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非線性光學(xué)

座艙顯示器背光驅動電路的研制

座艙中液晶顯示器的背光亮度自動調節功能非常重要，背光亮度直接影響信息的可讀性。為了研制高效的能自動調節背光亮度的顯示器，通過對相關電路的設計和對單片機定時器和中斷器的編程控制，實現了液晶屏亮度的自動和人工調節，使得座艙顯示器在各種環境光下都能正常有效的工作。該電路不僅可用于軍用顯示器還可用于民用顯示器。

標簽： 座艙顯示器背光驅動電路

上傳時間： 2013-12-29

上傳用戶：變形金剛
基于LonWorks技術的智能調光節點的設計

闡述了Mini EVK工具開發節點的過程，并利用Mini EVK工具開發一個智能調光節點，實現根據現場環境的光線來自動調節燈光的功能．與目前的調光節點相比，它更智能化、更節約能源．

標簽： LonWorks 智能調光節點

上傳時間： 2013-10-09

上傳用戶：hfmm633
1-10V調光電源

調光電路

標簽： 10 調光電源

上傳時間： 2013-11-03

上傳用戶：haohao
電源隔離光藕CNY75

電源隔離光藕CNY75

標簽： CNY 75 電源隔離光藕

上傳時間： 2013-11-12

上傳用戶：togetsomething
開關電源中光耦隔離的幾種典型接法對比

　　在一般的隔離電源中，光耦隔離反饋是一種簡單、低成本的方式。但對于光耦反饋的各種連接方式及其區別，目前尚未見到比較深入的研究。而且在很多場合下，由于對光耦的工作原理理解不夠深入，光耦接法混亂，往往導致電路不能正常工作。本研究將詳細分析光耦工作原理，并針對光耦反饋的幾種典型接法加以對比研究。

標簽： 開關電源光耦隔離典型對比

上傳時間： 2013-10-19

上傳用戶：a155166
可調光市電LED驅動解決方案

LED在電子系統中使用已經有很多年了，主要用作電子設備的指示燈?，F在在亮度和色彩深度方面取得的重大進步，意味著LED現在可以用于更廣泛的應用，從手機和多媒體播放機中的背光，汽車儀表盤、尾燈，一直到取代商業和家庭照明應用中的傳統光源。

標簽： LED 可調光驅動方案

上傳時間： 2013-11-07

上傳用戶：zhengzg
led光學設計應用基礎知識

光具有波動性和粒子性，但在應用光學的范圍內，光是作為波動來講的，它具有波動的一切特性，比如波長、頻率、以及傳播速度等。(光波的傳播速度ν=c/n)

標簽： led 光學設計基礎知識

上傳時間： 2013-11-05

上傳用戶：change0329
利用PWM電路調光的太陽能路燈控制器

功能簡述：本控制器采用微控制器控制，其功能如下：1． 12V/24V 蓄電池自動識別2．自動開關燈智能感知外界光線，天黑時延時自動開啟路燈，天亮時自動關閉路燈3．自動充放電（以12V 蓄電池為例）進入白天后太陽能電池板電壓高于蓄電池電壓時自動進入充電狀態，充電至蓄電池電壓高于14.4V 就進入涓流狀態充電。而當天黑且蓄電池電壓高于10.6V 就允許向LED 放電。4．蓄電池保護（以12V 蓄電池為例）：當蓄電池電壓低（低于10.6V）時，會自動關閉路燈，防止過放，以保護電池。當電池充滿（14.4V）時，會停止其他充電狀態，而進入涓流充充電狀態，以防止過充。5．采用PWM 調光技術對LED 路燈進行調光，可以和各種可調光恒流源匹配工作。6．為了節能而調光，可以有各種節能調光模式，以實現不同程度的節能。

標簽： PWM 電路太陽能路燈控制器

上傳時間： 2013-11-07

上傳用戶：wyc199288
硅光電池實驗輸出光強不穩定現象的研究

摘要: 研究用內腔式He- Ne 激光器做光源時, 硅光電池實驗中光電檢流計讀數不穩定的現象。利用硅光電池分別觀測在不加偏振片、加上偏振片時內腔式He- Ne 激光器輸出的光強度, 得到激光經偏振片后輸出光強隨時間而變。利用共焦掃描干涉儀掃描出激光束的各個縱模, 實驗表明, 內腔式He- Ne 激光器每個縱模的偏振方向隨時間緩慢變化, 引起了實驗中輸出的光強變化。

標簽： 硅光電池實驗光強輸出

上傳時間： 2013-11-17

上傳用戶：ArmKing88
NIP型非晶硅薄膜太陽能電池的研究

采用射頻等離子體增強化學氣相沉積(RF2PECVD)技術制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結構為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調節電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時間,優化了太陽能電池的制備工藝。結果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結構可以應用到電池上;當P 型晶化硅層沉積時間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結構電池特性最好,效率達6. 40 %。通過調整P 型晶化硅薄膜的結構特征,將能進一步改善電池的性能。

標簽： NIP 非晶硅薄膜太陽能電池

上傳時間： 2013-11-21

上傳用戶：wanqunsheng