近年來，人們對環(huán)境保護(hù)越來越重視，SF<,6>氣體的使用和排放受到限制，從而使電器領(lǐng)域內(nèi)SF<,6>斷路器的發(fā)展也受到限制。而真空斷路器充分利用了真空優(yōu)異的絕緣與熄弧特性，且對環(huán)境不造成污染，所以目前在中壓領(lǐng)域已經(jīng)占據(jù)了主導(dǎo)地位，而且不斷向高電壓、大容量方向發(fā)展。因此，未來高壓真空斷路器必然取代高壓SF<,6>斷路器。真空滅弧室是真空斷路器的“心臟”，所以，開發(fā)高壓真空斷路器最關(guān)鍵的是滅弧室的設(shè)計(jì)。本文對110kV的真空滅弧室的內(nèi)部電磁場進(jìn)行了仿真分析，為我國開發(fā)110kV真空斷路器提供一定的參考。 本文采用有限元軟件對110kV真空斷路器滅弧室內(nèi)部靜電場進(jìn)行了仿真分析，得到了滅弧室內(nèi)部各種屏蔽罩的大小、尺寸和位置對電場分布的影響；觸頭距離對滅弧室內(nèi)部電場分布的影響；傘裙對滅弧室內(nèi)部電場分布的影響。再根據(jù)等離子體和金屬蒸氣具有一定導(dǎo)電率的特點(diǎn)，從麥克斯韋基本方程出發(fā)，推導(dǎo)了滅弧室內(nèi)部電場所滿足的計(jì)算方程，然后用有限元法對二維電場進(jìn)行了求解?？紤]到弧后粒子消散過程中，電極和懸浮導(dǎo)體表面會有帶電微粒的存在，又計(jì)算分析了帶電微粒對真空滅弧室電場分布的影響，進(jìn)而提出了使滅弧室內(nèi)部電場更加均勻的措施。 根據(jù)大電流真空電弧的物理模型，基于磁場對電流的作用力理論，計(jì)算分析了真空電弧自生磁場的收縮效應(yīng)以及對分?jǐn)嚯娀〉挠绊?，得到了弧柱中自生磁場產(chǎn)生的電磁壓強(qiáng)分布，最后分析了外加縱向磁場分量對減小自生磁場收縮效應(yīng)的作用。 建立了110kV、1/2線圈以及1/3線圈縱向磁場觸頭三維電極模型，并利用有限元法進(jìn)行了三維靜磁場和渦流場仿真。得到了電流在峰值和過零時縱向磁場分別在觸頭片表面和觸頭間隙中心平面上的二維和三維分布，給出了這兩種觸頭在電流過零時縱向磁場滯后時間沿徑向路徑和軸向路徑的分布規(guī)律，最后還對這兩種觸頭的性能進(jìn)行了比較。
標(biāo)簽：
110
kV
真空斷路器
上傳時間：
2013-07-09
上傳用戶：smthxt
