1N系列穩(wěn)壓管參數(shù)
標(biāo)簽： 穩(wěn)壓管 參數(shù)
上傳時(shí)間： 2013-10-11
上傳用戶：d815185728
主要介紹場效應(yīng)管H參數(shù)的模型
標(biāo)簽： 場效應(yīng)管 h參數(shù) 等效模型
上傳時(shí)間： 2014-01-09
上傳用戶：1966649934
下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動以及應(yīng)用電路。
標(biāo)簽： MOS 驅(qū)動電路
上傳時(shí)間： 2013-11-18
上傳用戶：文993
2SJ系列場效應(yīng)管參數(shù)大全:
標(biāo)簽： 2SJ 場效應(yīng)管 參數(shù)大全
上傳時(shí)間： 2013-11-24
上傳用戶：wlcaption
TI公司經(jīng)典
標(biāo)簽： TI 運(yùn)算放大器 設(shè)計(jì)指南 有源濾波器
上傳時(shí)間： 2013-11-07
上傳用戶：yyq123456789
TI-公司msp430開發(fā)板原理圖
標(biāo)簽： 430 msp TI 開發(fā)板原理圖
上傳時(shí)間： 2013-12-23
上傳用戶：digacha
TI封裝
標(biāo)簽： 封裝技術(shù)
上傳時(shí)間： 2013-10-30
上傳用戶：waitingfy
運(yùn)用PROTEL DXP 2004設(shè)計(jì)的項(xiàng)目“單管放大”視頻教學(xué)，完整展現(xiàn)了從原理圖到PCB的過程
標(biāo)簽： PCB 單管放大 原理圖
上傳時(shí)間： 2013-11-25
上傳用戶：龍飛艇
創(chuàng)建PCB元件管腳封裝
標(biāo)簽： PCB 元件 管腳 封裝
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶：chenjjer
結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式，并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過程中發(fā)生失效形態(tài)的差別，從而為失效在關(guān)斷或在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時(shí)分析了功率MOSFET管在動態(tài)老化測試中慢速開通、在電池保護(hù)電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長時(shí)間工作在線性區(qū)時(shí)損壞的形態(tài)。最后，結(jié)合實(shí)際應(yīng)用，論述了功率MOSFET通常會產(chǎn)生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機(jī)理和過程。
標(biāo)簽： MOSFET 開關(guān)電源 功率 分
上傳時(shí)間： 2013-11-14
上傳用戶：dongqiangqiang
蟲蟲下載站版權(quán)所有 京ICP備2021023401號-1
