亚洲欧美第一页_禁久久精品乱码_粉嫩av一区二区三区免费野_久草精品视频

蟲蟲首頁| 資源下載| 資源專輯| 精品軟件
登錄| 注冊

龍芯一號

  • DU1763一款兼容可控硅調光器的高壓線性恒流控制器

    DU1763是一款兼容可控硅調光器的高壓線性恒流控制器，可直接驅動多通道LED燈串。其電源系統結構簡單，只需很少的外圍元件就可以實現優秀的恒流特性的調光特性。主要應用于對體積、成本要求苛刻的非隔離兼容可控硅調光器的LED恒流驅動電源系統。同時由于無需電解電容及磁性元件等特點，可以實現很長的電源壽命。 DU1763可以根據實際應用情況去選擇三通道或二勇斗。DU1763還可以多芯片并聯或串聯應用：其輸出電流可通過電流采樣電阻進行編程。可自適輸出LED燈串的電壓大小。 DU1763集成了專利的防過沖技術和過溫補償功能。DU1763還集成了各種保護功能，包括輸出短路、輸出開路、過溫保護。從而提高了LED恒流電源的可靠性。

    標簽： 1763 DU 兼容 可控硅調光器

    上傳時間： 2013-11-06

    上傳用戶：llandlu

  • 一種配電網拓撲跟蹤方法及其應用

    為了滿足實時跟蹤的需求，在分析了3種配電網拓撲跟蹤算法的基礎上，提出了一種電網全局以母線為節點遍歷和設備單元局部更新相結合的新型實時跟蹤算法。為了便于說明算法的應用，文中還對電網拓撲變化和跟蹤算法進行了闡述。最后在一個大型鋼鐵企業的配電網仿真系統中進行了實際的應用，該仿真說明了該跟蹤算法是有效的。

    標簽： 配電網 拓撲

    上傳時間： 2013-11-06

    上傳用戶：zhuce80001

  • 一種高電源抑制比的CMOS帶隙基準電壓源設計

    介紹一種基于CSMC0.5 μm工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準電路。本文在原有Banba帶隙基準電路的基礎上，通過采用共源共柵電流鏡結構和引入負反饋環路的方法，大大提高了整體電路的電源抑制比。 Spectre仿真分析結果表明：在-40~100 ℃的溫度范圍內，輸出電壓擺動僅為1.7 mV，在低頻時達到100 dB以上的電源抑制比（PSRR），整個電路功耗僅僅只有30 μA。可以很好地應用在低功耗高電源抑制比的LDO芯片設計中。

    標簽： CMOS 高電源抑制 帶隙基準 電壓源

    上傳時間： 2013-10-27

    上傳用戶：thesk123

  • 一種單相電路無功電流實時檢測新方法的研究

    一種單相電路無功電流實時檢測新方法的研究

    標簽： 單相 電路 無功電流 實時檢測

    上傳時間： 2013-10-28

    上傳用戶：穿著衣服的大衛

  • 一種非常實用的Boost升壓電路原理詳解

    一種非常實用的Boost升壓電路原理詳解

    標簽： Boost 升壓 電路原理

    上傳時間： 2013-10-29

    上傳用戶：gundan

  • 一種平均電流控制型開關調節系統的建模

    文中對BUCK型DC_DC變換器進行了系統建模。為了得到包含平均電流調節開關控制方式的雙環控制系統的簡化模型，提出了一種電流環閉環傳遞函數的近似函數，并分別對電流控制器，電流補償網絡和功率級進行了建模，采用Mathcad進行仿真，得到系統相位裕度達到54°的結果。

    標簽： 電流控制 開關調節系統 建模

    上傳時間： 2014-12-24

    上傳用戶：lunshaomo

  • 一種無片外電容LDO的瞬態增強電路設計

    利用RC高通電路的思想，針對LDO提出了一種新的瞬態增強電路結構。該電路設計有效地加快了LDO的瞬態響應速度，而且瞬態增強電路工作的過程中，系統的功耗并沒有增加。此LDO芯片設計采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信號工藝。仿真結果表明：整個LDO是靜態電流為3.2 μA；相位裕度保持在90.19°以上；在電源電壓為1.8 V，輸出電壓為1.3 V的情況下，當負載電流在10 ns內由100 mA降到50 mA時，其建立時間由原來的和28 μs減少到8 μs；而在負載電流為100 mA的條件下，電源電壓在10 ns內，由1.8 V跳變到2.3 V時，輸出電壓的建立時間由47 μs降低為15 μs。

    標簽： LDO 無片外電容 瞬態 電路設計

    上傳時間： 2013-12-20

    上傳用戶：niumeng16

  • 一種高電源抑制比全工藝角低溫漂CMOS基準電壓源

    基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝，設計了一種高電源抑制比，同時可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準電路。首先采用一個具有高電源抑制比的基準電壓，通過電壓放大器放大得到穩定的電壓，以提供給帶隙核心電路作為供電電源，從而提高了電源抑制比。另外，將電路中的關鍵電阻設置為可調電阻，從而可以改變正溫度電壓的系數，以適應不同工藝下負溫度系數的變化，最終得到在全工藝角下低溫漂的基準電壓。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz時電源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz時（PSRR）達到-64 dB；在4 V電源電壓下，在-40～80 ℃范圍內的不同工藝角下，溫度系數均可達到5.6×10-6 V/℃以下。

    標簽： CMOS 高電源抑制 工藝 基準電壓源

    上傳時間： 2014-12-03

    上傳用戶：88mao

  • 一種實驗用直流穩壓電源的設計

    在分析直流穩壓電源存在問題的基礎上，設計并制作了一種以AT89C51為核心的智能直流穩壓電源。該電源采用數字調節和輸出精度高，且兼具完善的保護功能，成本低，同時控制系統在軟件上還可以進一步改進，不需要增加硬件成本，從而提高穩壓電源的性價比。

    標簽： 實驗 直流穩壓電源

    上傳時間： 2013-10-21

    上傳用戶：1397412112

  • 鐵芯與骨架

    鐵芯與骨架

    標簽： 鐵芯

    上傳時間： 2013-10-22

    上傳用戶：sxdtlqqjl

主站蜘蛛池模板： 曲阳县| 聂拉木县| 松原市| 翼城县| 甘南县| 阿坝县| 炉霍县| 浮山县| 兴城市| 巴彦淖尔市| 阳朔县| 象山县| 抚州市| 台北县| 郴州市| 图们市| 阿克陶县| 海口市| 镇江市| 凯里市| 和平区| 工布江达县| 鹤庆县| 文成县| 临猗县| 孟连| 台湾省| 长子县| 泾川县| 呼图壁县| 扶风县| 梁平县| 岳阳县| 建阳市| 鱼台县| 保亭| 扬州市| 都昌县| 武清区| 陈巴尔虎旗| 绥芬河市|