介紹一種基于CSMC0.5 μm工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準電路。本文在原有Banba帶隙基準電路的基礎上，通過采用共源共柵電流鏡結構和引入負反饋環路的方法，大大提高了整體電路的電源抑制比。 Spectre仿真分析結果表明：在-40~100 ℃的溫度范圍內，輸出電壓擺動僅為1.7 mV，在低頻時達到100 dB以上的電源抑制比（PSRR），整個電路功耗僅僅只有30 μA。可以很好地應用在低功耗高電源抑制比的LDO芯片設計中。
標簽： CMOS 高電源抑制 帶隙基準 電壓源
上傳時間： 2013-10-27
上傳用戶：thesk123
凌力爾特公司提供了一個規模龐大且不斷成長的高電壓 DC/DC 轉換器繫列，這些器件是專為驅動高功率 LED 而設計的。
標簽： LED 高電壓 降壓型轉換器 驅動高功率
上傳時間： 2013-11-12
上傳用戶：playboys0
在越來越多的短時間能量存貯應用以及那些需要間歇式高能量脈衝的應用中，超級電容器找到了自己的用武之地。電源故障保護電路便是此類應用之一，在該電路中，如果主電源發生短時間故障，則接入一個後備電源，用於給負載供電
標簽： 電源故障保護 后備電池 超級電容器
上傳時間： 2014-01-08
上傳用戶：lansedeyuntkn
基于LabVIEW的高精度電流源設計與實現
標簽： LabVIEW 高精度 電流源設計
上傳時間： 2013-11-11
上傳用戶：cuiyashuo
介紹一種高電源抑制比帶隙基準電路的設計與驗證
標簽： 高電源抑制 帶隙基準 電路設計
上傳時間： 2013-10-08
上傳用戶：642778338
基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝，設計了一種高電源抑制比，同時可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準電路。首先采用一個具有高電源抑制比的基準電壓，通過電壓放大器放大得到穩定的電壓，以提供給帶隙核心電路作為供電電源，從而提高了電源抑制比。另外，將電路中的關鍵電阻設置為可調電阻，從而可以改變正溫度電壓的系數，以適應不同工藝下負溫度系數的變化，最終得到在全工藝角下低溫漂的基準電壓。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz時電源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz時（PSRR）達到-64 dB；在4 V電源電壓下，在-40～80 ℃范圍內的不同工藝角下，溫度系數均可達到5.6×10-6 V/℃以下。
標簽： CMOS 高電源抑制 工藝 基準電壓源
上傳時間： 2014-12-03
上傳用戶：88mao
TI33072高轉換率單電源運算放大器
標簽： 33072 TI tl 轉換
上傳時間： 2014-11-30
上傳用戶：rtsm07
高精度數控電源制作
標簽： 高精度 數控 電源制作
上傳時間： 2013-10-14
上傳用戶：ecooo
學習處理電源EMI的幾點體會【趙修科】
標簽： EMI 電源
上傳用戶：huyahui
高強度放電燈
標簽： 氣體放電燈 整流 效應機理 保護
上傳時間： 2013-11-03
上傳用戶：ljt101007
蟲蟲下載站版權所有 京ICP備2021023401號-1
