本資料包含完整的GJB150A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法GJB150A-2009中華人民共和國國家軍用標準代替GJB150-1986GJB150.1A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法第1部分:通用要求（代替GJB150.1-86）GJB150.2A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法第2部分:低氣壓（高度）試驗（代替GJB150.2-86）GJB150.3A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法GJB150.4A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法GJB150.5A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法GJB150.7A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法第7部分:太陽輻射試驗（代替GJB150.7-86）GJB150.8A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法第8部分:淋雨試驗（代替GJB150.8-86）GJB150.9A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法第9部分:濕熱試驗（代替GJB150.9-86）GJB150.10A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法第GJB150.11A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法第11部分 鹽霧試驗（代替GJB150.11-86）GJB150.12A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法第12部分:砂塵試驗（代替GJB150.12-86）GJB150.13A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法第GJB150.14A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法第14部分:浸漬試驗（代替GJB150.14-86）GJB150.15A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法GJB150.16A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法第16部分振動試驗（代替GJB150.16-86）GJB150.17A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法第17部分:噪聲試驗（代替GJB150.17-86）GJB150.18A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法GJB150.20A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法第20部分:炮擊振動試驗（代替GJB150.20-86）GJB150.21A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法第21部分:風壓試驗（代替GJB150.21-87）GJB150.22A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法第22部分:積冰/凍雨試驗（代替GJB150.22-87）GJB150.23A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法第23部分:傾斜和搖擺試驗（代替GJB150.23-91）GJB150.24A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法GJB150.25A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境實驗方法GJB150.26A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法第GJB150.27A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境實驗方法GJB150.28A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法GJB150.29A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法第29部分:彈道沖擊試驗
標簽： 實驗室環(huán)境
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LCD1602 LED燈陣列顯示器件Altium Designer AD PCB封裝庫2D3D元件庫文件PCB Library : 顯示器件.PcbLibDate : 2020/12/29Time : 14:26:46Component Count : 14Component Name-----------------------------------------------JLX12864G-086JLX12864G-200JLX12864G-1353LCD-1602LCD-12864ALCD7X18LED 8*8-38LED RG-8*8AOLED 1.3-12864_7pinTFT1.5-39PTJC3224TJC4024K032TXD144CFTXD144CF-modules
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GJB150A-2009中華人民共和國國家軍用標準代替GJB150-1986GJB150.1A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法第1部分:通用要求（代替GJB150.1-86）GJB150.2A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法第2部分:低氣壓（高度）試驗（代替GJB150.2-86）GJB150.3A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法GJB150.4A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法GJB150.-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法GJB150.7A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法第7部分:太陽輻射試驗（代替GJB150.7-86）GJB150.8A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法第8部分:淋雨試驗（代替GJB150.8-86）GJB150.9A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法第9部分:濕熱試驗（代替GJB150.9-86）GJB150.10A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法第GJB150.11A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法第11部分 鹽霧試驗（代替GJB150.11-86）GJB150.12A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法第12部分:砂塵試驗（代替GJB150.12-86）GJB150.13A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法第GJB150.14A-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法第14部分:浸漬試驗（代替GJB150.14-86）GJB150.1-2009 軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法
標簽： gjb150a
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STM32 PMSM FOC SDK V4.2·SDK V4.2軟件包包含：PMSM FOC固件庫和STMC Workbench（GUI），允許用戶使用STM32進行單或雙PMSM馬達的FOC的驅(qū)動，其支持STM32F0XX，STM32F1xx，STM32F2xx，STM32F3xX及STM32F4xx工具：ST MC Workbench 1/2·STMCWBPC軟件通過圖形界面產(chǎn)生軟件庫的參數(shù)頭文件，方便用戶對軟件庫的配置及馬達的調(diào)試工具：STMC Workbench 2/2·實時串口通訊·與PC實時通訊，實現(xiàn)馬達的啟動/停止，或速度的加減速·調(diào)試和監(jiān)控軟件參數(shù)·實時畫出馬達的參考及實際速度曲線X-NUCLEO-IHM07M1·供電電壓：8V-48VDC·2.8A峰值電流·最大工作頻率100KHz·兼容STM32Nucleo/ST Morpho接口·支持三電阻/單電阻電流采樣·支持Hall/Encoder
標簽： stm32
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PT2466為照相機、消費品、玩具等低壓或電池供電的應用運動控制。PT2466可提供高達1.8A的輸出直流電。電流。它在電機電源（VM）上運行。從0到11V以及設備電源電壓（VCC）1.8V至5V。超低R-DS開啟允許提供SOP-8包裝。PT2466具有脈寬調(diào)制（IN1-IN2）輸入接口全保護與過電流集成保護、欠壓閉鎖和過電壓-溫度停機
標簽： pt2466
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