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上傳時間： 2022-06-06
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AR0231AT7C00XUEA0-DRBR（RGB濾光）安森美半導體推出采用突破性減少LED閃爍 (LFM)技術的新的230萬像素CMOS圖像傳感器樣品AR0231AT，為汽車先進駕駛輔助系統(ADAS)應用確立了一個新基準。新器件能捕獲1080p高動態范圍(HDR)視頻，還具備支持汽車安全完整性等級B(ASIL B)的特性。LFM技術(專利申請中)消除交通信號燈和汽車LED照明的高頻LED閃爍，令交通信號閱讀算法能于所有光照條件下工作。AR0231AT具有1/2.7英寸(6.82 mm)光學格式和1928(水平) x 1208(垂直)有源像素陣列。它采用最新的3.0微米背照式(BSI)像素及安森美半導體的DR-Pix?技術，提供雙轉換增益以在所有光照條件下提升性能。它以線性、HDR或LFM模式捕獲圖像，并提供模式間的幀到幀情境切換。 AR0231AT提供達4重曝光的HDR，以出色的噪聲性能捕獲超過120dB的動態范圍。AR0231AT能同步支持多個攝相機，以易于在汽車應用中實現多個傳感器節點，和通過一個簡單的雙線串行接口實現用戶可編程性。它還有多個數據接口，包括MIPI(移動產業處理器接口)、并行和HiSPi(高速串行像素接口)。其它關鍵特性還包括可選自動化或用戶控制的黑電平控制，支持擴頻時鐘輸入和提供多色濾波陣列選擇。封裝和現狀：AR0231AT采用11 mm x 10 mm iBGA-121封裝，現提供工程樣品。工作溫度范圍為-40℃至105℃(環境溫度)，將完全通過AEC-Q100認證。
標簽： 圖像傳感器
上傳時間： 2022-06-27
上傳用戶：XuVshu
TLC2543是TI公司的12位串行模數轉換器，使用開關電容逐次逼近技術完成A/D轉換過程。由于是串行輸入結構，能夠節省51系列單片機I/O資源；且價格適中，分辨率較高，因此在儀器儀表中有較為廣泛的應用。 TLC2543的特點 （1）12位分辯率A/D轉換器； （2）在工作溫度范圍內10μs轉換時間； （3）11個模擬輸入通道； （4）3路內置自測試方式； （5）采樣率為66kbps； （6）線性誤差±1LSBmax； （7）有轉換結束輸出EOC； （8）具有單、雙極性輸出； （9）可編程的MSB或LSB前導； （10）可編程輸出數據長度。 TLC2543的引腳排列及說明 TLC2543有兩種封裝形式：DB、DW或N封裝以及FN封裝，這兩種封裝的引腳排列如圖1，引腳說明見表1 TLC2543電路圖和程序欣賞 #include<reg52.h> #include<intrins.h> #define uchar unsigned char #define uint unsigned int sbit clock=P1^0; sbit d_in=P1^1; sbit d_out=P1^2; sbit _cs=P1^3; uchar a1,b1,c1,d1; float sum,sum1; double sum_final1; double sum_final; uchar duan[]={0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,0x7d,0x07,0x7f,0x6f}; uchar wei[]={0xf7,0xfb,0xfd,0xfe}; void delay(unsigned char b) //50us { unsigned char a; for(;b>0;b--) for(a=22;a>0;a--); } void display(uchar a,uchar b,uchar c,uchar d) { P0=duan[a]|0x80; P2=wei[0]; delay(5); P2=0xff; P0=duan[b]; P2=wei[1]; delay(5); P2=0xff; P0=duan[c]; P2=wei[2]; delay(5); P2=0xff; P0=duan[d]; P2=wei[3]; delay(5); P2=0xff; } uint read(uchar port) { uchar i,al=0,ah=0; unsigned long ad; clock=0; _cs=0; port<<=4; for(i=0;i<4;i++) { d_in=port&0x80; clock=1; clock=0; port<<=1; } d_in=0; for(i=0;i<8;i++) { clock=1; clock=0; } _cs=1; delay(5); _cs=0; for(i=0;i<4;i++) { clock=1; ah<<=1; if(d_out)ah|=0x01; clock=0; } for(i=0;i<8;i++) { clock=1; al<<=1; if(d_out) al|=0x01; clock=0; } _cs=1; ad=(uint)ah; ad<<=8; ad|=al; return(ad); } void main() { uchar j; sum=0;sum1=0; sum_final=0; sum_final1=0; while(1) { for(j=0;j<128;j++) { sum1+=read(1); display(a1,b1,c1,d1); } sum=sum1/128; sum1=0; sum_final1=(sum/4095)*5; sum_final=sum_final1*1000; a1=(int)sum_final/1000; b1=(int)sum_final%1000/100; c1=(int)sum_final%1000%100/10; d1=(int)sum_final%10; display(a1,b1,c1,d1); } }
上傳時間： 2013-11-19
上傳用戶：shen1230
設計一個字節（8 位）比較器。 要求：比較兩個字節的大小，如a[7:0]大于 b[7:0]輸出高電平,否則輸出低電平,改寫測試 模型,使其能進行比較全面的測試 。
上傳時間： 2015-11-07
上傳用戶：manking0408
1、火車采集器V3.2版要求：您的電腦必須安裝.net framework2.0框架 附windows .net framework 2.0下載地址：http://download.microsoft.com/download/5/6/7/567758a3-759e-473e-bf8f-52154438565a/dotnetfx.exe 2、軟件一直堅持自帶配置文件，安裝及使用過程不操作注冊表及系統文件，完全綠色免安裝軟件,直接解壓軟件包即可使用。 3、如果您使用的是1.X - 2.0版本，您的電腦必須安裝.net 1.1框架。 附windows .net framework1.1下載地址：http://download.microsoft.com/download/7/b/9/7b90644d-1af0-42b9-b76d-a2770319a568/dotnetfx.exe
標簽： framework 2.0 net download
上傳時間： 2014-01-07
上傳用戶：kytqcool
函數再現機構設計 試設計一曲柄搖桿機構，再現函數 要求： 輸入構件的轉角范圍180°，輸出構件擺角范圍30°，即： 當輸入構件從a轉至a+90時，輸出構件從b轉至b+30 當輸入構件從a+90轉至a+180時，輸出構件從b+30轉至b
上傳時間： 2013-12-17
上傳用戶：英雄
flash 鍵盤音效取自win2000系統ding.wav，經過CoolEdit處理成音階，在Flash中導入在相應按鈕上。 沒有難度，就是耐心一點，成績不錯哦！ 對應表： 低音G-a #G-w A-s #A-e B-d 中音C-f #C-t D-g #D-y E-h F-j #F-i G-k #G-o A-l #A-p B- 高音C-1 D-2 E-3 F-4 G-5 A-6 B-7 C(high)-8 #C-c #D-v #F-b #G-n #A-m
上傳時間： 2014-02-06
上傳用戶：ljmwh2000
漢諾塔！！！ Simulate the movement of the Towers of Hanoi puzzle Bonus is possible for using animation eg. if n = 2 A→B A→C B→C if n = 3 A→C A→B C→B A→C B→A B→C A→C
標簽： the animation Simulate movement
上傳時間： 2017-02-11
上傳用戶：waizhang
1. Scope ......................................................................................................................................................................... 12. DDR4 SDRAM Package Pinout and Addressing ....................................................................................................... 22.1 DDR4 SDRAM Row for X4,X8 and X16 ................................................................................................................22.2 DDR4 SDRAM Ball Pitch........................................................................................................................................22.3 DDR4 SDRAM Columns for X4,X8 and X16 ..........................................................................................................22.4 DDR4 SDRAM X4/8 Ballout using MO-207......................................................................................................... 22.5 DDR4 SDRAM X16 Ballout using MO-207.............................................................................................................32.6 Pinout Description ..................................................................................................................................................52.7 DDR4 SDRAM Addressing.....................................................................................................................................73. Functional Description ...............................................................................................................................................83.1 Simplified State Diagram ....................................................................................................................................83.2 Basic Functionality..................................................................................................................................................93.3 RESET and Initialization Procedure .....................................................................................................................103.3.1 Power-up Initialization Sequence .............................................................................................................103.3.2 Reset Initialization with Stable Power ......................................................................................................113.4 Register Definition ................................................................................................................................................123.4.1 Programming the mode registers .............................................................................................................123.5 Mode Register ......................................................................................................................................................134. DDR4 SDRAM Command Description and Operation ............................................................................................. 244.1 Command Truth Table ..........................................................................................................................................244.2 CKE Truth Table ...................................................................................................................................................254.3 Burst Length, Type and Order ..............................................................................................................................264.3.1 BL8 Burst order with CRC Enabled .........................................................................................................264.4 DLL-off Mode & DLL on/off Switching procedure ................................................................................................274.4.1 DLL on/off switching procedure ...............................................................................................................274.4.2 DLL “on” to DLL “off” Procedure ..............................................................................................................274.4.3 DLL “off” to DLL “on” Procedure ..............................................................................................................284.5 DLL-off Mode........................................................................................................................................................294.6 Input Clock Frequency Change ............................................................................................................................304.7 Write Leveling.......................................................................................................................................................314.7.1 DRAM setting for write leveling & DRAM termination function in that mode ............................................324.7.2 Procedure Description .............................................................................................................................334.7.3 Write Leveling Mode Exit .........................................................................................................................34
標簽： DDR4
上傳時間： 2022-01-09
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特點： 精確度0.1%滿刻度 可作各式數學演算式功能如:A+B/A-B/AxB/A/B/A&B(Hi or Lo)/|A|/ 16 BIT類比輸出功能 輸入與輸出絕緣耐壓2仟伏特/1分鐘(input/output/power) 寬范圍交直流兩用電源設計 尺寸小,穩定性高
上傳時間： 2014-12-23
上傳用戶：ydd3625
