電路板故障分析
維修方式介紹
ASA維修技術(shù)
ICT維修技術(shù)
沒有線路圖,無從修起
電路板太複雜,維修困難
維修經(jīng)驗(yàn)及技術(shù)不足
無法維修的死板,廢棄可惜
送電中作動(dòng)態(tài)維修,危險(xiǎn)性極高
備份板太多,積壓資金
送國(guó)外維修費(fèi)用高,維修時(shí)間長(zhǎng)
對(duì)老化零件無從查起無法預(yù)先更換
維修速度及效率無法提升,造成公司負(fù)擔(dān),客戶埋怨
投資大量維修設(shè)備,操作複雜,績(jī)效不彰
標(biāo)簽：
電路板維修
技術(shù)資料
上傳時(shí)間：
2013-10-26
上傳用戶：neu_liyan
采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(RF2PECVD)技術(shù)制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽(yáng)能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結(jié)構(gòu)為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長(zhǎng),電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調(diào)節(jié)電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時(shí)間,優(yōu)化了太陽(yáng)能電池的制備工藝。結(jié)果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導(dǎo)率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用到電池上;當(dāng)P 型晶化硅層沉積時(shí)間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結(jié)構(gòu)電池特性最好,效率達(dá)6. 40 %。通過調(diào)整P 型晶化硅薄膜的結(jié)構(gòu)特征,將能進(jìn)一步改善電池的性能。
標(biāo)簽：
NIP
非晶硅
薄膜太陽(yáng)能電池
上傳時(shí)間：
2013-11-21
上傳用戶：wanqunsheng
