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顯影

  • 實時三維信息獲取系統

    三維彩色信息獲取系統目的是獲取對象的三維空間坐標和顏色信息。它是計算機視覺研究的重要內容,也是當前信息科學研究中的一個重要熱點。 本文首先介紹了三維信息獲取技術的意義和實時可重構三維激光彩色信息獲取系統總體方案。該方案合理劃分了系統的圖像處理任務,充分地利用了擁有的硬、軟件資源。闡述了基于FPGA處理器的硬件系統結構及其工作原理和系統工作時序。 本文還研究了圖像處理系統中的數字邏輯設計,總結出了較完整、規范化的設計流程和方法,介紹了從圖像處理算法到可編程邏輯器件的規范化映射方法,總結了在視頻系統中的高級設計技巧,包括并行流水線技術和循環結構的硬件實現方式等。 為了說明提出的設計方法,本文分析了基于自適應閾值的結構光條紋中心的方向模板快速檢測算法的硬件實現。該算法是把自適應閾值法與可變方向模板法相結合,具有穩定性好、精度高、計算簡單、數據存儲量小、實現速度快的特點,此外,該方法有利于硬件快速實現。實踐證明這種方法是實用的、有效的。 本文的重點在于研制了具有完全自主知識產權的實時可重構三維激光彩色信息獲取系統中視頻圖像處理專用集成電路。該集成電路是實現系統快速算法的核心,使用現場可編程器FPGA器件EPlK50實現提取激光線、提取人頭輪廓線和提取中心顏色線算法;該集成電路還要實現系統所需的控制邏輯??刂撇糠职▽⒁曨l采集輸出端口信號轉化為RGB真彩色信號的數據鎖存模塊、各FIFO緩存器的輸入輸出控制模塊和系統需要的其它信號控制模塊。提出提取輪廓線快速算法,即由FPGA處理器與主機交互式共同快速完成提取人頭正側影輪廓線算法。該專用集成電路研制是整個實時可重構三維激光彩色信息獲取系統實現的關鍵。

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    上傳時間: 2013-07-23

    上傳用戶:lguotao

  • CTP知識全解

      1.什么是CTP?   CTP包括幾種含義:   脫機直接制版(Computer-to-plate)   在機直接制版(Computer-to-press)   直接印刷(Computer-to-paper/print)   數字打樣(Computer-to-proof)   普通PS版直接制版技術,即CTcP(Computer-to-conventional plate)   這里所論述的CTP系統是脫機直接制版(Computer-to-plate)。CTP就是計算機直接到印版,是一種數字化印版成像過程。CTP直接制版機與照排機結構原理相仿。起制版設備均是用計算機直接控制,用激光掃描成像,再通過顯影、定影生成直接可上機印刷的印版。計算機直接制版是采用數字化工作流程,直接將文字、圖象轉變為數字,直接生成印版,省去了膠片這一材料、人工拼版的過程、半自動或全自動曬版工序。

    標簽: CTP

    上傳時間: 2013-10-27

    上傳用戶:baiom

  • IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

    半導體的產品很多,應用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內部的晶片,圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當引發過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見的LED,也就是發光二極體,其內部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負極的腳上,經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時,晶片會發光而使LED發亮,如圖六所示。     半導體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產品,稱為IC封裝製程,又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節中將簡介這兩段的製造程序。

    標簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時間: 2014-01-20

    上傳用戶:蒼山觀海

  • 采用一個節省空間的三路輸出穩壓器來驅動大型TFT-LCD顯示器

    大型 TFT-LCD 的功率需求量之大似乎永遠得不到滿足。電源必須滿足晶體管數目不斷增加和顯示器分辨率日益攀升的要求,並且還不能占用太大的板級空間。

    標簽: TFT-LCD 輸出穩壓器 大型 顯示器

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:watch100

  • 單個電阻器設定DCDC轉換器的正或負輸出

    對於許多電子子繫統而言,比如:VFD (真空熒光顯示屏)、TFT-LCD、GPS 或 DSL 應用,僅采用一個簡單的降壓或升壓型 DC/DC 轉換器並不能滿足其要求

    標簽: DCDC 電阻器 設定

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:nostopper

  • 使用簡易閂鎖電路保護電源

    設計時需要過一款簡單、低成本的閂鎖電路 (latch circuit) ?圖一顯示的就是這樣一款電路,基本上是一個可控矽整流器(SCR),結合了一些離散組件,只需低成本的元件便可以提供電源故障保護。

    標簽: 閂鎖電路 保護電源

    上傳時間: 2013-11-11

    上傳用戶:zq70996813

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導性及輻射性EMI

    經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。

    標簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時間: 2014-09-08

    上傳用戶:swing

  • 折衷選擇輸入電容鏈波電流的線壓范圍

    透過增加輸入電容,可以在獲得更多鏈波電流的同時,還能藉由降低輸入電容的壓降來縮小電源的工作輸入電壓範圍。這會影響電源的變壓器圈數比以及各種電壓與電流應力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大,應力越小,電源效率也就越高。

    標簽: 輸入電容 電流

    上傳時間: 2013-11-11

    上傳用戶:jelenecheung

  • 基于單片機的LED漢字顯示屏的設計

    文中詳細介紹了由STC89C52RC單片機、74HC154芯片、晶振電路、復位電路、驅動電路、16×16 LED點陣構成的LED漢字顯示屏系統。設計采用STC89C52RC單片機為微控制器,74HC154為譯碼器、PNP型三極管8550構成行驅動電路,NPN型三極管8050構成列驅動電路,采用4個8x8LED顯示器級聯構成16×16 的點陣漢字顯示屏。軟、硬件設計結果表明所設計的LED漢字顯示屏可以實現漢字的滾動顯示,且漢字清晰,無串擾,無重影

    標簽: LED 單片機 漢字 顯示屏

    上傳時間: 2014-01-24

    上傳用戶:coeus

  • 常用三星單片機燒寫電壓設置參考表

    常用三星單片機燒寫電壓設置參考表 燒寫電壓說明:Vdd 電壓指燒寫時加載到芯片Vdd 端子的邏輯電壓,Vpp 電壓指燒寫時加載到芯片Vpp(Test)端子的編程電壓, Vpp=12V 是編程器的默認燒寫電壓,無須特別設置. 由于編程器的默認輸出Vpp 電壓均為12V,因此在燒寫Vpp=3.3V/5.0V 的芯片時,需要對燒寫轉換適配器作以下改動:將燒寫器燒寫座引出的Vpp 端子完全空置不用, 并在適配器上將Vdd端子直接連接Vpp 端即可.當用戶采用在PCB板上燒寫方式時,建議最好能在PCB芯片端的Vpp腳并接一個104 的電容入地,可有效保護在燒寫電壓加載時板子電路共同作用產生的瞬間過壓脈沖不會輸入到Vpp 腳而造成Vpp 擊穿.S3F84K4 燒寫特別說明,由于三星半導體DATA SHEET 要求在對該芯片進行燒寫時,須在Vpp 腳加接一個101 的電容到地,因此在使用我站各款燒寫器燒寫84K4 時,須將燒寫器主板上的Vpp 端原來并接的10uf/50V-電解電容和104 電容去掉,另行并接一個101 電容入地即可.不過,據本人特別測試結果,其實不做以上處理對燒寫過程沒有任何影響, 估計可能是三星半導體對芯片有做過改版,老版本的84K4 才會有以上特別要求,新版本是沒有這個要求的.

    標簽: 三星 單片機 燒寫 電壓設置

    上傳時間: 2013-10-10

    上傳用戶:wcl168881111111

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