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高頻功率<b>放大器</b>

  • 【問題描述】 在一個(gè)N*N的點(diǎn)陣中

    【問題描述】 在一個(gè)N*N的點(diǎn)陣中,如N=4,你現(xiàn)在站在(1,1),出口在(4,4)。你可以通過上、下、左、右四種移動(dòng)方法,在迷宮內(nèi)行走,但是同一個(gè)位置不可以訪問兩次,亦不可以越界。表格最上面的一行加黑數(shù)字A[1..4]分別表示迷宮第I列中需要訪問并僅可以訪問的格子數(shù)。右邊一行加下劃線數(shù)字B[1..4]則表示迷宮第I行需要訪問并僅可以訪問的格子數(shù)。如圖中帶括號(hào)紅色數(shù)字就是一條符合條件的路線。 給定N,A[1..N] B[1..N]。輸出一條符合條件的路線,若無解,輸出NO ANSWER。(使用U,D,L,R分別表示上、下、左、右。) 2 2 1 2 (4,4) 1 (2,3) (3,3) (4,3) 3 (1,2) (2,2) 2 (1,1) 1 【輸入格式】 第一行是數(shù)m (n < 6 )。第二行有n個(gè)數(shù),表示a[1]..a[n]。第三行有n個(gè)數(shù),表示b[1]..b[n]。 【輸出格式】 僅有一行。若有解則輸出一條可行路線,否則輸出“NO ANSWER”。

    標(biāo)簽: 點(diǎn)陣

    上傳時(shí)間: 2014-06-21

    上傳用戶:llandlu

  • 離散實(shí)驗(yàn) 一個(gè)包的傳遞 用warshall

     實(shí)驗(yàn)源代碼 //Warshall.cpp #include<stdio.h> void warshall(int k,int n) { int i , j, t; int temp[20][20]; for(int a=0;a<k;a++) { printf("請(qǐng)輸入矩陣第%d 行元素:",a); for(int b=0;b<n;b++) { scanf ("%d",&temp[a][b]); } } for(i=0;i<k;i++){ for( j=0;j<k;j++){ if(temp[ j][i]==1) { for(t=0;t<n;t++) { temp[ j][t]=temp[i][t]||temp[ j][t]; } } } } printf("可傳遞閉包關(guān)系矩陣是:\n"); for(i=0;i<k;i++) { for( j=0;j<n;j++) { printf("%d", temp[i][ j]); } printf("\n"); } } void main() { printf("利用 Warshall 算法求二元關(guān)系的可傳遞閉包\n"); void warshall(int,int); int k , n; printf("請(qǐng)輸入矩陣的行數(shù) i: "); scanf("%d",&k); 四川大學(xué)實(shí)驗(yàn)報(bào)告 printf("請(qǐng)輸入矩陣的列數(shù) j: "); scanf("%d",&n); warshall(k,n); } 

    標(biāo)簽: warshall 離散 實(shí)驗(yàn)

    上傳時(shí)間: 2016-06-27

    上傳用戶:梁雪文以

  • 道理特分解法

    #include "iostream" using namespace std; class Matrix { private: double** A; //矩陣A double *b; //向量b public: int size; Matrix(int ); ~Matrix(); friend double* Dooli(Matrix& ); void Input(); void Disp(); }; Matrix::Matrix(int x) { size=x; //為向量b分配空間并初始化為0 b=new double [x]; for(int j=0;j<x;j++) b[j]=0; //為向量A分配空間并初始化為0 A=new double* [x]; for(int i=0;i<x;i++) A[i]=new double [x]; for(int m=0;m<x;m++) for(int n=0;n<x;n++) A[m][n]=0; } Matrix::~Matrix() { cout<<"正在析構(gòu)中~~~~"<<endl; delete b; for(int i=0;i<size;i++) delete A[i]; delete A; } void Matrix::Disp() { for(int i=0;i<size;i++) { for(int j=0;j<size;j++) cout<<A[i][j]<<" "; cout<<endl; } } void Matrix::Input() { cout<<"請(qǐng)輸入A:"<<endl; for(int i=0;i<size;i++) for(int j=0;j<size;j++){ cout<<"第"<<i+1<<"行"<<"第"<<j+1<<"列:"<<endl; cin>>A[i][j]; } cout<<"請(qǐng)輸入b:"<<endl; for(int j=0;j<size;j++){ cout<<"第"<<j+1<<"個(gè):"<<endl; cin>>b[j]; } } double* Dooli(Matrix& A) { double *Xn=new double [A.size]; Matrix L(A.size),U(A.size); //分別求得U,L的第一行與第一列 for(int i=0;i<A.size;i++) U.A[0][i]=A.A[0][i]; for(int j=1;j<A.size;j++) L.A[j][0]=A.A[j][0]/U.A[0][0]; //分別求得U,L的第r行,第r列 double temp1=0,temp2=0; for(int r=1;r<A.size;r++){ //U for(int i=r;i<A.size;i++){ for(int k=0;k<r-1;k++) temp1=temp1+L.A[r][k]*U.A[k][i]; U.A[r][i]=A.A[r][i]-temp1; } //L for(int i=r+1;i<A.size;i++){ for(int k=0;k<r-1;k++) temp2=temp2+L.A[i][k]*U.A[k][r]; L.A[i][r]=(A.A[i][r]-temp2)/U.A[r][r]; } } cout<<"計(jì)算U得:"<<endl; U.Disp(); cout<<"計(jì)算L的:"<<endl; L.Disp(); double *Y=new double [A.size]; Y[0]=A.b[0]; for(int i=1;i<A.size;i++ ){ double temp3=0; for(int k=0;k<i-1;k++) temp3=temp3+L.A[i][k]*Y[k]; Y[i]=A.b[i]-temp3; } Xn[A.size-1]=Y[A.size-1]/U.A[A.size-1][A.size-1]; for(int i=A.size-1;i>=0;i--){ double temp4=0; for(int k=i+1;k<A.size;k++) temp4=temp4+U.A[i][k]*Xn[k]; Xn[i]=(Y[i]-temp4)/U.A[i][i]; } return Xn; } int main() { Matrix B(4); B.Input(); double *X; X=Dooli(B); cout<<"~~~~解得:"<<endl; for(int i=0;i<B.size;i++) cout<<"X["<<i<<"]:"<<X[i]<<" "; cout<<endl<<"呵呵呵呵呵"; return 0; } 

    標(biāo)簽: 道理特分解法

    上傳時(shí)間: 2018-05-20

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  • 先進(jìn)的高壓大功率器件——原理 特性和應(yīng)用

    本書共11章。 第1章簡要介紹了高電壓功率器件的可能應(yīng)用, 定義了理想功率開關(guān)的電特性, 并與典型器件的電特性進(jìn)行了比較。 第2章和第3章分析了硅基功率晶閘管和碳化硅基功率晶閘管。 第4章討論了硅門極關(guān)斷 (GTO) 晶閘管結(jié)構(gòu)。 第5章致力于分析硅基IGBT結(jié)構(gòu), 以提供對(duì)比分析的標(biāo)準(zhǔn)。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的結(jié)構(gòu)。 碳化硅MOSFET 和IGBT的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)重點(diǎn)在于保護(hù)柵氧化層, 以防止其提前擊穿。 另外, 必須屏蔽基區(qū),以避免擴(kuò)展擊穿。 這些器件的導(dǎo)通電壓降由溝道電阻和緩沖層設(shè)計(jì)所決定。 第8章和第9章討論了金屬氧化物半導(dǎo)體控制晶閘(MCT) 結(jié)構(gòu)和基極電阻控制晶閘管 (BRT) 結(jié)構(gòu), 后者利用MOS柵控制晶閘管的導(dǎo)通和關(guān)斷。 第10章介紹了發(fā)射極開關(guān)晶閘(EST), 該種結(jié)構(gòu)也利用一種MOS柵結(jié)構(gòu)來控制晶閘管的導(dǎo)通與關(guān)斷, 并可利用IGBT加工工藝來制造。 這種器件具有良好的安全工作區(qū)。本書最后一章比較了書中討論的所有高壓功率器件結(jié)構(gòu)。本書的讀者對(duì)象包括在校學(xué)生、 功率器件設(shè)計(jì)制造和電力電子應(yīng)用領(lǐng)域的工程技術(shù)人員及其他相關(guān)專業(yè)人員。 本書適合高等院校有關(guān)專業(yè)用作教材或?qū)I(yè)參考書, 亦可被電力電子學(xué)界和廣大的功率器件和裝置生產(chǎn)企業(yè)的工程技術(shù)人員作為參考書之用。

    標(biāo)簽: 大功率器件

    上傳時(shí)間: 2021-11-02

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  • 鎖模激光的相干多普勒激光雷達(dá)研究

    這是一篇哈爾濱工業(yè)大學(xué)2012年 物理電子學(xué)工學(xué)博士的畢業(yè)論文。相干多普勒激光雷達(dá)是測量遙感風(fēng)場和運(yùn)動(dòng)目標(biāo)速度的有力工具。相干多普勒激光雷達(dá)的發(fā)射源普遍使用單縱模激光器,而鎖模激光所具有的寬頻譜、窄脈寬、高峰值功率等特性使其在作為相干激光雷達(dá)發(fā)射源方面具有潛在的應(yīng)用價(jià)值。本文從理論上和實(shí)驗(yàn)上對(duì)基于鎖模激光的相干多普勒激光雷達(dá)進(jìn)行了研究。 理論上,在單頻外差探測原理的基礎(chǔ)上,考慮了具有 m+1 個(gè)模式、縱模間隔為 ω 的本振光,與發(fā)生了 Δω 頻移的信號(hào)光相干拍頻后的理論模型,證明了相位差恒定的鎖模激光可以實(shí)現(xiàn)相干混頻,并可以通過低通濾波或 FFT 頻譜分析的方式檢測出差頻信號(hào)。利用這一理論模型進(jìn)行了數(shù)值模擬計(jì)算,分析了信號(hào)光在不同的頻移值時(shí)的拍頻波形,討論了實(shí)現(xiàn)相干探測本振光與信號(hào)光應(yīng)滿足的條件。 基于相干多普勒激光雷達(dá)系統(tǒng)對(duì)發(fā)射光源的要求,進(jìn)行了鎖模激光器的實(shí)驗(yàn)研究。通過使用不同的鎖模器件得到鎖模激光輸出,其中主動(dòng)鎖模和調(diào) Q 主動(dòng)鎖模都獲得了單脈沖寬度在百皮秒量級(jí)、鎖模深度 100%、鎖模幾率 95%以上的穩(wěn)定的鎖模脈沖序列輸出。對(duì)被動(dòng)鎖模、主動(dòng)鎖模、調(diào) Q 主動(dòng)鎖模的激光輸出特性進(jìn)行了對(duì)比研究,主動(dòng)鎖模脈沖序列包絡(luò)時(shí)間較長但峰值功率較低,而調(diào) Q 主動(dòng)鎖模峰值功率高但包絡(luò)時(shí)間較短,不同類型的激光輸出為后續(xù)的相干測速實(shí)驗(yàn)提供了多種選擇。 利用聲光移頻器模擬外差探測中信號(hào)光發(fā)生的多普勒頻移,進(jìn)行了鎖模激光拍頻實(shí)驗(yàn)研究,并與單縱模激光拍頻實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了比較。使用鎖模激光在頻移為 30 ~ 80 MHz 的范圍內(nèi)進(jìn)行了拍頻實(shí)驗(yàn)研究,拍頻波形及信號(hào)處理的結(jié)果均與理論分析相符, 測量結(jié)果的相對(duì)誤差在 0.5%以下。 分別使用脈寬為 10 ns和 16 ns 的調(diào) Q 單縱模脈沖進(jìn)行拍頻,在信號(hào)光頻移為 150 MHz 時(shí)測量結(jié)果的相對(duì)誤差分別為 3.7%和 1.6%。對(duì)比實(shí)驗(yàn)結(jié)果發(fā)現(xiàn),調(diào) Q 單縱模脈沖由于有限的脈寬限制了拍頻后包絡(luò)的數(shù)量,導(dǎo)致誤差相對(duì)較大,而鎖模脈沖序列由于具有較長包絡(luò)時(shí)間,在測量較低頻移值時(shí)仍具有較高的精度,即測量低速目標(biāo)時(shí)更具有優(yōu)勢。在具有較長包絡(luò)時(shí)間的同時(shí),鎖模激光還具有高峰值功率和窄脈寬的特點(diǎn)。使用光纖耦合的方式進(jìn)行了相干拍頻實(shí)驗(yàn),得到了穩(wěn)定的相干拍頻波形,F(xiàn)FT 頻譜分析的結(jié)果與設(shè)定值和理論分析相符。

    標(biāo)簽: 激光雷達(dá)

    上傳時(shí)間: 2022-02-12

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  • 12v1500w正弦波逆變器全套資料 包括電原理圖,PCB文件,元器件清單等

    12v1500w正弦波逆變器,全套包括電原理圖,PCB文件,元器件清單,變壓器制作方法,樣機(jī)調(diào)試,實(shí)物照片.一分錢一分貨,按照步驟來,必定成功,這個(gè)逆變器效率超過91%。變壓器換成鐵氧體磁環(huán),效率更高。功率底板原理圖前級(jí)DCDC升壓原理圖溫控風(fēng)扇原理圖SPWM正弦波驅(qū)動(dòng)電路原理圖全家福

    標(biāo)簽: 逆變器 正弦波

    上傳時(shí)間: 2022-03-21

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  • 基于AVR單片機(jī)的超聲波電源的研究

    隨著新理論、新器件、新技術(shù)的不斷出現(xiàn)或成熟,功率超聲技術(shù)在國民經(jīng)濟(jì)各個(gè)部門中日益廣泛應(yīng)用。超聲波電源為超聲波換能器提供電能,超聲波換能器將電能轉(zhuǎn)換為動(dòng)能,完成超聲波清洗、防垢除垢等功能。本文主要對(duì)高頻超聲波電源進(jìn)行了理論分析與設(shè)計(jì)。    首先對(duì)超聲波電源基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析,提出了超聲波電源功放電路可以采用的三種方案:半橋功率放大電路、全橋功率放大電路、推挽功率放大電路。通過對(duì)比分析了各種方案的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn),確定了超聲波電源功率放大電路的方案。針對(duì)超聲波電源的具體要求,設(shè)計(jì)了整流濾波電路,功率放大電路、驅(qū)動(dòng)電路、緩沖電路、功率反饋電路、保護(hù)電路。其中,給出了整流濾波電路和功率放大電路的參數(shù)計(jì)算。    其次對(duì)超聲波換能器的特性進(jìn)行了分析,介紹了超聲波換能器的串聯(lián)諧振頻率和并聯(lián)諧振頻率。然后對(duì)幾種常用的匹配網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行了分析,包括單個(gè)電感的匹配、電感-電容匹配、改進(jìn)的電感-電容匹配,分析了其優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。    然后由于超聲波電源需具有性能高、功率大、成本低的特點(diǎn),要求能較好適應(yīng)超聲波換能器阻抗變化、頻率漂移等所帶來的疑難問題。本文介紹了超聲波電源幾種常見的頻率跟蹤方案。本文研究的是一種傳統(tǒng)的自激式超聲波電源,串聯(lián)諧振頻率在20KHz左右,頻率跟蹤采用負(fù)載分壓式反饋系統(tǒng),在以前手動(dòng)調(diào)節(jié)電感的基礎(chǔ)上,通過在反饋回路添加通過AVR單片機(jī)控制數(shù)字電感來跟蹤超聲波換能器的諧振頻率,易操作,能穩(wěn)定運(yùn)行。    最后在理論設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上,對(duì)超聲波電源各個(gè)組成電路進(jìn)行了實(shí)際制作,在超聲波電源與超聲波換能器匹配無誤、工作穩(wěn)定后,對(duì)有關(guān)電路進(jìn)行了現(xiàn)場試驗(yàn)驗(yàn)證。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,該超聲波電源具有一定的使用價(jià)值。

    標(biāo)簽: avr單片機(jī) 超聲波電源

    上傳時(shí)間: 2022-06-08

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  • 智能數(shù)控直流穩(wěn)壓電源完整論文資料

    源技術(shù)尤其是數(shù)控電源技術(shù)是一門實(shí)踐性很強(qiáng)的工程技術(shù),服務(wù)于各行各業(yè)。電力電子技術(shù)是電能的最佳應(yīng)用技術(shù)之一。當(dāng)今電源技術(shù)融合了電氣、電子、系統(tǒng)集成、控制理論、材料等諸多學(xué)科領(lǐng)域。隨著計(jì)算機(jī)和通訊技術(shù)發(fā)展而來的現(xiàn)代信息技術(shù)革命,給電力電子技術(shù)提供了廣闊的發(fā)展前景,同時(shí)也給電源提出了更高的要求。隨著數(shù)控電源在電子裝置中的普遍使用,普通電源在工作時(shí)產(chǎn)生的誤差,會(huì)影響整個(gè)系統(tǒng)的精確度。電源在使用時(shí)會(huì)造成很多不良后果,世界各國紛紛對(duì)電源產(chǎn)品提出了不同要求并制定了一系列的產(chǎn)品精度標(biāo)準(zhǔn)。只有滿足產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn),才能夠進(jìn)入市場。隨著經(jīng)濟(jì)全球化的發(fā)展,滿足國際標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品才能獲得進(jìn)出的通行證。數(shù)控電源是從80 年代才真正的發(fā)展起來的,期間系統(tǒng)的電力電子理論開始建立。這些理論為其后來的發(fā)展提供了一個(gè)良好的基礎(chǔ)。在以后的一段時(shí)間里,數(shù)控電源技術(shù)有了長足的發(fā)展。但其產(chǎn)品存在數(shù)控程度達(dá)不到要求、分辨率不高、功率密度比較低、可靠性較差的缺點(diǎn)。因此數(shù)控電源主要的發(fā)展方向,是針對(duì)上述缺點(diǎn)不斷加以改善。單片機(jī)技術(shù)及電壓轉(zhuǎn)換模塊的出現(xiàn)為精確數(shù)控電源的發(fā)展提供了有利的條件。新的變換技術(shù)和控制理論的不斷發(fā)展,各種類型專用集成電路、數(shù)字信號(hào)處理器件的研制應(yīng)用,到90 年代,己出現(xiàn)了數(shù)控精度達(dá)到0.05V 的數(shù)控電源,功率密度達(dá)到每立方英寸50W 的數(shù)控電源。從組成上,數(shù)控電源可分成器件、主電路與控制等三部分。目前在電力電子器件方面,幾乎都為旋紐開關(guān)調(diào)節(jié)電壓,調(diào)節(jié)精度不高,而且經(jīng)常跳變,使用麻煩

    標(biāo)簽: 直流穩(wěn)壓電源

    上傳時(shí)間: 2022-07-27

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  • 小信號(hào)放大器的設(shè)計(jì) 1. 放大器是射頻/微波系統(tǒng)的必不可少的部件。 2. 放大器有低噪聲、小信號(hào)、高增益、中功率、大功率等。 3. 放大器按工作點(diǎn)分有A、AB、B、C、D…等類型。 4. 放大

    小信號(hào)放大器的設(shè)計(jì) 1. 放大器是射頻/微波系統(tǒng)的必不可少的部件。 2. 放大器有低噪聲、小信號(hào)、高增益、中功率、大功率等。 3. 放大器按工作點(diǎn)分有A、AB、B、C、D…等類型。 4. 放大器指標(biāo)有:頻率范圍、動(dòng)態(tài)范圍、增益、噪聲系數(shù)、工作效率、1dB壓縮點(diǎn)、三階交調(diào)等。

    標(biāo)簽: 放大器 小信號(hào) 射頻 低噪聲

    上傳時(shí)間: 2016-02-10

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  • A B AB D類音頻功率放大器簡介

    該文檔為A、B、AB、D類音頻功率放大器簡介文檔,是一份很不錯(cuò)的參考資料,具有較高參考價(jià)值,感興趣的可以下載看看………………

    標(biāo)簽: ab 音頻 功率放大器

    上傳時(shí)間: 2021-11-28

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