注冊(cè)機(jī)分為三部分，分別為PartA,PartB,PartC 此注冊(cè)機(jī)支持的軟件如下：（2011年07月17日最新版） PartA： IAR Embedded Workbench For MSC-51 v8.10 IAR Embedded Workbench For Atmel AVR v5.51 IAR Embedded Workbench For Atmel AVR32 v3.31 IAR Embedded Workbench For ARM v6.21 IAR Embedded Workbench For Renesas M16C and R8C v3.50 IAR Embedded Workbench For NEC 78K v4.71 IAR Embedded Workbench For MSP430 v5.30 IAR Embedded Workbench For Samsung SAM8 v3.10A PartB： IAR Embedded Workbench For Dallas Semiconductor/Maxim MAXQ v2.30 IAR Embedded Workbench For NEC V850 v3.80 IAR Embedded Workbench For Renesas M32C v3.30 IAR Embedded Workbench For CR16C v3.10 IAR Embedded Workbench For Renesas R32C v1.31 IAR Embedded Workbench For Microchip PIC18 v3.10A IAR Embedded Workbench For Microchip dsPIC v1.40A IAR Embedded Workbench For Renesas RX v2.30 PartC： IAR Embedded Workbench For ColdFire v1.23 IAR Embedded Workbench For HCS12 v3.20 IAR Embedded Workbench For HCS08 v1.20 IAR Embedded Workbench For STM8 v1.30 IAR Embedded Workbench For Renesas SuperH v2.10 IAR Embedded Workbench For Renesas H8 v2.30 IAR Embedded Workbench For Renesas RL78 v1.10 截止目前，IAR官網(wǎng)上24款軟件，只剩“Embedded Workbench for MK5 v1.25A”無(wú)法完成注冊(cè) 當(dāng)注冊(cè)機(jī)運(yùn)行于vista或者WIN7的系統(tǒng)下時(shí)，請(qǐng)右鍵點(diǎn)擊然后使用管理員模式運(yùn)行，或者將系統(tǒng)的UAC功能關(guān)閉后運(yùn)行。 此注冊(cè)機(jī)針對(duì)的是IAR官網(wǎng)上下載的EV版（評(píng)估板），至于從其他渠道獲得的CD版或者FULL版的軟件，沒(méi)有測(cè)試。 本注冊(cè)機(jī)僅限測(cè)試和學(xué)習(xí)IAR系列軟件之用，請(qǐng)勿用于商業(yè)用途。請(qǐng)勿在網(wǎng)絡(luò)上隨意傳播。 版本更新說(shuō)明： ---------------------------------------------------------------------------------------------------------- 20110717版： 更新 IAR Embedded Workbench For NEC 78K v4.71 更新 IAR Embedded Workbench For MSP430 v5.30 更新 IAR Embedded Workbench For Renesas RX v2.30 更新 IAR Embedded Workbench For Renesas H8 v2.30 ---------------------------------------------------------------------------------------------------------- 20110714版： 更新 IAR Embedded Workbench For ARM v6.21 ---------------------------------------------------------------------------------------------------------- 20110527版： 更新 IAR Embedded Workbench For MSC-51 v8.10 ---------------------------------------------------------------------------------------------------------- 20110512版： 更新 IAR Embedded Workbench For ARM v6.20 ---------------------------------------------------------------------------------------------------------- 20110414版： 增加 IAR Embedded Workbench For Renesas RL78 v1.10 更新 IAR Embedded Workbench For Dallas Semiconductor/Maxim MAXQ v2.30 更新 IAR Embedded Workbench For NEC V850 v3.80 更新 IAR Embedded Workbench For CR16C v3.10 更新 IAR Embedded Workbench For Renesas M32C v3.30 更新 IAR Embedded Workbench For STM8 v1.30 ---------------------------------------------------------------------------------------------------------- 20110224版： 更新 IAR Embedded Workbench For HCS08 v1.20 ---------------------------------------------------------------------------------------------------------- 20110122版： 更新 IAR Embedded Workbench For Renesas RX v2.20 ---------------------------------------------------------------------------------------------------------- 20101218版： 更新 IAR Embedded Workbench For MSP430 v5.20 ---------------------------------------------------------------------------------------------------------- 20101206版： 更新 IAR Embedded Workbench For ARM v6.10 更新 IAR Embedded Workbench For Atmel AVR v5.51 更新 IAR Embedded Workbench For Atmel AVR32 v3.31 更新 IAR Embedded Workbench For ColdFire v1.23 更新 IAR Embedded Workbench For NEC 78K v4.70 更新 IAR Embedded Workbench For Renesas M16C and R8C v3.50 更新 IAR Embedded Workbench For STM8 v1.20 ---------------------------------------------------------------------------------------------------------- 20100803版： 更新 IAR Embedded Workbench For MSC-51 v7.60 ---------------------------------------------------------------------------------------------------------- 20100615版： 更新 IAR Embedded Workbench For Renesas RX v2.10 ---------------------------------------------------------------------------------------------------------- 20100430版： 更新 IAR Embedded Workbench For Atmel AVR v5.50 更新 IAR Embedded Workbench For Renesas R32C v1.31 ---------------------------------------------------------------------------------------------------------- 20100429版： 增加 Embedded Workbench For Renesas SuperH v2.10 ---------------------------------------------------------------------------------------------------------- 20100428版： 增加 IAR Embedded Workbench For STM8 v1.10 更新 IAR Embedded Workbench For ARM v5.50 更新 IAR Embedded Workbench For MSP430 v5.10 ---------------------------------------------------------------------------------------------------------- 20100425版： 初始版本建立
標(biāo)簽： iar for 430 5.3 msp 注冊(cè)機(jī)
上傳時(shí)間： 2017-07-19
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SP1596是一款ESOP8封裝DC-DC升壓控制器，內(nèi)建10A低內(nèi)阻MOSFET，保證了轉(zhuǎn)換器的高效率。 聯(lián)系人：唐云先生（銷售工程） 手機(jī)：13530452646(微信同號(hào)) 座機(jī)：0755-33653783 （直線） Q Q: 2944353362
標(biāo)簽： SP1223F 5V3.4A降壓芯片
上傳時(shí)間： 2019-03-25
上傳用戶：lryang
基本誤差 在相關(guān)國(guó)標(biāo)、規(guī)程規(guī)定的參比條件下，輸出電流為50mA～120A裝置的最大允許誤差（含標(biāo)準(zhǔn)表）小于0.01％，輸出電流為1mA～50mA裝置的最大允許誤差（含標(biāo)準(zhǔn)表）小于0.015％。 可實(shí)現(xiàn)三只三相電能表的三相四線及三相三線的誤差測(cè)量；可測(cè)試無(wú)功電能基本誤差。 1.2.3.2 測(cè)量重復(fù)性 裝置的測(cè)量重復(fù)性用實(shí)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)差表征，在進(jìn)行不少于10次的重復(fù)測(cè)量，其測(cè)量結(jié)果的標(biāo)準(zhǔn)偏差估計(jì)值s不超過(guò)0.001％。 1.2.3.3 輸出電量 1.2.3.3.1 電壓電流量程 輸出電壓范圍：3×（57.7V～380V）； 每檔電壓輸出瞬間及相位切換時(shí)不允許有尖峰。每檔電壓輸出上限達(dá)120%Un。 輸出電流范圍：3×（0.001A～100A）； 輸出電流范圍上限要求達(dá)到120A。每檔電流輸出瞬間及相位切換時(shí)不允許有尖峰。每檔電流輸出上限達(dá)120%In。 1.2.3.3.2 輸出負(fù)載容量 三表位：電壓輸出：每相≥150VA 電流輸出: 每相≥300VA 1.2.3.3.3 輸出電量調(diào)節(jié) （1） 電壓、電流調(diào)節(jié)： 調(diào)節(jié)范圍：0%～120% 調(diào)節(jié)細(xì)度：優(yōu)于0.005%。 （2） 相位調(diào)節(jié)： 調(diào)節(jié)范圍：0°～360° 調(diào)節(jié)細(xì)度：優(yōu)于0.01°。 （3） 頻率調(diào)節(jié)： 調(diào)節(jié)范圍：45Hz～65Hz 調(diào)節(jié)細(xì)度：優(yōu)于0.001Hz。 1.2.3.3.4 輸出功率穩(wěn)定度：<0.005% / 3min . 穩(wěn)定度按JJG597的5.2.3.13方法計(jì)算。 1.2.3.3.5 輸出電壓電流失真度 裝置輸出電壓電流失真度范圍：小于0.1%。 1.2.3.3.6起動(dòng)電流：裝置具有起動(dòng)電流調(diào)整、測(cè)量功能，能輸出0.5mA的起動(dòng)電流。 起動(dòng)電流的測(cè)量誤差≤ ?5%，起動(dòng)功率的測(cè)量誤差 ≤ ?10%。 1.2.3.3.7三相電量對(duì)稱性 任一相（或線）電壓和相（或線）電壓平均值之差不大于±0.1%；各相電流與其平均值之差不大于±0.2%；任一相電壓與對(duì)應(yīng)相電流間的相位角之差不大于0.5°；任一相電壓（電流）與另一相電壓（電流）間相位角與120°之差不大于0.5°。 1.2.3.4 多路隔離輸出的裝置各路輸出負(fù)載影響應(yīng)符合JJG597—2005中 3.8條的規(guī)定。 1.2.3.5 確定同名端鈕間電位差應(yīng)符合JJG597—2005中3.9條的規(guī)定。 1.2.3.6 多路輸出的一致性應(yīng)符合JJG597—2005中3.7條的規(guī)定。 1.2.3.7 監(jiān)視示值的誤差 監(jiān)視儀表應(yīng)有足夠的測(cè)量范圍，電壓示值誤差限為±0.2%，電流、功率示值誤差限為±0.2%，相位示值誤差限為±0.3°，頻率示值誤差限為±0.1%，啟動(dòng)電流和啟動(dòng)功率的監(jiān)視示值誤差不超過(guò)5%（啟動(dòng)電流為1mA時(shí)的監(jiān)視示值誤差也不應(yīng)超過(guò)5%）。各監(jiān)視示值的分辨力應(yīng)不超過(guò)其對(duì)應(yīng)誤差限的1/5。 1.2.3.8 具有消除自激的功能。可自動(dòng)消除開機(jī)或關(guān)機(jī)時(shí)產(chǎn)生的尖脈沖。 1.2.3.9 裝置的磁場(chǎng) 由裝置產(chǎn)生的在被檢表位置的磁感應(yīng)強(qiáng)度不大于下列數(shù)值： I≤10A時(shí)，B≤0.0025mT； I=200A時(shí)，B≤0.05mT；10A到200A之間的磁感應(yīng)強(qiáng)度極限值可按內(nèi)插法求得。 1.2.3.10 電磁兼容性 （1）電磁騷擾的抗擾度 裝置的設(shè)計(jì)能保證在傳導(dǎo)和輻射的電磁騷擾以及靜電放電的影響下不損壞或不受實(shí)質(zhì)性影響（如元器件損毀、控制系統(tǒng)死機(jī)、精度出現(xiàn)變化等影響正常檢定工作的現(xiàn)象），騷擾量為靜電放電、射頻電磁場(chǎng)。 （2）無(wú)線電干擾抑制 裝置不發(fā)生能干擾其他設(shè)備的傳導(dǎo)和輻射噪聲。 1.2.3.11 穩(wěn)定性變差 （1）短期穩(wěn)定性變差 裝置基本誤差合格的同時(shí)，在15min內(nèi)的基本誤差最大變化值（連續(xù)測(cè)量7h），不大于裝置對(duì)應(yīng)最大允許誤差的20％。 （2）檢定周期內(nèi)變差 檢定周期內(nèi)裝置基本誤差合格的同時(shí)，其最大變化值，不大于0.01％。 1.2.3.12 安全 裝置的絕緣強(qiáng)度試驗(yàn)要求和與安全有關(guān)的結(jié)構(gòu)要求符合GB 4793.1的規(guī)定。 1.2.3.13 脈沖輸出 同時(shí)檢測(cè)三路被檢脈沖：顯示當(dāng)前誤差平均誤差和標(biāo)準(zhǔn)偏差；同時(shí)檢測(cè)的被檢脈沖的常數(shù)、工作方式和脈沖個(gè)數(shù)，可完全不同；誤差測(cè)量所需要的輸入?yún)?shù)的位數(shù)，應(yīng)能覆蓋目前各種標(biāo)準(zhǔn)表和的檢測(cè)需要。對(duì)每一表位應(yīng)有高頻、低頻脈沖信號(hào)的BNC接收端口，能接收≤600kHz的有/無(wú)源脈沖（5-30V脈沖幅值）。 1.2.3.14供電電源 供電電源在3×220V/380V?10?,50Hz?2Hz裝置正常工作。
上傳時(shí)間： 2021-06-15
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威世的DC芯片SIC46X手冊(cè)，4.5v-60V輸入，最大10A輸出，東西很好用
標(biāo)簽： datasheet VISHAY SIC 461
上傳時(shí)間： 2021-09-16
上傳用戶：peixuebin
輸入電壓8-150v 輸出電壓5-30V 可調(diào)電流10A
標(biāo)簽： 升壓芯片
上傳時(shí)間： 2022-01-04
上傳用戶：canderile
本資料包含完整的GJB150A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法GJB150A-2009中華人民共和國(guó)國(guó)家軍用標(biāo)準(zhǔn)代替GJB150-1986GJB150.1A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第1部分:通用要求（代替GJB150.1-86）GJB150.2A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第2部分:低氣壓（高度）試驗(yàn)（代替GJB150.2-86）GJB150.3A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法GJB150.4A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法GJB150.5A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法GJB150.7A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第7部分:太陽(yáng)輻射試驗(yàn)（代替GJB150.7-86）GJB150.8A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第8部分:淋雨試驗(yàn)（代替GJB150.8-86）GJB150.9A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第9部分:濕熱試驗(yàn)（代替GJB150.9-86）GJB150.10A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第GJB150.11A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第11部分 鹽霧試驗(yàn)（代替GJB150.11-86）GJB150.12A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第12部分:砂塵試驗(yàn)（代替GJB150.12-86）GJB150.13A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第GJB150.14A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第14部分:浸漬試驗(yàn)（代替GJB150.14-86）GJB150.15A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法GJB150.16A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第16部分振動(dòng)試驗(yàn)（代替GJB150.16-86）GJB150.17A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第17部分:噪聲試驗(yàn)（代替GJB150.17-86）GJB150.18A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法GJB150.20A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第20部分:炮擊振動(dòng)試驗(yàn)（代替GJB150.20-86）GJB150.21A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第21部分:風(fēng)壓試驗(yàn)（代替GJB150.21-87）GJB150.22A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第22部分:積冰/凍雨試驗(yàn)（代替GJB150.22-87）GJB150.23A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第23部分:傾斜和搖擺試驗(yàn)（代替GJB150.23-91）GJB150.24A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法GJB150.25A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境實(shí)驗(yàn)方法GJB150.26A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第GJB150.27A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境實(shí)驗(yàn)方法GJB150.28A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法GJB150.29A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第29部分:彈道沖擊試驗(yàn)
標(biāo)簽： 實(shí)驗(yàn)室環(huán)境
上傳時(shí)間： 2022-03-05
上傳用戶：wangshoupeng199
PW2153 是一款支持寬電壓輸入的開關(guān)降壓型 DC-DC 控制器，最高輸入電壓可超過(guò) 150V。 PW2153 具有低待機(jī)功耗、高效率、低紋波、優(yōu)異的母線電壓調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率等特性。支持大 電流輸出，輸出電流可高達(dá) 10A 以上。 PW2153 同時(shí)支持輸出恒壓和輸出恒流功能。通過(guò)設(shè)置 CS 電阻可設(shè)置輸出恒流值。通過(guò)設(shè) 置 FB1、 FB2 引腳的分壓電阻可設(shè)置輸出恒壓值。PW2153 采用固定頻率的 PWM 控制方式， 典型開關(guān)頻率為 140KHz。輕載時(shí)會(huì)自動(dòng)降低開關(guān)頻率以獲得高的轉(zhuǎn)換效率。 PW2153 內(nèi)部集成軟啟動(dòng)以及過(guò)溫保護(hù)電路，輸出短路保護(hù)，限流保護(hù)等功能，提高系統(tǒng)可 靠性。PW2153 支持輸出 5V/3A 和 12V/10A。
標(biāo)簽： 高壓降壓芯片
上傳時(shí)間： 2022-03-25
上傳用戶：XuVshu
TPS61088升壓降壓模塊原理圖/pcb輸入電壓范圍：2.7V 至 12V輸出電壓范圍：4.5 至 12.6V10A 開關(guān)電流效率高達(dá) 91%（VIN = 3.3V、VOUT = 9V 且 IOUT =3A 時(shí)）
上傳時(shí)間： 2022-04-19
上傳用戶：xsr1983
本文設(shè)計(jì)的直流無(wú)刷電機(jī)控制器是用于仿人機(jī)器人的四肢及軀干運(yùn)動(dòng)的無(wú)刷直流電機(jī)，電機(jī)工作電壓24V、最大工作電流10A。上位PC機(jī)通過(guò)RS232通訊對(duì)直流無(wú)刷電機(jī)控制器下達(dá)啟停、調(diào)速、轉(zhuǎn)向等控制命令，直流無(wú)刷電機(jī)控制器根據(jù)這些命令對(duì)直流無(wú)刷電機(jī)進(jìn)行相應(yīng)的操作。硬件部分:由單片機(jī)STC89C52、DAC芯片TLC5616、專用芯片MC33035和6個(gè)MOSFET管構(gòu)成直流無(wú)刷電機(jī)控制器，要求其具有控制電機(jī)啟停、正反轉(zhuǎn)和調(diào)速等功能。軟件部分:利用匯編語(yǔ)言編程，實(shí)現(xiàn)單片機(jī)與PC機(jī)的通訊，控制命令和數(shù)據(jù)處理，向MC33035發(fā)送控制信號(hào)，實(shí)現(xiàn)對(duì)無(wú)刷電機(jī)進(jìn)行各種操作。 無(wú)刷直流電機(jī)作為一種新型電機(jī)，它同時(shí)擁有普通直流電機(jī)和交流異步點(diǎn)擊的優(yōu)點(diǎn)，使得它取代老式的電機(jī)成為了未來(lái)電機(jī)發(fā)展的必然趨勢(shì)。近年，隨著國(guó)家經(jīng)濟(jì)和科技發(fā)展，我國(guó)的直流無(wú)刷電機(jī)生產(chǎn)，在型號(hào)和質(zhì)量等方面都取得很大提高。面對(duì)國(guó)內(nèi)外的巨大市場(chǎng)需求，直流無(wú)刷電機(jī)有著更廣闊的應(yīng)用市場(chǎng)。研發(fā)廉價(jià)穩(wěn)定，適用范圍廣泛的直流無(wú)刷電機(jī)控制器有著很大的應(yīng)用意義。
標(biāo)簽： 直流無(wú)刷電機(jī)
上傳時(shí)間： 2022-05-22
上傳用戶：fliang
GJB150A-2009中華人民共和國(guó)國(guó)家軍用標(biāo)準(zhǔn)代替GJB150-1986GJB150.1A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第1部分:通用要求（代替GJB150.1-86）GJB150.2A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第2部分:低氣壓（高度）試驗(yàn)（代替GJB150.2-86）GJB150.3A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法GJB150.4A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法GJB150.-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法GJB150.7A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第7部分:太陽(yáng)輻射試驗(yàn)（代替GJB150.7-86）GJB150.8A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第8部分:淋雨試驗(yàn)（代替GJB150.8-86）GJB150.9A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第9部分:濕熱試驗(yàn)（代替GJB150.9-86）GJB150.10A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第GJB150.11A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第11部分 鹽霧試驗(yàn)（代替GJB150.11-86）GJB150.12A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第12部分:砂塵試驗(yàn)（代替GJB150.12-86）GJB150.13A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第GJB150.14A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第14部分:浸漬試驗(yàn)（代替GJB150.14-86）GJB150.1-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法
標(biāo)簽： gjb150a
上傳時(shí)間： 2022-05-30
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