摘要：對LDO線性穩壓器關鍵技術進行了分析，重點分析了LDO穩壓器的穩定性問題，在此基礎上提出了一種新型的動態頻率補償電路，利用MOS管的開關電阻、寄生電容等構成的電阻電容網絡，通過采樣負載電流而改變MOS開關管的工作點或工作狀態，即改變開關電阻、寄生電容的值，從而實現動態的頻率補償。與傳統方法相比，該電路大大提高了系統的瞬態響應性能。 關鍵詞：LDO；穩定性；ESR；動態頻率補償
標簽： LDO 線性穩壓器 動態 電路設計
上傳時間： 2013-11-14
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LDO 基本原理與設計
標簽： LDO
上傳時間： 2013-10-30
上傳用戶：silenthink
電路如果存在不穩定性因素，就有可能出現振蕩。本文對比分析了傳統LDO和無片電容LDO的零極點，運用電流緩沖器頻率補償設計了一款無片外電容LDO，電流緩沖器頻率補償不僅可減小片上補償電容而且可以增加帶寬。對理論分析結果在Cadence平臺基上于CSMC0.5um工藝對電路進行了仿真驗證。本文無片外電容LDO的片上補償電容僅為3 pF，減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V，輸出電壓為3.5 V。當在輸入電源電壓6 V時輸出電流從100 μA到100 mA變化時，最小相位裕度為830，最小帶寬為4.58 MHz
標簽： LDO 無片外電容 穩定性分析
上傳時間： 2014-12-24
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利用RC高通電路的思想，針對LDO提出了一種新的瞬態增強電路結構。該電路設計有效地加快了LDO的瞬態響應速度，而且瞬態增強電路工作的過程中，系統的功耗并沒有增加。此LDO芯片設計采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信號工藝。仿真結果表明：整個LDO是靜態電流為3.2 μA；相位裕度保持在90.19°以上；在電源電壓為1.8 V，輸出電壓為1.3 V的情況下，當負載電流在10 ns內由100 mA降到50 mA時，其建立時間由原來的和28 μs減少到8 μs；而在負載電流為100 mA的條件下，電源電壓在10 ns內，由1.8 V跳變到2.3 V時，輸出電壓的建立時間由47 μs降低為15 μs。
標簽： LDO 無片外電容 瞬態 電路設計
上傳時間： 2013-12-20
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LDO使用之熱阻考慮
標簽： LDO 熱阻
上傳時間： 2013-10-12
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本文詳細講述了如何選擇電源芯片，開關電源和LDO在選用時的注意事項
標簽： LDO 如何選擇 電源芯片 開關電源
上傳時間： 2013-10-11
上傳用戶：米卡
隨著通信信道的復雜度和可靠性不斷增加，人們對于電信系統的要求和期望也不斷提高。這些通信系統高度依賴于高性能、高時鐘頻率和數據轉換器器 件，而這些器件的性能又非常依賴于系統電源軌的質量。當使用一個高噪聲電源供電時，時鐘或者轉換器 IC 無法達到最高性能。僅僅只是少量的電源噪聲，便會對性能產生極大的負面影響。本文將對一種基本 LDO 拓撲進行仔細研究，找出其主要噪聲源，并給出最小化其輸出噪聲的一些方法。 表明電源品質的一個關鍵參數是其噪聲輸出，它常見的參考值為 RMS 噪聲測量或者頻譜噪聲密度。為了獲得最低 RMS 噪聲或者最佳頻譜噪聲特性，線性電壓穩壓器（例如：低壓降電壓穩壓器，LDO），始終比開關式穩壓器有優勢。這讓其成為噪聲敏感型應用的選擇。 基本 LDO 拓撲 一個簡單的線性電壓穩壓器包含一個基本控制環路，其負反饋與內部參考比較，以提供恒定電壓—與輸入電壓、溫度或者負載電流的變化或者擾動無關。 圖 1 顯示了一個 LDO 穩壓器的基本結構圖。紅色箭頭表示負反饋信號通路。輸出電壓 VOUT 通過反饋電阻 R1 和 R2 分壓，以提供反饋電壓 VFB。VFB 與誤差放大器負輸入端的參考電壓 VREF 比較，提供柵極驅動電壓 VGATE。最后，誤差信號驅動輸出晶體管 NFET，以對 VOUT 進行調節。 圖 1 LDO 負反饋環路 簡單噪聲分析以圖 2 作為開始。藍色箭頭表示由常見放大器差異代表的環路子集（電壓跟隨器或者功率緩沖器）。這種電壓跟隨器電路迫使 VOUT 跟隨 VREF。VFB 為誤差信號，其參考 VREF。在穩定狀態下，VOUT 大于 VREF，其如方程式 1 所描述：
標簽： LDO 德州儀器 家 分
上傳時間： 2013-11-11
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LDO電源芯片測試技術
標簽： LDO PSRR 測量 測試
上傳時間： 2013-11-22
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LDO和DCDC應用的場合和區別
標簽： DCDC LDO 比較
上傳時間： 2013-11-25
上傳用戶：黃華強
超低漏失線性穩壓器的技術關鍵，是基準源模塊的設計，在對雙極型LDO穩壓器進行分析的基礎上，提出了對其關鍵模塊基準電壓源進行高精度的設計的方案。
標簽： LDO 穩壓器 電壓基準源 分
上傳時間： 2013-12-07
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