關于3g無線網優的:WCDMA無線基本原理 課程目標: ? 掌握3G移動通信的基本概念 ? 掌握3G的標準化過程 ? 掌握WCDMA的基本網絡結構以及各網元功能 ? 掌握無線通信原理 ? 掌握WCDMA的關鍵技術 參考資料: ? 《3G概述與概況》 ? 《中興通訊WCDMA基本原理》 ? 《ZXWR RNC(V3.0)技術手冊》 ? 《ZXWR NB09技術手冊》 第1章 概述 1 1.1 移動通信的發展歷程 1 1.1.1 移動通信系統的發展 1 1.1.2 移動通信用戶及業務的發展 1 1.2 3G移動通信的概念 2 1.3 為什么要發展第三代移動通信 2 1.4 3G的標準化過程 3 1.4.1 標準組織 3 1.4.2 3G技術標準化 3 1.4.3 第三代的核心網絡 4 1.4.4 IMT-2000的頻譜分配 6 1.4.5 2G向3G移動通信系統演進 7 1.4.6 WCDMA核心網絡結構的演進 11 第2章 WCDMA系統介紹 13 2.1 系統概述 13 2.2 R99網元和接口概述 14 2.2.1 移動交換中心MSC 16 2.2.2 拜訪位置寄存器VLR 16 2.2.3 網關GMSC 16 2.2.4 GPRS業務支持節點SGSN 16 2.2.5 網關GPRS支持節點GGSN 17 2.2.6 歸屬位置寄存器與鑒權中心HLR/AuC 17 2.2.7 移動設備識別寄存器EIR 17 2.3 R4網絡結構概述 17 2.3.1 媒體網關MGW 19 2.3.2 傳輸信令網關T-SGW、漫游信令網關R-SGW 20 2.4 R5網絡結構概述 20 2.4.1 媒體網關控制器MGCF 22 2.4.2 呼叫控制網關CSCF 22 2.4.3 會議電話橋分MRF 22 2.4.4 歸屬用戶服務器HSS 22 2.5 UTRAN的一般結構 22 2.5.1 RNC子系統 23 2.5.2 Node B子系統 25 第3章 擴頻通信原理 27 3.1 擴頻通信簡介 27 3.1.1 擴頻技術簡介 27 3.1.2 擴頻技術的現狀 27 3.2 擴頻通信原理 28 3.2.1 擴頻通信的定義 29 3.2.2 擴頻通信的理論基礎 29 3.2.3 擴頻與解擴頻過程 30 3.2.4 擴頻增益和抗干擾容限 31 3.2.5 擴頻通信的主要特點 32 第4章 無線通信基礎 35 4.1 移動無線信道的特點 35 4.1.1 概述 35 4.1.2 電磁傳播的分析 37 4.2 編碼與交織 38 4.2.1 信道編碼 39 4.2.2 交織技術 42 4.3 擴頻碼與擾碼 44 4.4 調制 47 第5章 WCDMA關鍵技術 49 5.1 WCDMA系統的技術特點 49 5.2 功率控制 51 5.2.1 開環功率控制 51 5.2.2 閉環功率控制 52 5.2.3 HSDPA相關的功率控制 55 5.3 RAKE接收 57 5.4 多用戶檢測 60 5.5 智能天線 62 5.6 分集技術 64 第6章 WCDMA無線資源管理 67 6.1 切換 67 6.1.1 切換概述 67 6.1.2 切換算法 73 6.1.3 基于負荷控制原因觸發的切換 73 6.1.4 基于覆蓋原因觸發的切換 74 6.1.5 基于負荷均衡原因觸發的切換 77 6.1.6 基于移動臺移動速度的切換 79 6.2 碼資源管理 80 6.2.1 上行擾碼 80 6.2.2 上行信道化碼 83 6.2.3 下行擾碼 84 6.2.4 下行信道化碼 85 6.3 接納控制 89 6.4 負荷控制 95 第7章 信道 97 7.1 UTRAN的信道 97 7.1.1 邏輯信道 98 7.1.2 傳輸信道 99 7.1.3 物理信道 101 7.1.4 信道映射 110 7.2 初始接入過程 111 7.2.1 小區搜索過程 111 7.2.2 初始接入過程 112
上傳時間: 2013-11-21
上傳用戶:tdyoung
1.增加的設備支持: Atmel AT91SAM9Rxx Cirrus Logic CS7401xx-IQZ Luminary Micro LM3S576x, LM3S5752, LM3S5747, LM3S573x, LM3S5662, LM3S5652, LM3S5632, LM3S3759, LM3S3749, and LM3S3739 NXP LPC32XX and LPC2460 STMicroelectronics STR912FAZ4X, STR912FAW4X, STR911FAW4X, STR911FAM4X, STR910FAW32, and STR910FAZ32 2.修改了NXP LPC23XX/24XX的頭文件庫 3.增加了ST-LINK II的調試支持 4.增加了對Cortex-M3 內核芯片的RTX Event Viewer 的支持 5.增加了MCBSTM32: STM32 FLASH OPTION BYTES PROGRAMMING 6.增加了ULINK2對Cortex-M3的SWV功能的調試 7.增強了使用GNU在MDK下調試M1,M3,ARM7,ARM9的調試功能( Using μVision with CodeSourcery GNU ARM Toolchain.) 8.增加了大量經典開發板例程 Boards目錄列表: ├─Embest 深圳市英蓓特公司開發板例程 │ ├─AT91EB40X-40008 │ ├─S3CEB2410 │ ├─ATEBSAM7S │ ├─LPC22EB06-I │ ├─LPCEB2000-A │ ├─LPCEB2000-B │ ├─LPCEB2000-S │ ├─str710 │ ├─str711 │ ├─str730 │ ├─str750 │ ├─STR912 │ ├─STM32V100 │ ├─STM32R100 │ ├─ATEB9200 ├─ADI ADI半導體的芯片例程 │ ├─ADuC702X │ └─ADuC712x ├─Atmel Atmel半導體的芯片例程 │ ├─AT91RM9200-EK │ ├─AT91SAM7A3-EK │ ├─AT91SAM7S-EK │ ├─AT91SAM7SE-EK │ ├─AT91SAM7X-EK │ ├─AT91SAM9260-EK │ ├─AT91SAM9261-EK │ ├─AT91SAM9263-EK ├─Keil Keil公司的開發板例程 │ ├─MCB2100 │ ├─MCB2103 │ ├─MCB2130 │ ├─MCB2140 │ ├─MCB2300 │ ├─MCB2400 │ ├─MCB2900 │ ├─MCBLM3S │ ├─MCBSTM32 │ ├─MCBSTR7 │ ├─MCBSTR730 │ ├─MCBSTR750 │ └─MCBSTR9 ├─Luminary Luminary半導體公司的芯片例程 │ ├─ek-lm3s1968 │ ├─ek-lm3s3748 │ ├─ek-lm3s3768 │ ├─dk-lm3s101 │ ├─dk-lm3s102 │ ├─dk-lm3s301 │ ├─dk-lm3s801 │ ├─dk-lm3s811 │ ├─dk-lm3s815 │ ├─dk-lm3s817 │ ├─dk-lm3s818 │ ├─dk-lm3s828 │ ├─ek-lm3s2965 │ ├─ek-lm3s6965 │ ├─ek-lm3s811 │ └─ek-lm3s8962 ├─NXP NXP半導體公司的芯片例程 │ ├─LH79524 │ ├─LH7A404 │ └─SJA2510 ├─OKI OKI半導體公司的芯片例程 │ ├─ML674000 │ ├─ML67Q4003 │ ├─ML67Q4051 │ ├─ML67Q4061 │ ├─ML67Q5003 │ └─ML69Q6203 ├─Samsung Samsung半導體公司的芯片例程 │ ├─S3C2440 │ ├─S3C44001 │ └─S3F4A0K ├─ST ST半導體公司的芯片例程 │ ├─CQ-STARM2 │ ├─EK-STM32F │ ├─STM32F10X_EVAL │ ├─STR710 │ ├─STR730 │ ├─STR750 │ ├─STR910 │ └─STR9_DONGLE ├─TI TI半導體公司的芯片例程 │ ├─TMS470R1A256 │ └─TMS470R1B1M ├─Winbond Winbond半導體公司的芯片例程 │ └─W90P710 └─ ...
上傳時間: 2013-10-13
上傳用戶:zhangliming420
AutoCAD是美國Autodesk公司首次于1982年生產的自動計算機輔助設計軟件,用于二維繪圖、詳細繪制、設計文檔和基本三維設計。Autodesk公司借助世界領先的二維和三維設計軟件之一--AutoCAD ,軟件中強大、靈活的功能,實現卓越的設計和造型。 AutoCAD 2012特點: (1)具有完善的圖形繪制功能。 (2)有強大的圖形編輯功能。 (3)可以采用多種方式進行二次開發或用戶定制。 (4)可以進行多種圖形格式的轉換,具有較強的數據交換能力。 (5)支持多種硬件設備。 (6)支持多種操作平臺。 (7)具有通用性、易用性,適用于各類用戶此外,從AutoCAD2000開始,該系統又增添了許多強大的功能,如AutoCAD設計中心(ADC)、多文檔設計環境。 AutoCAD 2012官方簡體中文正式版安裝說明: 1.啟動安裝 Autodesk AutoCAD 2012 2.輸入AutoCAD安裝序列號: 666-69696969, 667-98989898, 400-45454545 3.輸入AutoCAD密匙: 001D1 4.完成安裝,重啟AutoCAD。 5.點擊激活按鈕之前 你有兩個選擇: a)禁用您的網絡或拔掉網線; b)點擊激活后它會告訴您,您的序列號是錯誤的,這時點擊上一步等一會再點擊激活即可。 選擇了a或b后看下一步。 6.在激活界面中選擇我擁有一個Autodesk激活碼 7.一旦到了激活屏幕:啟動注冊機如果你是32位的請啟用32位的注冊機如果是64位的請啟動64位的注冊機。 8.先粘貼激活界面的申請號至注冊機中的Request中, 9.點擊Generate算出激活碼,在注冊機里點Mem Patch鍵,否則無法激活,提示注冊碼不正確。 10.最后復制Activation中的激活碼至“輸入激活碼”欄中,并點擊下一步,即會提示激活成功。
上傳時間: 2013-12-16
上傳用戶:pioneer_lvbo
磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要:簡述了改進鐵氧體軟磁材料比損耗系數和磁滯常數ηB,從而降低總諧波失真THD的歷史過程,分析了諸多因數對諧波測量的影響,提出了磁心性能的調控方向。 關鍵詞:比損耗系數, 磁滯常數ηB ,直流偏置特性DC-Bias,總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient,hysteresis constant,DC-Bias,THD 近年來,變壓器生產廠家和軟磁鐵氧體生產廠家,在電感器和變壓器產品的總諧波失真指標控制上,進行了深入的探討和廣泛的合作,逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術上采取了不少有效措施,促進了質量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真(Total harmonic distortion) ,簡稱THD,并不是什么新的概念,早在幾十年前的載波通信技術中就已有嚴格要求<1>。1978年郵電部公布的標準YD/Z17-78“載波用鐵氧體罐形磁心”中,規定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細的測試電路和方法。如圖一電路所示,利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產生的非線性失真。這種相對比較的實用方法,專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報、電話設備的遙測振蕩器和線路放大器系統,其非線性失真有很嚴格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器,輸出阻抗 150Ω, Ld47 —— 47KHz 低通濾波器,阻抗 150Ω,阻帶衰耗大于61dB, Lg88 ——并聯高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30~50KHz 放大器, 阻抗 150Ω, 增益不小于 43 dB,三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表,輸入高阻抗, L ——被測無心罐形磁心及線圈, C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時,所配用線圈應用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝, (線架為一格) , 其空心電感值為 318μH(誤差1%) 被測磁心配對安裝好后,先調節振蕩器頻率為 36.6~40KHz, 使輸出電平值為+17.4 dB, 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 (P2)為+17.4 dB,然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平(P3), 則三次諧波衰耗值為:b3(+2)= P2+S+ P3 式中:S 為放大器增益dB 從以往的資料引證, 就可以發現諧波失真的測量是一項很精細的工作,其中測量系統的高、低通濾波器,信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴,阻抗必須匹配,薄膜電容器的非線性也有相應要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質的大空心線圈繞成,以保證本身的“潔凈” ,不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機的小型化和穩定性要求, 必須生產低損耗高穩定磁心。上世紀 70 年代初,1409 所和四機部、郵電部各廠,從工藝上改變了推板空氣窯燒結,出窯后經真空罐冷卻的落后方式,改用真空爐,并控制燒結、冷卻氣氛。技術上采用共沉淀法攻關試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩定材料,在此基礎上,還實現了高μ7000~10000材料的突破,從而大大縮短了與國外企業的技術差異。當時正處于通信技術由FDM(頻率劃分調制)向PCM(脈沖編碼調制) 轉換時期, 日本人明石雅夫發表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ,100KHz)的超優鐵氧體材料<3>,其磁滯系數降為優鐵
上傳時間: 2013-12-15
上傳用戶:天空說我在
一個簡單好用的B+樹算法實現
上傳時間: 2015-01-04
上傳用戶:縹緲
一個用Basic實現的B-Tree算法
上傳時間: 2013-12-30
上傳用戶:ccclll
一個用Java applet實現的B-Tree算法
上傳時間: 2013-12-25
上傳用戶:qiao8960
用C++實現的B-Tree算法
上傳時間: 2014-01-20
上傳用戶:jiahao131
用Borland C寫的B-Tree算法
上傳時間: 2014-12-05
上傳用戶:xzt
java 版B+樹程序
上傳時間: 2015-01-06
上傳用戶:chenjjer