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非線性對象

IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。

標簽： 封裝 IC封裝制程

上傳時間： 2014-01-20

上傳用戶：蒼山觀海
采用集成電流檢測來監視和保護汽車系統

對於集成電路而言，汽車是一種苛刻的使用環境，這裡，引擎罩下的工作溫度範圍可寬達 -40°C 至 125°C，而且，在電池電壓總線上出現大瞬變偏移也是預料之中的事

標簽： 集成電流檢測保護汽車系統

上傳時間： 2013-11-20

上傳用戶：zhaiye
纖巧型同步升壓轉換器在700mV條件下啟動

由於性電池容易購買而且價格相對便宜，因此它為人們帶來了方便，並且成為了便攜式儀器以及室外消遣娛樂設備的電源選擇。

標簽： 700 mV 同步升壓轉換器

上傳時間： 2014-01-07

上傳用戶：xiaoyaa
交直流轉換器

交直流轉換器 AT-VA2-D-A3-DD-ADL 1．產品說明 AT系列轉換器/分配器主要設計使用于一般訊號迴路中之轉換與隔離；如 4~20mA、0~10V、熱電偶(Type K, J, E, T)、熱電阻(Rtd-Pt100Ω)、荷重元、電位計(三線式)、電阻(二線式)及交流電壓/電流等訊號，機種齊全。此款薄型設計的轉換器/分配器，除了能提供兩組訊號輸出（輸出間隔離）或24V激發電源供傳送器使用外，切換式電源亦提供了安裝的便利性。上方并設計了電源、輸入及輸出指示燈及可插拔式接線端子方便現場施工及工作狀態檢視。 2.產品特點可選擇帶指撥開關切換，六種常規輸出信號0-5V/0~10V/1~5V/2~10V/4~20mA/ 0~20mA 可自行切換。雙回路輸出完全隔離，可選擇不同信號。設計了電源、輸入及輸出LED指示燈，方便現場工作狀態檢視。規格選擇表中可指定選購0.1%精度 17.55mm薄型35mm導軌安裝。依據CE國際標準規范設計。 3.技術規格用途：信號轉換及隔離過載輸入能力：電流：10×額定10秒第二組輸出：可選擇精確度: 交流: ≦±0.5% of F.S. 直流: ≦±0.2% of F.S. 輸入耗損: 交流電流:≤ 0.1VA; 交流電壓:≤ 0.15VA 反應時間: ≤ 250msec (10%~90% of FS) 輸出波紋: ≤ ±0.1% of F.S. 滿量程校正范圍:≤ ±10% of F.S.，2組輸出可個別調整零點校正范圍:≤ ±10% of F.S.，2組輸出可個別調整隔離:AC 2.0 KV 輸出1與輸出2之間隔離抗阻：DC 500V 100MΩ 工作電源: AC 85~265V/DC 100~300V, 50/60Hz 或 AC/DC 20~56V (選購規格) 消耗功率: DC 4W, AC 6.0VA 工作溫度: 0~60 ºC 工作濕度: 20~95% RH, 無結露溫度系數: ≤ 100PPM/ ºC (0~50 ºC) 儲存溫度: -10~70 ºC 保護等級: IP 42 振動測試: 1~800 Hz, 3.175 g2/Hz 外觀尺寸: 94.0mm x 94.0mm x 17.5mm 外殼材質: ABS防火材料，UL94V0 安裝軌道: 35mm DIN導軌 (EN50022) 重量: 250g 安全規范(LVD): IEC 61010 (Installation category 3) EMC: EN 55011:2002; EN 61326:2003 EMI: EN 55011:2002; EN 61326:2003 常用規格：AT-VA2-D-A3-DD-ADL 交直流轉換器，2組輸出，輸入交流輸入0-19.99mA，輸出1:4-20mA,輸出2：4-20mA，工作電源AC/DC20-56V

標簽： 交直流轉換器

上傳時間： 2013-11-22

上傳用戶：nem567397
非隔離或隔離式電源驅別

非隔離或隔離式電源驅別

標簽： 非隔離隔離式電源

上傳時間： 2013-10-27

上傳用戶：dudu1210004
4_10kV三相干式非晶合金變壓器專用技術規范

4_10kV三相干式非晶合金變壓器專用技術規范

標簽： 10 kV 三相非晶

上傳時間： 2013-11-20

上傳用戶：JamesB
非接觸式感應充電電路的研制

非接觸式感應充電電路

標簽： 非接觸式感應充電電路

上傳時間： 2013-11-05

上傳用戶：cjl42111
NIP型非晶硅薄膜太陽能電池的研究

采用射頻等離子體增強化學氣相沉積(RF2PECVD)技術制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結構為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調節電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時間,優化了太陽能電池的制備工藝。結果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結構可以應用到電池上;當P 型晶化硅層沉積時間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結構電池特性最好,效率達6. 40 %。通過調整P 型晶化硅薄膜的結構特征,將能進一步改善電池的性能。

標簽： NIP 非晶硅薄膜太陽能電池

上傳時間： 2013-11-21

上傳用戶：wanqunsheng
關鍵電源系統可見性及管理

Active Power提供各種系統可見性和管理工具，使您能更好了解有關電源的各種事件并最終提高電源系統的可靠性。從將基本數據集成 Active Power獨有的CleanSource View(CSView)監控軟件，到全托管式遠程監控服務 – 我們都可為您提供相應管理關鍵電源基礎架構所需的系統可見性和服務。

標簽： 關鍵電源

上傳時間： 2013-11-24

上傳用戶：685
均勻設計法在我所化學電源專業的推廣應用

“均勻設計”是我國統計學家中國科學院應用數學研究所方開泰教授和中科院院士王元教授將數論與多元統計相結合創立的一種供多因素、多水平實驗用、可減少實驗次數的全新的最優試驗設計方法。其特點是將試驗點均勻地分布在試驗范圍內，用較少的試驗點來獲得最多的信息。這一方法結合統計調優把所得的數據進行整理、分析、判斷，用逐步回歸法建立回歸方程，并進行方差分析和顯著性檢驗，通過方程預報、等值線圖、曲線圖等數學方法，揭示出隱含于數據中的信息，找出試驗條件間的最佳組合，可實現用最少的試驗次數和最短的試驗時間，達到尋找最佳效果的目的。由于均勻設計不再具有整齊可比的特點，因而不能象正交試驗那樣，通過簡單的方差分析方法來處理所得的數據，而必須借助計算機來進行數據處理。我所在均勻設計推廣應用到化學電源研究過程方面做了一些工作，在應用過程中均勻設計明顯地促進了我所相關項目的研究工作。下面是我所在相關項目工作中的情況介紹。

標簽： 均勻設計化學電源

上傳時間： 2013-12-24

上傳用戶：gxy670166755