以上來配練，不要放置在同一配緣管內。
標簽： tsda
上傳時間： 2022-05-28
上傳用戶：zhanglei193
傅里葉光學導論 J.W.顧德
標簽： 傅里葉光學
上傳時間： 2022-06-01
本文以質量管理理論為基礎，針對手機芯片封裝行業過于繁瑣的海量質量數據，建立以數據挖掘技術為基礎的質量管理系統，通過對手機芯片封裝質量數據的采集、分析和處理，對手機芯片的質量缺陷和不合格產品進行分析和統計，診斷造成產品不合格的原因。本文首先回顧了國內外關于質量管理的發展歷程及最新趨勢，并對手機芯片封裝質量管理進行了綜述。在對數據挖掘、合格率管理等方面進行深入分析探討的基礎上，提出了手機芯片封裝質量管理系統的設計目標、設計思路和功能模塊。本文的研究工作主要有以下幾個方面：1、對手機芯片封裝的制造過程、系統模式進行了分析，著重研究了合格率管理和數據挖掘在手機芯片封裝中的應用；2、運用數據挖掘的方法，針對影響芯片封裝質量的多個相關因素，進行各因素的權重判定，確定哪些因素是影響質量的關鍵因素，針對影響質量的關鍵因素，通過對低合格率數據的提取與分析，定位封裝過程中可能造成不合格產品的關鍵點，為質量改善提供依據：3、搜集W公司2006年5月到8月的手機芯片封裝測試數據，進行實證研究，驗證了所提出的研究方法的準確性。
標簽： 手機芯片封裝 質量管理系統
上傳時間： 2022-06-21
15 W無線充電發射器解決方案（原理圖、BOM、應用說明等）.
標簽： 無線充電發射器
上傳用戶：canderile
0引言任何器件在工作時都有一定的損耗，大部分的損耗均變成熱量。在實際應用過程中，大功率器件IGBT在工作時會產生很大的損耗，這些損耗通常表現為熱量。為了使ICBT能正常工作，必須保證IGBT的耗散功率不大于最大允許耗散功率P額定1660 w，室溫25℃時），必須保證1GBT的結溫T，不超過其最大值Timar 50 ℃），因此必須采用適當的散熱裝置，將熱量傳導到外部環境。如果散熱裝置設計或選用不當，這些大功率器件因過熱而損壞。為了在確定的散熱條件下設計或選用合適的散熱器，確保器件安全、可靠地工作，我們需進行散熱計算。散熱計算是通過計算器件工作時產生的損耗功率Pa、器件允許的結溫T、環境溫度T，求出器件允許的總熱阻R，f-a）；：再根據Raf-a）求出最大允許的散熱器到環境溫度的熱阻Rinf-）：最后根據Rbf-a）選取具有合適熱阻的散熱器。1 IGBT損耗分析及計算對于H型雙極模式PWM系統中使用的1GBT模塊，主要由IGBT元件和續流二極管FWD組成，它們各自發生的損耗之和就是IGBT本身的損耗。除此，加上1GBT的基極驅動功耗，即構成IGRT模塊整體發生的損耗。另外，發生損耗的情況可分為穩態時和交換時。對上述內容進行整理可表述如下：
標簽： 大功率器件 igbt 散熱
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