電路連接
由于數碼管品種多樣，還有共陰共陽的，下面我們使用一個數碼管段碼生成器（在文章結尾） 去解決不同數碼管的問題：
本例作者利用手頭現有的一位不知品牌的共陽數碼管：型號D5611 A/B，在Eagle 找了一個 類似的型號SA56-11，引腳功能一樣可以直接代換。所以下面電路圖使用SA56-11 做引腳說明。
注意：
1. 將數碼管的a~g 段，分別接到Arduino 的D0~D6 上面。如果你手上的數碼管未知的話，可以通過通電測量它哪個引腳對應哪個字段，然后找出a~g 即可。
2. 分清共陰還是共陽。共陰的話，接220Ω電阻到電源負極；共陽的話，接220Ω電阻到電源+5v。
3. 220Ω電阻視數碼管實際工作亮度與手頭現有原件而定，不一定需要準確。
4. 按下按鈕即停。
源代碼
由于我是按照段碼生成器默認接法接的，所以不用修改段碼生成器了，直接在段碼生成器選擇共陽極，再按“自動”生成數組就搞定。
下面是源代碼，由于偷懶不用寫循環，使用了部分AVR 語句。
PORTD 這個是AVR 的端口輸出控制語句，8 位對應D7~D0，PORTD=00001001 就是D3 和D0 是高電平。
PORTD = a;就是找出相應的段碼輸出到D7~D0。
DDRD 這個是AVR 語句中控制引腳作為輸出/輸入的語句。DDRD = 0xFF;就是D0~D7 全部
作為輸出腳了。
ARDUINO CODECOPY
/*
Arduino 單數碼管骰子
Ansifa 2011-12-28
*/
//定義段碼表，表中十個元素由LED 段碼生成器生成，選擇了共陽極。
inta[10] = {0xC0, 0xF9, 0xA4, 0xB0, 0x99, 0x92, 0x82, 0xF8, 0x80, 0x90};
voidsetup()
{
DDRD = 0xFF; //AVR 定義PortD 的低七位全部用作輸出使用。即0xFF=B11111111對
應D7~D0
pinMode(12, INPUT); //D12用來做骰子暫停的開關
}
voidloop()
{
for(int i = 0; i < 10; i++)
{
//將段碼輸出PortD 的低7位，即Arduino 的引腳D0~D6，這樣需要取出PORTD 最高位，即
D7的狀態，與段碼相加，之后再輸出。
PORTD = a[i];
delay(50); //延時50ms
while(digitalRead(12)) {} //如果D12引腳高電平，則在此死循環,暫停LED 跑
動
}
}
標簽：
Arduino
10
數碼管
實驗
上傳時間：
2013-10-15
上傳用戶：baitouyu
采用射頻等離子體增強化學氣相沉積(RF2PECVD)技術制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結構為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調節電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時間,優化了太陽能電池的制備工藝。結果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結構可以應用到電池上;當P 型晶化硅層沉積時間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結構電池特性最好,效率達6. 40 %。通過調整P 型晶化硅薄膜的結構特征,將能進一步改善電池的性能。
標簽：
NIP
非晶硅
薄膜太陽能電池
上傳時間：
2013-11-21
上傳用戶：wanqunsheng
