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高功率密度

  • 嵌入式系統中小功率開關電源的設計與實現

    摘要:根據嵌入式系統電源的實際需求,以FSD200小功率單片開關電源集成電路為核心,結合可調式精密穩壓器TL431和線性光耦PC817等外圍器件,設計并實現了適合嵌入式系統使用的多路小功率開關電源。關鍵詞:嵌入式系統;FSD200;開關電源

    標簽: 嵌入式系統 小功率 開關電源

    上傳時間: 2013-12-07

    上傳用戶:黑漆漆

  • 2STF200PM-T 120°通電3相無刷電機控制用預驅動

    特長 3相無刷電機控制用預驅動IC。采用高耐壓CMOS制程位置檢出可與3個霍爾元件或霍爾IC連接120度通電驅動PWM控制方式(上側驅動)功率限制回路內藏電流限制回路內藏升壓動作時的初期充電控制可能。回轉數為3脈沖/360度。

    標簽: PM-T STF 200 120

    上傳時間: 2013-10-26

    上傳用戶:koulian

  • 同步整流技術簡單介紹

    同步整流技術簡單介紹大家都知道,對于開關電源,在次級必然要有一個整流輸出的過程。作為整流電路的主要元件,通常用的是整流二極管(利用它的單向導電特性),它可以理解為一種被動式器件:只要有足夠的正向電壓它就開通,而不需要另外的控制電路。但其導通壓降較高,快恢復二極管(FRD)或超快恢復二極管(SRD)可達1.0~1.2V,即使采用低壓降的肖特基二極管(SBD),也會產生大約0.6V的壓降。這個壓降完全是做的無用功,并且整流二極管是一種固定壓降的器件,舉個例子:如有一個管子壓降為0.7V,其整流為12V時它的前端要等效12.7V電壓,損耗占0.7/12.7≈5.5%.而當其為3.3V整流時,損耗為0.7/4(3.3+0.7)≈17.5%。可見此類器件在低壓大電流的工作環境下其損耗是何等地驚人。這就導致電源效率降低,損耗產生的熱能導致整流管進而開關電源的溫度上升、機箱溫度上升--------有時系統運行不穩定、電腦硬件使用壽命急劇縮短都是拜這個高溫所賜。隨著電腦硬件技術的飛速發展,如GeForce 8800GTX顯卡,其12V峰值電流為16.2A。所以必須制造能提供更大輸出電流(如多核F1,四路12V,每路16A;3.3V和5V輸出電流各高達24A)的電源轉換器。而當前世界的能源緊張問題的凸現,為廣大用戶提供更高轉換效率(如多核R80,完全符合80PLUS標準)的電源轉換器就是我們整個開關電源行業的不可回避的社會責任了。如何解決這些問題?尋找更好的整流方式、整流器件。同步整流技術和通態電阻(幾毫歐到十幾毫歐)極低的專用功率MOSFET就是在這個時刻走上開關電源技術發展的歷史舞臺了!作為取代整流二極管以降低整流損耗的一種新器件,功率MOSFET屬于電壓控制型器件,它在導通時的伏安特性呈線性關系。因為用功率MOSFET做整流器時,要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能,故稱之為同步整流。它可以理解為一種主動式器件,必須要在其控制極(柵極)有一定電壓才能允許電流通過,這種復雜的控制要求得到的回報就是極小的電流損耗。在實際應用中,一般在通過20-30A電流時才有0.2-0.3V的壓降損耗。因為其壓降等于電流與通態電阻的乘積,故小電流時,其壓降和恒定壓降的肖特基不同,電流越小壓降越低。這個特性對于改善輕載效率(20%)尤為有效。這在80PLUS產品上已成為一種基本的解決方案了。對于以上提到的兩種整流方案,我們可以通過灌溉農田來理解:肖特基整流管可以看成一條建在泥土上沒有鋪水泥的灌溉用的水道,從源頭下來的水源在中途滲漏了很多,十方水可能只有七、八方到了農田里面。而同步整流技術就如同一條鑲嵌了光滑瓷磚的引水通道,除了一點點被太陽曬掉的損失外,十方水能有9.5方以上的水真正用于澆灌那些我們日日賴以生存的糧食。我們的多核F1,多核R80,其3.3V整流電路采用了通態電阻僅為0.004歐的功率MOSFET,在通過24A峰值電流時壓降僅為20*0.004=0.08V。如一般PC正常工作時的3.3V電流為10A,則其壓降損耗僅為10*0.004=0.04V,損耗比例為0.04/4=1%,比之于傳統肖特基加磁放大整流技術17.5%的損耗,其技術的進步已不僅僅是一個量的變化,而可以說是有了一個質的飛躍了。也可以說,我們為用戶修建了一條嚴絲合縫的灌溉電腦配件的供電渠道。

    標簽: 同步整流

    上傳時間: 2013-10-27

    上傳用戶:杏簾在望

  • 高精度、寬容限電源電壓檢測電路的設計

    摘要:本文詳細介紹了電源電壓檢測電路從電路要求到電路設計,從電路仿真驗證到版圖設計的整個模擬電路設計流程。著重討論了如何降低電源電壓、溫度及工藝等變化對電路精度的影響,使設計的電源電壓檢測電路具有精度高,電壓、工藝、溫度容限寬的特點。

    標簽: 高精度 電源電壓 檢測電路

    上傳時間: 2014-01-10

    上傳用戶:moshushi0009

  • 基于線性電源的高壓放大器

    摘要:介紹基于線性電源的高壓放大器的實現,他具有寬范圍的電壓輸出、波形質量好的特點,降低了對器件耐壓的要求,可用于實現壓電陶瓷驅動器、高電壓掃描電源以及高壓功率源等應用。關鍵詞:高壓放大器;線性電源;掃描電源;功率源

    標簽: 線性電源 高壓放大器

    上傳時間: 2013-11-14

    上傳用戶:wsq921779565

  • 38V/100A可直接并聯大功率AC/DC變換器

    38V/100A可直接并聯大功率AC/DC變換器 隨著電力電子技術的發展,電源技術被廣泛應用于計算機、工業儀器儀表、軍事、航天等領域,涉及到國民經濟各行各業。特別是近年來,隨著IGBT的廣泛應用,開關電源向更大功率方向發展。研制各種各樣的大功率,高性能的開關電源成為趨勢。某電源系統要求輸入電壓為AC220V,輸出電壓為DC38V,輸出電流為100A,輸出電壓低紋波,功率因數>0.9,必要時多臺電源可以直接并聯使用,并聯時的負載不均衡度<5%。   設計采用了AC/DC/AC/DC變換方案。一次整流后的直流電壓,經過有源功率因數校正環節以提高系統的功率因數,再經半橋變換電路逆變后,由高頻變壓器隔離降壓,最后整流輸出直流電壓。系統的主要環節有DC/DC電路、功率因數校正電路、PWM控制電路、均流電路和保護電路等。 1 有源功率因數校正環節 由于系統的功率因數要求0.9以上,采用二極管整流是不能滿足要求的,所以,加入了有源功率因數校正環節。采用UC3854A/B控制芯片來組成功率因數電路。UC3854A/B是Unitrode公司一種新的高功率因數校正器集成控制電路芯片,是在UC3854基礎上的改進。其特點是:采用平均電流控制,功率因數接近1,高帶寬,限制電網電流失真≤3%[1]。圖1是由UC3854A/B控制的有源功率因數校正電路。   該電路由兩部分組成。UC3854A/B及外圍元器件構成控制部分,實現對網側輸入電流和輸出電壓的控制。功率部分由L2,C5,V等元器件構成Boost升壓電路。開關管V選擇西門康公司的SKM75GB123D模塊,其工作頻率選在35kHz。升壓電感L2為2mH/20A。C5采用四個450V/470μF的電解電容并聯。因為,設計的PFC電路主要是用在大功率DC/DC電路中,所以,在負載輕的時候不進行功率因數校正,當負載較大時功率因數校正電路自動投入使用。此部分控制由圖1中的比較器部分來實現。R10及R11是負載檢測電阻。當負載較輕時,R10及R11上檢測的信號輸入給比較器,使其輸出端為低電平,D2導通,給ENA(使能端)低電平使UC3854A/B封鎖。在負載較大時ENA為高電平才讓UC3854A/B工作。D3接到SS(軟啟動端),在負載輕時D3導通,使SS為低電平;當負載增大要求UC3854A/B工作時,SS端電位從零緩慢升高,控制輸出脈沖占空比慢慢增大實現軟啟動。 2 DC/DC主電路及控制部分分析 2.1 DC/DC主電路拓撲 在大功率高頻開關電源中,常用的主變換電路有推挽電路、半橋電路、全橋電路等[2]。其中推挽電路的開關器件少,輸出功率大,但開關管承受電壓高(為電源電壓的2倍),且變壓器有六個抽頭,結構復雜;全橋電路開關管承受的電壓不高,輸出功率大,但是需要的開關器件多(4個),驅動電路復雜。半橋電路開關管承受的電壓低,開關器件少,驅動簡單。根據對各種拓撲方案的工程化實現難度,電氣性能以及成本等指標的綜合比較,本電源選用半橋式DC/DC變換器作為主電路。圖2為大功率開關電源的主電路拓撲圖。

    標簽: 100 38 AC DC

    上傳時間: 2013-11-13

    上傳用戶:ukuk

  • 電子競賽,智能小車資料大全,郭天祥單片機編程高清視頻教程入門與提高

    電子競賽,智能小車資料大全。更有多部單片機入門與提高高清視頻教程。不容錯過!!

    標簽: 電子競賽 智能小車 單片機編程 教程

    上傳時間: 2013-11-01

    上傳用戶:zhaoke2005

  • nRF905微功率模塊資料匯總(2012-08-20)

    nRF905微功率模塊資料匯總

    標簽: 2012 nRF 905 08

    上傳時間: 2013-11-09

    上傳用戶:shanxiliuxu

  • 51單片機自學筆記 387頁 13.8M 高清書簽版

    51單片機自學筆記 387頁 13.8M 高清書簽版,非常有趣的教程,超級好的覆蓋面

    標簽: 13.8 387 51單片機

    上傳時間: 2013-11-23

    上傳用戶:CHENKAI

  • 基于MCU新型智能勵磁儀的設計與實現

    提出了一種以現代化的單片機控制技術為基礎,結合D/A轉換、模擬電子開關、功率放大、液晶顯示和串行通信等技術實現對鐵磁材料的磁滯回線進行測量的新方法,并在該方法的基礎上成功設計并研制出一種新型智能勵磁儀,將新儀器與分析儀、上位機等進行聯機試驗,結果表明新儀器具有更加友好的用戶界面,所得實驗數據的精度高、可靠性好。同時新儀器具有手動/自動兩種工作模式,且可以實現與上位機的數據通信,自動化和智能化程度大大提高。

    標簽: MCU 勵磁 儀的設計

    上傳時間: 2013-11-20

    上傳用戶:sunchao524

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