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  • 信號(hào)完整性知識(shí)基礎(chǔ)(pdf)

    現(xiàn)代的電子設(shè)計(jì)和芯片制造技術(shù)正在飛速發(fā)展,電子產(chǎn)品的復(fù)雜度、時(shí)鐘和總線頻率等等都呈快速上升趨勢(shì),但系統(tǒng)的電壓卻不斷在減小,所有的這一切加上產(chǎn)品投放市場(chǎng)的時(shí)間要求給設(shè)計(jì)師帶來(lái)了前所未有的巨大壓力。要想保證產(chǎn)品的一次性成功就必須能預(yù)見(jiàn)設(shè)計(jì)中可能出現(xiàn)的各種問(wèn)題,并及時(shí)給出合理的解決方案,對(duì)于高速的數(shù)字電路來(lái)說(shuō),最令人頭大的莫過(guò)于如何確保瞬時(shí)跳變的數(shù)字信號(hào)通過(guò)較長(zhǎng)的一段傳輸線,還能完整地被接收,并保證良好的電磁兼容性,這就是目前頗受關(guān)注的信號(hào)完整性(SI)問(wèn)題。本章就是圍繞信號(hào)完整性的問(wèn)題,讓大家對(duì)高速電路有個(gè)基本的認(rèn)識(shí),并介紹一些相關(guān)的基本概念。 第一章 高速數(shù)字電路概述.....................................................................................51.1 何為高速電路...............................................................................................51.2 高速帶來(lái)的問(wèn)題及設(shè)計(jì)流程剖析...............................................................61.3 相關(guān)的一些基本概念...................................................................................8第二章 傳輸線理論...............................................................................................122.1 分布式系統(tǒng)和集總電路.............................................................................122.2 傳輸線的RLCG 模型和電報(bào)方程...............................................................132.3 傳輸線的特征阻抗.....................................................................................142.3.1 特性阻抗的本質(zhì).................................................................................142.3.2 特征阻抗相關(guān)計(jì)算.............................................................................152.3.3 特性阻抗對(duì)信號(hào)完整性的影響.........................................................172.4 傳輸線電報(bào)方程及推導(dǎo).............................................................................182.5 趨膚效應(yīng)和集束效應(yīng).................................................................................232.6 信號(hào)的反射.................................................................................................252.6.1 反射機(jī)理和電報(bào)方程.........................................................................252.6.2 反射導(dǎo)致信號(hào)的失真問(wèn)題.................................................................302.6.2.1 過(guò)沖和下沖.....................................................................................302.6.2.2 振蕩:.............................................................................................312.6.3 反射的抑制和匹配.............................................................................342.6.3.1 串行匹配.........................................................................................352.6.3.1 并行匹配.........................................................................................362.6.3.3 差分線的匹配.................................................................................392.6.3.4 多負(fù)載的匹配.................................................................................41第三章 串?dāng)_的分析...............................................................................................423.1 串?dāng)_的基本概念.........................................................................................423.2 前向串?dāng)_和后向串?dāng)_.................................................................................433.3 后向串?dāng)_的反射.........................................................................................463.4 后向串?dāng)_的飽和.........................................................................................463.5 共模和差模電流對(duì)串?dāng)_的影響.................................................................483.6 連接器的串?dāng)_問(wèn)題.....................................................................................513.7 串?dāng)_的具體計(jì)算.........................................................................................543.8 避免串?dāng)_的措施.........................................................................................57第四章 EMI 抑制....................................................................................................604.1 EMI/EMC 的基本概念..................................................................................604.2 EMI 的產(chǎn)生..................................................................................................614.2.1 電壓瞬變.............................................................................................614.2.2 信號(hào)的回流.........................................................................................624.2.3 共模和差摸EMI ..................................................................................634.3 EMI 的控制..................................................................................................654.3.1 屏蔽.....................................................................................................654.3.1.1 電場(chǎng)屏蔽.........................................................................................654.3.1.2 磁場(chǎng)屏蔽.........................................................................................674.3.1.3 電磁場(chǎng)屏蔽.....................................................................................674.3.1.4 電磁屏蔽體和屏蔽效率.................................................................684.3.2 濾波.....................................................................................................714.3.2.1 去耦電容.........................................................................................714.3.2.3 磁性元件.........................................................................................734.3.3 接地.....................................................................................................744.4 PCB 設(shè)計(jì)中的EMI.......................................................................................754.4.1 傳輸線RLC 參數(shù)和EMI ........................................................................764.4.2 疊層設(shè)計(jì)抑制EMI ..............................................................................774.4.3 電容和接地過(guò)孔對(duì)回流的作用.........................................................784.4.4 布局和走線規(guī)則.................................................................................79第五章 電源完整性理論基礎(chǔ)...............................................................................825.1 電源噪聲的起因及危害.............................................................................825.2 電源阻抗設(shè)計(jì).............................................................................................855.3 同步開(kāi)關(guān)噪聲分析.....................................................................................875.3.1 芯片內(nèi)部開(kāi)關(guān)噪聲.............................................................................885.3.2 芯片外部開(kāi)關(guān)噪聲.............................................................................895.3.3 等效電感衡量SSN ..............................................................................905.4 旁路電容的特性和應(yīng)用.............................................................................925.4.1 電容的頻率特性.................................................................................935.4.3 電容的介質(zhì)和封裝影響.....................................................................955.4.3 電容并聯(lián)特性及反諧振.....................................................................955.4.4 如何選擇電容.....................................................................................975.4.5 電容的擺放及Layout ........................................................................99第六章 系統(tǒng)時(shí)序.................................................................................................1006.1 普通時(shí)序系統(tǒng)...........................................................................................1006.1.1 時(shí)序參數(shù)的確定...............................................................................1016.1.2 時(shí)序約束條件...................................................................................1066.2 源同步時(shí)序系統(tǒng).......................................................................................1086.2.1 源同步系統(tǒng)的基本結(jié)構(gòu)...................................................................1096.2.2 源同步時(shí)序要求...............................................................................110第七章 IBIS 模型................................................................................................1137.1 IBIS 模型的由來(lái)...................................................................................... 1137.2 IBIS 與SPICE 的比較.............................................................................. 1137.3 IBIS 模型的構(gòu)成...................................................................................... 1157.4 建立IBIS 模型......................................................................................... 1187.4 使用IBIS 模型......................................................................................... 1197.5 IBIS 相關(guān)工具及鏈接..............................................................................120第八章 高速設(shè)計(jì)理論在實(shí)際中的運(yùn)用.............................................................1228.1 疊層設(shè)計(jì)方案...........................................................................................1228.2 過(guò)孔對(duì)信號(hào)傳輸?shù)挠绊?..........................................................................1278.3 一般布局規(guī)則...........................................................................................1298.4 接地技術(shù)...................................................................................................1308.5 PCB 走線策略............................................................................................134

    標(biāo)簽: 信號(hào)完整性

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  • 高速PCB基礎(chǔ)理論及內(nèi)存仿真技術(shù)(經(jīng)典推薦)

    第一部分 信號(hào)完整性知識(shí)基礎(chǔ).................................................................................5第一章 高速數(shù)字電路概述.....................................................................................51.1 何為高速電路...............................................................................................51.2 高速帶來(lái)的問(wèn)題及設(shè)計(jì)流程剖析...............................................................61.3 相關(guān)的一些基本概念...................................................................................8第二章 傳輸線理論...............................................................................................122.1 分布式系統(tǒng)和集總電路.............................................................................122.2 傳輸線的RLCG 模型和電報(bào)方程...............................................................132.3 傳輸線的特征阻抗.....................................................................................142.3.1 特性阻抗的本質(zhì).................................................................................142.3.2 特征阻抗相關(guān)計(jì)算.............................................................................152.3.3 特性阻抗對(duì)信號(hào)完整性的影響.........................................................172.4 傳輸線電報(bào)方程及推導(dǎo).............................................................................182.5 趨膚效應(yīng)和集束效應(yīng).................................................................................232.6 信號(hào)的反射.................................................................................................252.6.1 反射機(jī)理和電報(bào)方程.........................................................................252.6.2 反射導(dǎo)致信號(hào)的失真問(wèn)題.................................................................302.6.2.1 過(guò)沖和下沖.....................................................................................302.6.2.2 振蕩:.............................................................................................312.6.3 反射的抑制和匹配.............................................................................342.6.3.1 串行匹配.........................................................................................352.6.3.1 并行匹配.........................................................................................362.6.3.3 差分線的匹配.................................................................................392.6.3.4 多負(fù)載的匹配.................................................................................41第三章 串?dāng)_的分析...............................................................................................423.1 串?dāng)_的基本概念.........................................................................................423.2 前向串?dāng)_和后向串?dāng)_.................................................................................433.3 后向串?dāng)_的反射.........................................................................................463.4 后向串?dāng)_的飽和.........................................................................................463.5 共模和差模電流對(duì)串?dāng)_的影響.................................................................483.6 連接器的串?dāng)_問(wèn)題.....................................................................................513.7 串?dāng)_的具體計(jì)算.........................................................................................543.8 避免串?dāng)_的措施.........................................................................................57第四章 EMI 抑制....................................................................................................604.1 EMI/EMC 的基本概念..................................................................................604.2 EMI 的產(chǎn)生..................................................................................................614.2.1 電壓瞬變.............................................................................................614.2.2 信號(hào)的回流.........................................................................................624.2.3 共模和差摸EMI ..................................................................................634.3 EMI 的控制..................................................................................................654.3.1 屏蔽.....................................................................................................654.3.1.1 電場(chǎng)屏蔽.........................................................................................654.3.1.2 磁場(chǎng)屏蔽.........................................................................................674.3.1.3 電磁場(chǎng)屏蔽.....................................................................................674.3.1.4 電磁屏蔽體和屏蔽效率.................................................................684.3.2 濾波.....................................................................................................714.3.2.1 去耦電容.........................................................................................714.3.2.3 磁性元件.........................................................................................734.3.3 接地.....................................................................................................744.4 PCB 設(shè)計(jì)中的EMI.......................................................................................754.4.1 傳輸線RLC 參數(shù)和EMI ........................................................................764.4.2 疊層設(shè)計(jì)抑制EMI ..............................................................................774.4.3 電容和接地過(guò)孔對(duì)回流的作用.........................................................784.4.4 布局和走線規(guī)則.................................................................................79第五章 電源完整性理論基礎(chǔ)...............................................................................825.1 電源噪聲的起因及危害.............................................................................825.2 電源阻抗設(shè)計(jì).............................................................................................855.3 同步開(kāi)關(guān)噪聲分析.....................................................................................875.3.1 芯片內(nèi)部開(kāi)關(guān)噪聲.............................................................................885.3.2 芯片外部開(kāi)關(guān)噪聲.............................................................................895.3.3 等效電感衡量SSN ..............................................................................905.4 旁路電容的特性和應(yīng)用.............................................................................925.4.1 電容的頻率特性.................................................................................935.4.3 電容的介質(zhì)和封裝影響.....................................................................955.4.3 電容并聯(lián)特性及反諧振.....................................................................955.4.4 如何選擇電容.....................................................................................975.4.5 電容的擺放及Layout ........................................................................99第六章 系統(tǒng)時(shí)序.................................................................................................1006.1 普通時(shí)序系統(tǒng)...........................................................................................1006.1.1 時(shí)序參數(shù)的確定...............................................................................1016.1.2 時(shí)序約束條件...................................................................................1063.2 高速設(shè)計(jì)的問(wèn)題.......................................................................................2093.3 SPECCTRAQuest SI Expert 的組件.......................................................2103.3.1 SPECCTRAQuest Model Integrity .................................................2103.3.2 SPECCTRAQuest Floorplanner/Editor .........................................2153.3.3 Constraint Manager .......................................................................2163.3.4 SigXplorer Expert Topology Development Environment .......2233.3.5 SigNoise 仿真子系統(tǒng)......................................................................2253.3.6 EMControl .........................................................................................2303.3.7 SPECCTRA Expert 自動(dòng)布線器.......................................................2303.4 高速設(shè)計(jì)的大致流程...............................................................................2303.4.1 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的探索...............................................................................2313.4.2 空間解決方案的探索.......................................................................2313.4.3 使用拓?fù)淠0弪?qū)動(dòng)設(shè)計(jì)...................................................................2313.4.4 時(shí)序驅(qū)動(dòng)布局...................................................................................2323.4.5 以約束條件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì).......................................................................2323.4.6 設(shè)計(jì)后分析.......................................................................................233第四章 SPECCTRAQUEST SIGNAL EXPLORER 的進(jìn)階運(yùn)用..........................................2344.1 SPECCTRAQuest Signal Explorer 的功能包括:................................2344.2 圖形化的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)探索...........................................................................2344.3 全面的信號(hào)完整性(Signal Integrity)分析.......................................2344.4 完全兼容 IBIS 模型...............................................................................2344.5 PCB 設(shè)計(jì)前和設(shè)計(jì)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)提取.......................................................2354.6 仿真設(shè)置顧問(wèn)...........................................................................................2354.7 改變?cè)O(shè)計(jì)的管理.......................................................................................2354.8 關(guān)鍵技術(shù)特點(diǎn)...........................................................................................2364.8.1 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)探索...................................................................................2364.8.2 SigWave 波形顯示器........................................................................2364.8.3 集成化的在線分析(Integration and In-process Analysis) .236第五章 部分特殊的運(yùn)用...............................................................................2375.1 Script 指令的使用..................................................................................2375.2 差分信號(hào)的仿真.......................................................................................2435.3 眼圖模式的使用.......................................................................................249第四部分:HYPERLYNX 仿真工具使用指南............................................................251第一章 使用LINESIM 進(jìn)行前仿真.......................................................................2511.1 用LineSim 進(jìn)行仿真工作的基本方法...................................................2511.2 處理信號(hào)完整性原理圖的具體問(wèn)題.......................................................2591.3 在LineSim 中如何對(duì)傳輸線進(jìn)行設(shè)置...................................................2601.4 在LineSim 中模擬IC 元件.....................................................................2631.5 在LineSim 中進(jìn)行串?dāng)_仿真...................................................................268第二章 使用BOARDSIM 進(jìn)行后仿真......................................................................2732.1 用BOARDSIM 進(jìn)行后仿真工作的基本方法...................................................2732.2 BoardSim 的進(jìn)一步介紹..........................................................................2922.3 BoardSim 中的串?dāng)_仿真..........................................................................309

    標(biāo)簽: PCB 內(nèi)存 仿真技術(shù)

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  • 磁芯電感器的諧波失真分析

    磁芯電感器的諧波失真分析 摘  要:簡(jiǎn)述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB,從而降低總諧波失真THD的歷史過(guò)程,分析了諸多因數(shù)對(duì)諧波測(cè)量的影響,提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞:比損耗系數(shù), 磁滯常數(shù)ηB ,直流偏置特性DC-Bias,總諧波失真THD  Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033   Abstract:    Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward.  Key words: ratio loss coefficient,hysteresis constant,DC-Bias,THD  近年來(lái),變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家,在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上,進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作,逐步弄清了一些似是而非的問(wèn)題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施,促進(jìn)了質(zhì)量問(wèn)題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。  一、 歷史回顧 總諧波失真(Total harmonic distortion) ,簡(jiǎn)稱THD,并不是什么新的概念,早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17-78“載波用鐵氧體罐形磁心”中,規(guī)定了高μQ材料制作的無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心詳細(xì)的測(cè)試電路和方法。如圖一電路所示,利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測(cè)量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對(duì)比較的實(shí)用方法,專用于無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心的諧波衰耗測(cè)試。 這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話設(shè)備的遙測(cè)振蕩器和線路放大器系統(tǒng),其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。  圖中  ZD   —— QF867 型阻容式載頻振蕩器,輸出阻抗 150Ω, Ld47 —— 47KHz 低通濾波器,阻抗 150Ω,阻帶衰耗大于61dB,       Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB FD   —— 30~50KHz 放大器, 阻抗 150Ω, 增益不小于 43 dB,三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP  —— Qp373 選頻電平表,輸入高阻抗, L ——被測(cè)無(wú)心罐形磁心及線圈, C  ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測(cè)量時(shí),所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝, (線架為一格) , 其空心電感值為 318μH(誤差1%) 被測(cè)磁心配對(duì)安裝好后,先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6~40KHz,  使輸出電平值為+17.4 dB, 即選頻表在 22′端子測(cè)得的主波電平 (P2)為+17.4 dB,然后在33′端子處測(cè)得輸出的三次諧波電平(P3), 則三次諧波衰耗值為:b3(+2)= P2+S+ P3 式中:S 為放大器增益dB 從以往的資料引證, 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測(cè)量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作,其中測(cè)量系統(tǒng)的高、低通濾波器,信號(hào)源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán),阻抗必須匹配,薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成,以保證本身的“潔凈” ,不至于造成對(duì)磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求, 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初,1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠,從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié),出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式,改用真空爐,并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬(wàn)和 100 萬(wàn)的低損耗高穩(wěn)定材料,在此基礎(chǔ)上,還實(shí)現(xiàn)了高μ7000~10000材料的突破,從而大大縮短了與國(guó)外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM(頻率劃分調(diào)制)向PCM(脈沖編碼調(diào)制) 轉(zhuǎn)換時(shí)期, 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬(wàn)為 0.8×10 ,100KHz)的超優(yōu)鐵氧體材料<3>,其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵

    標(biāo)簽: 磁芯 電感器 諧波失真

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  • 一種振動(dòng)自供能無(wú)線傳感器的電源管理電路

    針對(duì)振動(dòng)能量采集器的輸出功率過(guò)低不足以直接驅(qū)動(dòng)無(wú)線傳感器的問(wèn)題,設(shè)計(jì)了振動(dòng)自供能無(wú)線傳感器的電源管理電路,根據(jù)調(diào)諧和阻抗變換原理對(duì)能量采集器進(jìn)行了阻抗匹配,以最大功率對(duì)儲(chǔ)能超級(jí)電容進(jìn)行充電,對(duì)能量存儲(chǔ)和電源管理電路的充放電特性進(jìn)行了理論分析和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。結(jié)果表明,該電路大幅度提高了采集器的輸出功率和對(duì)儲(chǔ)能超級(jí)電容充電的效率,當(dāng)0.47 F超級(jí)電容電壓達(dá)到0.6 V時(shí),能量瞬間釋放電路控制超級(jí)電容瞬間放電,成功驅(qū)動(dòng)最大功耗為75 mW的無(wú)線傳感器工作。

    標(biāo)簽: 振動(dòng) 無(wú)線傳感器 電源管理 電路

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  • 級(jí)聯(lián)Blumlein型脈沖網(wǎng)絡(luò)電感設(shè)計(jì)

    為了利用級(jí)聯(lián)Blumlein型脈沖形成網(wǎng)絡(luò)在高阻抗負(fù)載產(chǎn)生理想的高壓平頂脈沖輸出,開(kāi)展了構(gòu)成該脈沖功率源關(guān)鍵單元的始端電感和終端電感設(shè)計(jì)。從充電電壓一致性,輸出脈沖不發(fā)生嚴(yán)重畸變,高的電壓疊加效率,可接受的負(fù)載預(yù)脈沖幅值出發(fā),確定了始端電感和終端電感值的計(jì)算方法,利用錳鋅鐵氧體磁芯的飽和特性設(shè)計(jì)電感,通過(guò)實(shí)驗(yàn)開(kāi)展錳鋅鐵氧體磁芯參數(shù)測(cè)試。研究表明錳鋅鐵氧體飽和和剩余磁感應(yīng)強(qiáng)度之和約為1.75,飽和磁導(dǎo)率約3.3,非飽和磁導(dǎo)率約1 462,飽和電感值為7.3 mH,非飽和電感值3.2 mH。

    標(biāo)簽: Blumlein 級(jí)聯(lián) 電感設(shè)計(jì) 脈沖

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  • N79E8132移動(dòng)電源方案

    N79E8132移動(dòng)電源方案功能介紹     本方案的特色是采用新唐生產(chǎn)的兼容MCS-51核心的N79E8132單片機(jī),可以在-40度到85度溫度范圍內(nèi)安全工作,具備4K FLASH,4K DATAFLASH,512B RAM,高精度10位ADC,內(nèi)置帶隙電壓可省去外部參考電壓,內(nèi)置22.1184M、11.0592M振蕩器,并具有可分頻的時(shí)鐘供單片機(jī)核心使用,可以根據(jù)性能需要靈活選擇工作時(shí)鐘,提高工作效率,具備外部中斷、按鍵中斷,可以靈活實(shí)現(xiàn)單片機(jī)進(jìn)入掉電模式后的喚醒功能,具備停機(jī)、掉電模式,在產(chǎn)品不使用的時(shí)候進(jìn)入掉電模式,實(shí)現(xiàn)環(huán)保節(jié)能,支持ICE仿真工具,ICP、串口ISP燒寫(xiě),開(kāi)發(fā)硬件成本低。軟件開(kāi)發(fā)可以使用KEIL C,容易上手。     充電部分采用通用的TP4056,價(jià)格便宜,容易采購(gòu),可以通過(guò)外部元件靈活配置充電電流。     升壓部分采用日本精工的S8365,工作頻率1.2M,外置MOS,容易實(shí)現(xiàn)大電流,高效率,電感小型化節(jié)省成本。 技術(shù)參數(shù) 1. 輸入: USB 5V/1A ,充電電流可達(dá)500-850mA,可根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置 2. 輸出: USB 5V/1A,效率最高可達(dá)到90%以上,可根據(jù)需要提高到2A 3. 電量指示: (可根據(jù)需要自行設(shè)定)     四燈全亮 75%-100%     三個(gè)指示燈亮 50%-75%     兩個(gè)燈亮 25%-55%     一個(gè)指示燈亮 5%-25%     無(wú)指示燈亮 5%以下 4.充電指示:     25%以下 一個(gè)指示燈閃     25%-50% 一個(gè)指示燈亮 第二個(gè)閃     50%--75% 二個(gè)指示燈亮 第三個(gè)閃     75%-99% 三個(gè)指示燈亮 第四個(gè)閃     100% 四個(gè)指示燈長(zhǎng)亮。 5.智能保護(hù):     低電保護(hù):電池電壓低于3V時(shí)自動(dòng)關(guān)閉升壓     放電保護(hù):放電電流大于額定電流自動(dòng)關(guān)閉升壓輸出(1A模式設(shè)置為1.5A保護(hù))     溫度保護(hù):檢測(cè)電池溫度,高于55度自動(dòng)關(guān)閉升壓輸出(可選)     低電流關(guān)機(jī):當(dāng)外部設(shè)備的電流需求小于100mA時(shí),關(guān)閉升壓輸出以節(jié)省電力。 6.按鍵操作:     短按按鍵,4個(gè)LED顯示剩余電量3~5秒自動(dòng)關(guān)閉   按鍵長(zhǎng)按, LED點(diǎn)亮,閃爍3次后開(kāi)啟升壓,顯示電量,30秒內(nèi)沒(méi)有連接外部設(shè)備自動(dòng)關(guān)機(jī)。   開(kāi)機(jī)狀態(tài)長(zhǎng)按,點(diǎn)亮照明LED,再長(zhǎng)按熄滅照明LED,照明LED點(diǎn)亮狀態(tài)不會(huì)進(jìn)入自動(dòng)關(guān)機(jī) 帶照明功能。(可選)8.原理圖 9.BOM 序號(hào) 類型 參數(shù) 位號(hào) 封裝 數(shù)量 1 IC N79E8132AS16 U2 SO16 1 2 IC S8365C U4 SOT26 1 3 IC TP4056 U3 SO8M1T 1 4 貼片電阻 0.1R R25 1206 1 5 貼片電阻 1A R28 1812 1 6 貼片電阻 22R R24 0603 1 7 貼片電阻 22R R30 0805 1 8 貼片電阻 100R R3 0805 1 9 貼片電阻 1K R1 R11 R12 R13 R14 0603 5 10 貼片電阻 2.4K R4 0603 1 11 貼片電阻 10K R6 R15 R21 R22 R23 R29 R31 R32 0603 8 12 貼片電阻 43.2KF R46 0603 1 13 貼片電阻 49.9KF R47 R49 0603 2 14 貼片電阻 68KF R27 0603 1 15 貼片電阻 75KF R48 0603 1 16 貼片電阻 100K R2 R16 0603 2 17 貼片電阻 220KF R17 R26 0603 2 18 貼片電阻 1M R5 R7 R18 0603 3 19 貼片電容 47P C1 C7 0603 2 20 貼片電容 103 C4 C8 C9 C13 C14 0603 5 21 貼片電容 104 C2 C5 C11 C16 C17 0603 5 22 貼片電容 226 C3 C6 C10 C12 C15 1206 5 23 貼片電感 3.6UH/3A L1 WBL076 1 24 二極管 1N4148 D1 SOD323 1 25 LED Blue D2 D3 D4 D5 D6 LED 5 26 二極管 SK34 D7 DO214 1 27 MOS 2N7002 Q2 Q5 SOT23 2 28 MOS AO3400 Q3 SOT23 1 29 MOS AO3401 Q4 SOT23 1 30 USB USB J3 USBAFRSMD1 1 31 USB_MINI USB_MINI J4 USBMINIMICRO 1 32 SWPB SWPB S1 SW7X7H 1 10.部件功能說(shuō)明

    標(biāo)簽: N79E8132 移動(dòng)電源 方案

    上傳時(shí)間: 2013-11-16

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  • 主變壓器差動(dòng)保護(hù)誤動(dòng)作的處理

    對(duì)差動(dòng)保護(hù)進(jìn)行相關(guān)檢查、試驗(yàn)如下: 1、檢查BCH-2型差動(dòng)繼電器與定值單相符,對(duì)差動(dòng)繼電器進(jìn)行檢查、檢驗(yàn)合格。 2、檢查差動(dòng)保護(hù)二次回路接線正確,二次回路絕緣符合規(guī)程要求。 3、35kV開(kāi)關(guān)為DW2-35型,檢查油箱內(nèi)電流互感器為差動(dòng)保護(hù)專用LRD型,變比為75/5,核對(duì)變比、極性正確;6kV電流互感器為L(zhǎng)AJ-10 300/5,差動(dòng)接在D級(jí)繞組上,核對(duì)變比、極性正確。 4、對(duì)差動(dòng)保護(hù)按定值單傳動(dòng),各繼電器動(dòng)作正確。 以上各項(xiàng)目正常,說(shuō)明一、二次設(shè)備無(wú)缺陷,二次接線無(wú)錯(cuò)誤,便恢復(fù)主變送電,送電后進(jìn)行差動(dòng)保護(hù)向量和差壓檢測(cè)正常

    標(biāo)簽: 主變壓器 差動(dòng)保護(hù) 動(dòng)作

    上傳時(shí)間: 2013-10-08

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  • AT標(biāo)準(zhǔn)6U加固機(jī)DC/DC電源模塊

    概述 直流—直流電源模塊,是多路直流輸出穩(wěn)壓電源.輸出功率最大可達(dá)162.4W,工作效率為75%,各路輸出均有限流、短路保護(hù)功能。封裝形式為鋁外殼結(jié)構(gòu)。

    標(biāo)簽: DC 標(biāo)準(zhǔn) 加固機(jī) 電源模塊

    上傳時(shí)間: 2013-11-06

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  • 8階開(kāi)關(guān)電容濾波器MAX29X系列的應(yīng)用設(shè)計(jì)

    MAX29X是美國(guó)MAXIM公司生瓣的8階開(kāi)關(guān)電容低通濾波器,由于價(jià)格便宜、使用方便、設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單,在通訊、信號(hào)自理等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。本文就其工作原理、電氣參數(shù)、設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)等問(wèn)題作了討論,具有一定的實(shí)用參考價(jià)值。關(guān)鍵詞:開(kāi)關(guān)電容、濾波器、設(shè)計(jì) 1 引言     開(kāi)關(guān)電容濾波器在近些年得到了迅速的發(fā)展,世界上一些知名的半導(dǎo)體廠家相繼推出了自己的開(kāi)頭電容濾波器集成電路,使形狀電容濾波器的發(fā)展上了一個(gè)新臺(tái)階。     MAXIM公司在模擬器件生產(chǎn)領(lǐng)域頗具影響,它生產(chǎn)MAX291/292/293/294/295/296/297系列8階低通開(kāi)關(guān)電容濾波器由于使用方便(基本上不需外接元件)、設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單(頻率響應(yīng)函數(shù)是固定的,只需確定其拐角頻率即截止頻率)、尺寸小(有8-pin    DIP封裝)等優(yōu)點(diǎn),在ADC的反混疊濾波、噪聲分析、電源噪聲抑制等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。     MAX219/295為巴特活思(型濾波器,在通頻帶內(nèi),它的增益最穩(wěn)定,波動(dòng)小,主要用于儀表測(cè)量等要求整個(gè)通頻帶內(nèi)增益恒定的場(chǎng)合。MAX292/296為貝塞爾(Bessel)濾波器,在通頻帶內(nèi)它的群時(shí)延時(shí)恒定的,相位對(duì)頻率呈線性關(guān)系,因此脈沖信號(hào)通過(guò)MAX292/296之后尖峰幅度小,穩(wěn)定速度快。由于脈沖信號(hào)通過(guò)貝塞爾濾波器之后所有頻率分量的延遲時(shí)間是相同的,故可保證波形基本不變。關(guān)于巴特活和貝塞爾濾波器的特性可能圖1來(lái)說(shuō)明。圖1的蹤跡A為加到濾波器輸入端的3kHz的脈沖,這里我們把濾波器的截止頻率設(shè)為10kHZ。蹤跡B通過(guò)MAX292/296后的波形。從圖中可以看出,由于MAX292/296在通帶內(nèi)具有線性相位特性,輸出波形基本上保持了方波形狀,只是邊沿處變圓了一些。方波通過(guò)MAX291/295之后,由于不同頻率的信號(hào)產(chǎn)生的時(shí)延不同,輸出波形中就出現(xiàn)了尖峰(overshoot)和鈴流(ringing)。     MAX293/294/297為8階圓型(Elliptic)濾波器,它的滾降速度快,從通頻帶到阻帶的過(guò)渡帶可以作得很窄。在橢圓型濾波器中,第一個(gè)傳輸零點(diǎn)后輸出將隨頻率的變高而增大,直到第二個(gè)零點(diǎn)處。這樣幾番重復(fù)就使阻事賓頻響呈現(xiàn)波浪形,如圖2所示。阻帶從fS起算起,高于頻率fS處的增益不會(huì)超過(guò)fS處的增益。在橢圓型濾波中,通頻帶內(nèi)的增益存在一定范圍的波動(dòng)。橢圓型濾波器的一個(gè)重要參數(shù)就是過(guò)渡比。過(guò)渡比定義為阻帶頻率fS與拐角頻率(有時(shí)也等同為截止頻率)由時(shí)鐘頻率確定。時(shí)鐘既可以是外接的時(shí)鐘,也可以是自己的內(nèi)部時(shí)鐘。使用內(nèi)部時(shí)鐘時(shí)只需外接一個(gè)定時(shí)用的電容既可。     在MAX29X系列濾波器集成電路中,除了濾波器電路外還有一個(gè)獨(dú)立的運(yùn)算放大器(其反相輸入端已在內(nèi)部接地)。用這個(gè)運(yùn)算放大器可以組成配合MAX29X系列濾波器使用后的濾波、反混濾波等連續(xù)時(shí)間低通濾波器。     下面歸納一下它們的特點(diǎn):     ●全部為8階低通濾波器。MAX291/MAX295為巴特沃思濾波器;MAX292/296為貝塞爾濾波器;MAX293/294/297為橢圓濾波器。     ●通過(guò)調(diào)整時(shí)鐘,截止頻率的調(diào)整范圍為:0.1Hz~25kHz(MAX291/292/293*294);0.1Hz~kHz(MAX295/296/297)。     ●既可用外部時(shí)鐘也可用內(nèi)部時(shí)鐘作為截止頻率的控制時(shí)鐘。     ●時(shí)鐘頻率和截止頻率的比率:10∶1(MAX291/292/293/294);50∶1(MAX295/296/297)。     ●既可用單+5V電源供電也可用±5V雙電源供電。     ●有一個(gè)獨(dú)立的運(yùn)算放大器可用于其它應(yīng)用目的。     ●8-pin DIP、8-pin SO和寬SO-16多種封裝。2 管腳排列和主要電氣參數(shù)     MAX29X系列開(kāi)頭電容濾波器的管腳排列如圖3所示。     管腳功能定義如下:     CLK:時(shí)鐘輸入。     OP OUT:獨(dú)立運(yùn)放的輸出端。     OP INT:獨(dú)立運(yùn)放的同相輸入端。     OUT:濾波器輸出。     IN:濾波器輸入。     V-:負(fù)電源 。雙電源供電時(shí)搛-2.375~-5.5V之間的電壓,單電源供電時(shí)V--=-V。     V+:正電源。雙電源供電時(shí)V+=+2.35~+5.5V,單電源供電時(shí)V+=+4.75~+11.0V。     GND:地線。單電源工作時(shí)GND端必須用電源電壓的一半作偏置電壓。     NC:空腳,無(wú)連線。     MAX29X的極限電氣參數(shù)如下:     電源(V+~V-):12V     輸入電壓(任意腳):V--0.3V≤VIN≤V++0.3V     連續(xù)工作時(shí)的功耗:8腳塑封DIP:727mW;8腳SO:471mW;16腳寬SO:762mW;8腳瓷封DIP:640mW。     工作溫度范圍:MAX29-C-:0℃~+70℃;MAX29-E-:-40℃~+85℃;MAX29-MJA:-55℃~+125℃;保存溫度范圍:-65℃~+160℃;焊接溫度(10秒):+300℃;     大多數(shù)的形狀電容濾波器都采用四節(jié)級(jí)連結(jié)構(gòu),每一節(jié)包含兩個(gè)濾波器極點(diǎn)。這種方法的特點(diǎn)就是易于設(shè)計(jì)。但采用這種方法設(shè)計(jì)出來(lái)的濾波器的特性對(duì)所用元件的元件值偏差很敏感。基于以上考慮,MAX29X系列用帶有相加和比例功能的開(kāi)關(guān)電容持了梯形無(wú)源濾波器,這種方法保持了梯形無(wú)源濾波器的優(yōu)點(diǎn),在這種結(jié)構(gòu)中每個(gè)元件的影響作用是對(duì)于整個(gè)頻率響應(yīng)曲線的,某元件值的誤差將會(huì)分散到所有的極點(diǎn),因此不值像四節(jié)級(jí)連結(jié)構(gòu)那樣對(duì)某一個(gè)極點(diǎn)特別明顯的影響。3 MAX29X的頻率特性     MAX29X的頻率特性如圖4所示。圖中的fs都假定為1kHz。4 設(shè)計(jì)考慮     下面對(duì)MAX29X系列形狀電容濾波器的使用做些討論。4.1 時(shí)鐘信號(hào)     MAX29X系列開(kāi)頭電容濾波器推薦使用的時(shí)鐘信號(hào)最高頻率為2.5MHz。根據(jù)對(duì)應(yīng)的時(shí)鐘頻率和拐角頻率的比值,MAX291/MAX292/MAX293/MAX294的拐角頻率最高為25kHz.MAX295/MAX296/MAX297的拐角頻率最高為50kHz 。     MAX29X系列開(kāi)關(guān)電容濾波器的時(shí)鐘信號(hào)既可幅外部時(shí)鐘直接驅(qū)動(dòng)也可由內(nèi)部振蕩器產(chǎn)生。使用外部時(shí)鐘時(shí),無(wú)論是采用單電源供電還是雙電源供電,CLK可直接和采用+5V供電的CMOS時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生器的輸出相連。通過(guò)調(diào)整外部時(shí)鐘的頻率,可完成濾波器拐角的實(shí)時(shí)調(diào)整。     當(dāng)使用內(nèi)部時(shí)鐘時(shí),振蕩器的頻率由接在CLK端上的電容VCOSC決定:     fCOSC (kHz)=105/3COSC (pF) 4.2 供電     MAX29X系列開(kāi)關(guān)電容濾波器既可用單電源工作也可用雙電源工作。雙電源供電時(shí)的電源電壓范圍為±2.375~±5.5V。在實(shí)際電路中一般要在正負(fù)電源和GND之間接一旁路電容。     當(dāng)采用單電源供電時(shí),V-端接地,而GND端要通過(guò)電阻分壓獲得一個(gè)電壓參考,該電壓參考的電壓值為1/2的電源電壓,參見(jiàn)圖5。4.3 輸入信號(hào)幅度范圍限制     MAX29X允許的輸入信號(hào)的最大范圍為V--0.3V~V++0.3V。一般情況下在+5V單電源供電時(shí)輸入信號(hào)范圍取1V~4V,±5V雙電源供電時(shí),輸入信號(hào)幅度范圍取±4V。如果輸入信號(hào)超過(guò)此范圍,總諧波失真THD和噪聲就大大增加;同樣如果輸入信號(hào)幅度過(guò)?。╒P-P<1V),也會(huì)造成THD和噪聲的增加。4.4 獨(dú)立運(yùn)算放大器的用法     MAX29X中都設(shè)計(jì)有一個(gè)獨(dú)立的運(yùn)算放大器,這個(gè)放大器和濾波器的實(shí)現(xiàn)無(wú)直接關(guān)系,用這個(gè)放大器可組成一個(gè)一階和二階濾波器,用于實(shí)現(xiàn)MAX29X之前的反混疊濾波功能鄞MAX29X之后的時(shí)鐘噪聲抑制功能。這個(gè)運(yùn)算放大器的反相端已在內(nèi)部和GND相連。     圖6是用該獨(dú)立運(yùn)放組成的2階低通濾波器的電路,它的拐角頻率為10kHz,輸入阻抗為22Ω,可滿足MAX29X形狀電容濾波器的最小負(fù)載要求(MAX29X的輸出負(fù)載要求不小于20kΩ)可以通過(guò)改變R1、R2、R3、C1、C2的元件值改變拐角頻率。具體的元件值和拐角頻率的對(duì)應(yīng)關(guān)系參見(jiàn)表1。

    標(biāo)簽: 29X MAX 29 8階

    上傳時(shí)間: 2013-10-18

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  • 嵌入式處理器和數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)選型手冊(cè)

    目 錄 ADI處理器簡(jiǎn)介 ADI嵌入式處理器產(chǎn)品系列2 市場(chǎng)和應(yīng)用. 3 技術(shù)短訓(xùn)班與大學(xué)計(jì)劃  . 4 在線培訓(xùn) 可視化學(xué)習(xí)與開(kāi)發(fā). 5 開(kāi)發(fā)工具 CROSSCORE開(kāi)發(fā)工具  . . 7 VisualDSP++集成開(kāi)發(fā)環(huán)境 8 擴(kuò)展的開(kāi)發(fā)工具產(chǎn)品 . 12 CROSSCORE 開(kāi)發(fā)工具選型表  13 Blackfin和SHARC處理器的軟件模塊  . 14 其它支持 第三方開(kāi)發(fā)計(jì)劃. . 16 平臺(tái)與參考設(shè)計(jì) . 16 EngineerZone 16 基準(zhǔn). . 17 產(chǎn)品介紹和選型表 Blackfin處理器家族  . . 20 Blackfin處理器家族選型表  . . 22 ADSP-BF504/ADSP-BF504F/ADSP-BF506F . 26 ADSP-BF512/ADSP-BF514/ADSP-BF516/ADSP-BF518 . . 28 ADSP-BF522/ADSP-BF523/ADSP-BF524/ADSP-BF525/ ADSP-BF526/ADSP-BF527 . . 30 ADSP-BF542/ADSP-BF544/ADSP-BF547/ADSP-BF548/ ADSP-BF549 32 ADSP-BF538/ADSP-BF538F . 34 ADSP-BF536/ADSP-BF537 . . 35 ADSP-BF534 37 ADSP-BF561 38 ADSP-BF531/ADSP-BF532 . . 39 ADSP-BF533 41 ADSP-BF535 43 SHARC處理器家族 44 SHARC處理器家族選型表 46 ADSP-21483/ADSP-21486/ADSP-21487/ADSP-21488/ ADSP-21489 48 ADSP-21478/ADSP-21479 . . 50 ADSP-21467/ADSP-21469 . . 52 ADSP-21371/ADSP-21375 . . 54 ADSP-21367/ADSP-21368/ADSP-21369  55 ADSP-21366 57 ADSP-21363/ADSP-21364 . . 58 ADSP-21266 59 ADSP-21262 60 ADSP-21261 61 ADSP-21161N  . . 62 ADSP-21160 63 ADSP-21065L  . . 64 SigmaDSP音頻處理器  66 SigmaStudio. 66 SigmaDSP產(chǎn)品選型表 . 67 AD1940/AD1941  68 ADAU1401A . 69 ADAU1442/ADAU1445/ADAU1446 . . 70 ADAU1701/ADAU1702  . . 72 ADAU1761 . . 73 ADAU1781 . . 74 SigmaStudio. 75 SigmaDSP評(píng)估板 . . 76 TigerSHARC處理器家族 . . 77 TigerSHARC處理器家族選型表 . . 77 ADSP-TS203 78 ADSP-TS202 79 ADSP-TS201 80 ADSP-TS101 81 ADI補(bǔ)充處理器指南 監(jiān)控器件與數(shù)字信號(hào)處理器  82 電源管理與數(shù)字信號(hào)處理器  84 低功耗立體聲音頻編解碼器  86 單聲道低功耗D類音頻放大器 . . 86 立體聲低功耗D類音頻放大器 . . 86 多通道編解碼器. . 87

    標(biāo)簽: DSP 嵌入式處理器 數(shù)字信號(hào)處理器 選型手冊(cè)

    上傳時(shí)間: 2013-11-05

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