<li id="6484m"></li> 《單片機C語言程序設計實訓100例—基于8051+Proteus仿真》案例
上傳時間： 2017-10-22
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1. 聲明病人 Patient 類，此類對象包括 name(String)、sex(char)、age(int)、weight(float)、allergies(boolean)。 聲明 setName 存取及修改方法。在一個單獨的類中，聲明測試方法，并生成兩個 Patient 對象，設置其 狀態并將其信息顯示在屏幕上。聲明并測試 toString()方法，顯示一個病人 age、sex、name 及 allergies
標簽： allergies Patient name age sex toString boolean setName String weight
上傳時間： 2017-11-27
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PADS快捷鍵操作方式
上傳時間： 2018-10-21
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50道JAVA基礎編程練習題 對應于《學生指南》各章的內容分別提供了練習題集
上傳時間： 2018-11-24
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摘要：基于可信計算的遠程證明是可信加密模塊TPM的核心功能之一。本文首先介紹了遠程證明基本概念和邏輯流程，其次詳細介紹了基于隱私證書中心PCA的遠程證明方案，然后分析了基于隱私證書中心PCA的遠程證明方案的缺點，最后提出了基于安全屬性的遠程證明方案作為改進。 關鍵詞：可信計算 遠程證明 可信加密模塊TPM 平臺狀態度量日志SML 平臺狀態寄存器PCR
上傳時間： 2018-12-20
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創業實踐論文框架樣式（打印時請刪除此行文字） 論文不得抄襲，字數約3000
標簽： 創新
上傳時間： 2018-12-28
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實驗八 存儲過程和觸發器的應用 實驗類別： 必做題 實驗目的：掌握SQL數據庫游標的聯系及存儲過程的創建以及觸發器的使用方法 實驗類型：設計 實驗要求：掌握SQL數據庫游標的練習及存儲過程的創建以及觸發器的使用方法 主要儀器：微機一臺（能使用外存）
上傳時間： 2019-06-24
上傳用戶：aoye
本表格有選擇性地選取2016新版人教版七年級歷史（下冊）中的重點朝代，能表達大概朝代更替狀況，但有些朝代建立、滅亡時間有多種說法，本表格只選擇某一種說法，與初一歷史教材大致一致。
標簽： 歷史教材
上傳時間： 2019-06-24
上傳用戶：午后的琴聲
TM Forum Technical Report CSP Use Cases Utilizing 1Blockchain TR279 Release 17.5.0 December 2017
標簽： 英文
上傳時間： 2019-09-25
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電子元器件抗ESD技術講義:引 言 4 第1 章 電子元器件抗ESD損傷的基礎知識 5 1.1 靜電和靜電放電的定義和特點 5 1.2 對靜電認識的發展歷史 6 1.3 靜電的產生 6 1.3.1 摩擦產生靜電 7 1.3.2 感應產生靜電 8 1.3.3 靜電荷 8 1.3.4 靜電勢 8 1.3.5 影響靜電產生和大小的因素 9 1.4 靜電的來源 10 1.4.1 人體靜電 10 1.4.2 儀器和設備的靜電 11 1.4.3 器件本身的靜電 11 1.4.4 其它靜電來源 12 1.5 靜電放電的三種模式 12 1.5.1 帶電人體的放電模式(HBM) 12 1.5.2 帶電機器的放電模式（MM） 13 1.5.3 充電器件的放電模型 13 1.6 靜電放電失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效機理 15 第2章 制造過程的防靜電損傷技術 2.1 靜電防護的作用和意義 2.1.1 多數電子元器件是靜電敏感器件 2.1.2 靜電對電子行業造成的損失很大 2.1.3 國內外企業的狀況 2.2 靜電對電子產品的損害 2.2.1 靜電損害的形式 2.2.2 靜電損害的特點 2.2.3 可能產生靜電損害的制造過程 2.3 靜電防護的目的和總的原則 2.3.1 目的和原則 2.3.2 基本思路和技術途徑 2.4 靜電防護材料 2.4.1 與靜電防護材料有關的基本概念 2.4.2 靜電防護材料的主要參數 2.5 靜電防護器材 2.5.1 防靜電材料的制品 2.5.2 靜電消除器（消電器、電中和器或離子平衡器） 2.6 靜電防護的具體措施 2.6.1 建立靜電安全工作區 2.6.2 包裝、運送和存儲工程的防靜電措施 2.6.3 靜電檢測 2.6.4 靜電防護的管理工作 第3章 抗靜電檢測及分析技術 3.1 抗靜電檢測的作用和意義 3.2 靜電放電的標準波形 3.3 抗ESD檢測標準 3.3.1 電子元器件靜電放電靈敏度（ESDS）檢測及分類的常用標準 3.3.2 標準試驗方法的主要內容（以MIL-STD-883E 方法3015.7為例） 3.4 實際ESD檢測的結果統計及分析 3.4.1 試驗條件 3.4.2 ESD評價試驗結果分析 3.5 關于ESD檢測中經常遇到的一些問題 3.6 ESD損傷的失效定位分析技術 3.6.1 端口I－V特性檢測 3.6.2 光學顯微觀察 3.6.3 掃描電鏡分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光輻射顯微分析技術 3.6.6 分層剝離技術 3.6.7 小結 3.7 ESD和EOS的判別方法討論 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS對器件損傷的分析判別方法 第4 章 電子元器件抗ESD設計技術 4.1 元器件抗ESD設計基礎 4.1.1抗ESD過電流熱失效設計基礎 4.1.2抗場感應ESD失效設計基礎 4.2元器件基本抗ESD保護電路 4.2.1基本抗靜電保護電路 4.2.2對抗靜電保護電路的基本要求 4.2.3 混合電路抗靜電保護電路的考慮 4.2.4防靜電保護元器件 4.3 CMOS電路ESD失效模式和機理 4.4 CMOS電路ESD可靠性設計策略 4.4.1 設計保護電路轉移ESD大電流。 4.4.2 使輸入/輸出晶體管自身的ESD閾值達到最大。 4.5 CMOS電路基本ESD保護電路的設計 4.5.1 基本ESD保護電路單元 4.5.2 CMOS電路基本ESD保護電路 4.5.3 ESD設計的輔助工具－TLP測試 4.5.4 CMOS電路ESD保護設計方法 4.5.5 CMOS電路ESD保護電路示例 4.6 工藝控制和管理
上傳時間： 2013-07-13
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