某些理想的運(yùn)算放大器配置假定反饋電阻器呈現(xiàn)完美的匹配。而實(shí)際上，電阻器的非理想性會(huì)對(duì)各種電路參數(shù)產(chǎn)生影響，例如：共模抑制比 (CMRR)、諧波失真和穩(wěn)定性
標(biāo)簽： 502 DN 精準(zhǔn)放大器 匹配電阻
上傳時(shí)間： 2013-12-19
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經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來(lái)做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。
上傳時(shí)間： 2014-09-08
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交直流轉(zhuǎn)換器 AT-VA2-D-A3-DD-ADL 1．產(chǎn)品說(shuō)明 AT系列轉(zhuǎn)換器/分配器主要設(shè)計(jì)使用于一般訊號(hào)迴路中之轉(zhuǎn)換與隔離；如 4~20mA、0~10V、熱電偶(Type K, J, E, T)、熱電阻(Rtd-Pt100Ω)、荷重元、電位計(jì)(三線式)、電阻(二線式)及交流電壓/電流等訊號(hào)，機(jī)種齊全。 此款薄型設(shè)計(jì)的轉(zhuǎn)換器/分配器，除了能提供兩組訊號(hào)輸出（輸出間隔離）或24V激發(fā)電源供傳送器使用外，切換式電源亦提供了安裝的便利性。上方并設(shè)計(jì)了電源、輸入及輸出指示燈及可插拔式接線端子方便現(xiàn)場(chǎng)施工及工作狀態(tài)檢視。 2.產(chǎn)品特點(diǎn) 可選擇帶指撥開關(guān)切換，六種常規(guī)輸出信號(hào)0-5V/0~10V/1~5V/2~10V/4~20mA/ 0~20mA 可自行切換。 雙回路輸出完全隔離，可選擇不同信號(hào)。 設(shè)計(jì)了電源、輸入及輸出LED指示燈，方便現(xiàn)場(chǎng)工作狀態(tài)檢視。 規(guī)格選擇表中可指定選購(gòu)0.1%精度 17.55mm薄型35mm導(dǎo)軌安裝。 依據(jù)CE國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范設(shè)計(jì)。 3.技術(shù)規(guī)格 用途：信號(hào)轉(zhuǎn)換及隔離 過(guò)載輸入能力：電流：10×額定10秒 第二組輸出：可選擇 精確度: 交流: ≦±0.5% of F.S. 直流: ≦±0.2% of F.S. 輸入耗損: 交流電流:≤ 0.1VA; 交流電壓:≤ 0.15VA 反應(yīng)時(shí)間: ≤ 250msec (10%~90% of FS) 輸出波紋: ≤ ±0.1% of F.S. 滿量程校正范圍:≤ ±10% of F.S.，2組輸出可個(gè)別調(diào)整 零點(diǎn)校正范圍:≤ ±10% of F.S.，2組輸出可個(gè)別調(diào)整 隔離:AC 2.0 KV 輸出1與輸出2之間 隔離抗阻：DC 500V 100MΩ 工作電源: AC 85~265V/DC 100~300V, 50/60Hz 或 AC/DC 20~56V (選購(gòu)規(guī)格) 消耗功率: DC 4W, AC 6.0VA 工作溫度: 0~60 ºC 工作濕度: 20~95% RH, 無(wú)結(jié)露 溫度系數(shù): ≤ 100PPM/ ºC (0~50 ºC) 儲(chǔ)存溫度: -10~70 ºC 保護(hù)等級(jí): IP 42 振動(dòng)測(cè)試: 1~800 Hz, 3.175 g2/Hz 外觀尺寸: 94.0mm x 94.0mm x 17.5mm 外殼材質(zhì): ABS防火材料，UL94V0 安裝軌道: 35mm DIN導(dǎo)軌 (EN50022) 重量: 250g 安全規(guī)范(LVD): IEC 61010 (Installation category 3) EMC: EN 55011:2002; EN 61326:2003 EMI: EN 55011:2002; EN 61326:2003 常用規(guī)格：AT-VA2-D-A3-DD-ADL 交直流轉(zhuǎn)換器，2組輸出，輸入交流輸入0-19.99mA，輸出1:4-20mA,輸出2：4-20mA，工作電源AC/DC20-56V
標(biāo)簽： 交直流 轉(zhuǎn)換器
上傳時(shí)間： 2013-11-22
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非隔離或隔離式電源驅(qū)別
上傳時(shí)間： 2013-10-27
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4_10kV三相干式非晶合金變壓器專用技術(shù)規(guī)范
上傳時(shí)間： 2013-11-20
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非接觸式感應(yīng)充電電路
標(biāo)簽： 非接觸式 感應(yīng)充電 電路
上傳時(shí)間： 2013-11-05
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研究了MPP電荷耦合器件(CCD)暗電流和暗電流非均勻性的溫度特性,并與非MPP CCD的暗電流和暗電流非均勻性的溫度特性進(jìn)行了對(duì)比分析。研究結(jié)果表明,MPP CCD抑制了表面暗電流,相較于非MPP CCD具有較低的暗電流和暗電流非均勻性,可以承受更高的工作溫度。
上傳時(shí)間： 2013-10-23
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采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(RF2PECVD)技術(shù)制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽(yáng)能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結(jié)構(gòu)為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長(zhǎng),電池制備過(guò)程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過(guò)調(diào)節(jié)電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時(shí)間,優(yōu)化了太陽(yáng)能電池的制備工藝。結(jié)果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導(dǎo)率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用到電池上;當(dāng)P 型晶化硅層沉積時(shí)間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結(jié)構(gòu)電池特性最好,效率達(dá)6. 40 %。通過(guò)調(diào)整P 型晶化硅薄膜的結(jié)構(gòu)特征,將能進(jìn)一步改善電池的性能。
標(biāo)簽： NIP 非晶硅 薄膜太陽(yáng)能電池
上傳時(shí)間： 2013-11-21
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Active Power提供各種系統(tǒng)可見性和管理工具，使您能更好了解有關(guān)電源的各種事件并最終提高電源系統(tǒng)的可靠性。從將基本數(shù)據(jù)集成 Active Power獨(dú)有的CleanSource View(CSView)監(jiān)控軟件，到全托管式遠(yuǎn)程監(jiān)控服務(wù) – 我們都可為您提供相應(yīng)管理關(guān)鍵電源基礎(chǔ)架構(gòu)所需的系統(tǒng)可見性和服務(wù)。
標(biāo)簽： 關(guān)鍵電源
上傳時(shí)間： 2013-11-24
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基于超聲波技術(shù)的非接觸測(cè)距裝置
標(biāo)簽： 超聲波技術(shù) 裝置 非接觸測(cè)距
上傳時(shí)間： 2013-11-07
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