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高頻電路；無線發(fā)射

  • altera Quartus II 減法器使用 配合LED

    altera Quartus II 減法器使用 配合LED，可自動與手動按鈕控製。 (含電路)

    標(biāo)簽： Quartus altera LED II

    上傳時間： 2013-12-13

    上傳用戶：王楚楚

  • altera Quartus II TLC晶片控制 可控制暫存器

    altera Quartus II TLC晶片控制 可控制暫存器，手動調(diào)整內(nèi)碼。 (含電路)

    標(biāo)簽： Quartus altera TLC 控制

    上傳時間： 2016-02-13

    上傳用戶：Zxcvbnm

  • altera Quartus II modelSim 自動模擬搭配

    altera Quartus II modelSim 自動模擬搭配，內(nèi)有範(fàn)例。 (含電路)

    標(biāo)簽： modelSim Quartus altera II

    上傳時間： 2016-02-13

    上傳用戶：lz4v4

  • 一款用于制作菜單的Java小程序

    一款用于制作菜單的Java小程序，可以對制作出迷人的高亮效果菜單；支持子菜單和復(fù)合框架結(jié)構(gòu)；制作的菜單小巧、協(xié)調(diào)等 baidu

    標(biāo)簽： Java 菜單 程序

    上傳時間： 2014-07-23

    上傳用戶：zsjinju

  • S變換是較新的時頻分析工具

    S變換是較新的時頻分析工具，甩在低頻段有較寬的的時間窗，以獲得較高的頻率分辨率；而在高頻段時間窗窄，以獲得較高的時間分辨率。這里給出了ST和GST（廣義S變換）的函數(shù)。

    標(biāo)簽： S變換 時頻分析

    上傳時間： 2013-12-14

    上傳用戶：hwl453472107

  • 關(guān)於宏晶STC89C51單片機(jī)IC芯片的詳細(xì)資料

    關(guān)於宏晶STC89C51單片機(jī)IC芯片的詳細(xì)資料，內(nèi)有很多簡單電路。

    標(biāo)簽： STC 89C C51 89

    上傳時間： 2013-12-02

    上傳用戶：佳期如夢

  • 在通訊系統(tǒng)中常見到的cordic

    在通訊系統(tǒng)中常見到的cordic，是個用很少複雜度就能實現(xiàn)三角函數(shù)的電路，檔案中有C語言的CORDIC程式

    標(biāo)簽： cordic 系統(tǒng)

    上傳時間： 2017-03-07

    上傳用戶：lepoke

  • ：以ARM9系列芯片S I、R912I W4,1X為核心

    ：以ARM9系列芯片S I、R912I W4,1X為核心，主要針對中低檔扣普及性車型，設(shè)計和開發(fā)符合國家標(biāo)準(zhǔn)的新型汽車行駛記錄儀． 介紹了行駛記錄儀硬件，軟件結(jié)構(gòu)．包括數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)存儲、與P(、機(jī)進(jìn)行串口和USB通訊、I CD顯示、GI S定位系統(tǒng)等在內(nèi)的硬軟件的組成部分．通過模擬實驗研究。該記錄儀可靠性高、使用方便； 自動導(dǎo)航和定位系統(tǒng)，包括全球衛(wèi)星定位系統(tǒng)和電子地圖也取得了較好的使用效果．

    標(biāo)簽： R912I ARM9 系列芯片 核心

    上傳時間： 2014-01-26

    上傳用戶：huql11633

  • FLIR 雷達(dá) 重要技術(shù)單元

    文件中詳細(xì)列舉出FLIR雷達(dá)產(chǎn)品所使用的頻率波段以及發(fā)射功率資訊！

    標(biāo)簽： FLIR 雷達(dá)

    上傳時間： 2015-03-18

    上傳用戶：戴斗笠的神秘人

  • ESD Protection in CMOS ICs

    在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn)，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。 在次微米技術(shù)中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發(fā)展出所謂 Salicide 製程

    標(biāo)簽： Protection CMOS ESD ICs in

    上傳時間： 2020-06-05

    上傳用戶：shancjb

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