磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數(shù)對諧波測量的影響，提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞：比損耗系數(shù)， 磁滯常數(shù)ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家，在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上，進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施，促進(jìn)了質(zhì)量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規(guī)定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細(xì)的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對比較的實(shí)用方法，專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話設(shè)備的遙測振蕩器和線路放大器系統(tǒng)，其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時(shí)，所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測磁心配對安裝好后，先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作，其中測量系統(tǒng)的高、低通濾波器，信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán)，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求， 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初，1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié)，出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩(wěn)定材料，在此基礎(chǔ)上，還實(shí)現(xiàn)了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM（頻率劃分調(diào)制）向PCM（脈沖編碼調(diào)制） 轉(zhuǎn)換時(shí)期， 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優(yōu)鐵氧體材料<3>，其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵
上傳時(shí)間： 2014-12-24
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This document provides practical, common guidelines for incorporating PCI Express interconnect layouts onto Printed Circuit Boards (PCB) ranging from 4-layer desktop baseboard designs to 10- layer or more server baseboard designs. Guidelines and constraints in this document are intended for use on both baseboard and add-in card PCB designs. This includes interconnects between PCI Express devices located on the same baseboard (chip-to-chip routing) and interconnects between a PCI Express device located “down” on the baseboard and a device located “up” on an add-in card attached through a connector. This document is intended to cover all major components of the physical interconnect including design guidelines for the PCB traces, vias and AC coupling capacitors, as well as add-in card edge-finger and connector considerations. The intent of the guidelines and examples is to help ensure that good high-speed signal design practices are used and that the timing/jitter and loss/attenuation budgets can also be met from end-to-end across the PCI Express interconnect. However, while general physical guidelines and suggestions are given, they may not necessarily guarantee adequate performance of the interconnect for all layouts and implementations. Therefore, designers should consider modeling and simulation of the interconnect in order to ensure compliance to all applicable specifications. The document is composed of two main sections. The first section provides an overview of general topology and interconnect guidelines. The second section concentrates on physical layout constraints where bulleted items at the beginning of a topic highlight important constraints, while the narrative that follows offers additional insight.
標(biāo)簽： pci PCB 設(shè)計(jì)規(guī)范
上傳時(shí)間： 2013-10-15
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Arduino 是一塊基于開放原始代碼的Simple i/o 平臺，并且具有使用類似java,C 語言的開發(fā)環(huán)境。讓您可以快速 使用Arduino 語言與Flash 或Processing…等軟件，作出互動作品。Arduino 可以使用開發(fā)完成的電子元件例如Switch 或Sensors 或其他控制器、ＬＥＤ、步進(jìn)電機(jī)或其他輸出裝置。Arduino 也可以獨(dú)立運(yùn)作成為一個(gè)可以跟軟件溝通的平臺，例如說：flash processing Max/MSP VVVV 或其他互動軟件… Arduino 開發(fā)ＩＤＥ界面基于開放原始碼原則，可以讓您免費(fèi)下載使用開發(fā)出更多令人驚奇的互動作品。 什么是Roboduino? DFRduino 與Arduino 完全兼容，只是在原來的基礎(chǔ)上作了些改進(jìn)。Arduino 的IO 使用的孔座，做互動作品需要面包板和針線搭配才能進(jìn)行，而DFRduino 的IO 使用針座，使用我們的杜邦線就可以直接把各種傳感器連接到DFRduino 上。 特色描述 1． 開放原始碼的電路圖設(shè)計(jì)，程式開發(fā)界面免費(fèi)下載，也可依需求自己修改!! 2． DFRduino 可使用ISP 下載線，自我將新的IC 程序燒入「bootloader」； 3． 可依據(jù)官方電路圖，簡化DFRduino 模組，完成獨(dú)立云作的微處理控制器； 4． 可簡單地與傳感器、各式各樣的電子元件連接(如：紅外線,超聲波,熱敏電阻,光敏電阻,伺服電機(jī)等)； 5． 支援多樣的互動程式 如: Flash,Max/Msp,VVVV,PD,C,Processing 等； 6． 使用低價(jià)格的微處理控制器(ATMEGA168V-10PI)； 7． USB 接口，不需外接電源，另外有提供9VDC 輸入接口； 8． 應(yīng)用方面，利用DFRduino，突破以往只能使用滑鼠，鍵盤，CCD 等輸入的裝置的互動內(nèi)容，可以更簡單地達(dá)成單人或多人游戲互動。 性能描述 1． Digital I/O 數(shù)字輸入/輸出端共 0~13。 2． Analog I/O 模擬輸入/輸出端共 0~5。 3． 支持USB 接口協(xié)議及供電(不需外接電源)。 4． 支持ISP 下載功能。 5． 支持單片機(jī)TX/RX 端子。 6． 支持USB TX/RX 端子。 7． 支持AREF 端子。 8． 支持六組PWM 端子(Pin11,Pin10,Pin9，Pin6,Pin5,Pin3)。 9． 輸入電壓：接上USB 時(shí)無須外部供電或外部5V~9V DC 輸入。 10．輸出電壓：5V DC 輸出和3.3V DC 輸出 和外部電源輸入。 11．采用Atmel Atmega168V-10PI 單片機(jī)。 12．DFRduino 大小尺寸：寬70mm X 高54mm。 Arduino開發(fā)板圖片
上傳時(shí)間： 2014-01-14
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出了一種新型的低成本單相在線不間斷電源（UPS）。該系統(tǒng)包括具有功率因數(shù)校正（PFC）功能的整流/升壓轉(zhuǎn)換器和連接到DC-Link總線的兩橋臂逆變器，電池組通過一個(gè)非常簡單的系統(tǒng)可直接連接到DC-Link總線。采用6開關(guān)管的架構(gòu)，相對于傳統(tǒng)的8開關(guān)管全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的系統(tǒng)降低了成本。即使在非線性負(fù)載下，該系統(tǒng)仍具有功率密度高和高品質(zhì)輸出電壓的特點(diǎn)。最后詳細(xì)描述了電路操作、分析以及模擬和實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
上傳時(shí)間： 2013-11-04
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為了提高交錯并聯(lián)變換器的性能，對四相交錯并聯(lián)雙向DC/DC變換器中不對稱耦合電感進(jìn)行分析，推導(dǎo)出等效穩(wěn)態(tài)電感和等效暫態(tài)電感的數(shù)學(xué)表達(dá)式。結(jié)合提出的耦合電感結(jié)構(gòu)進(jìn)行不對稱耦合電感對稱化研究。通過Saber和3D Maxwell軟件進(jìn)行仿真驗(yàn)證和樣機(jī)實(shí)驗(yàn)，驗(yàn)證了理論分析和仿真結(jié)果的正確性。
標(biāo)簽： 交錯并聯(lián) 變換器 耦合電感 對稱
上傳時(shí)間： 2013-10-19
上傳用戶：wangfei22
介紹了由兩個(gè)DC/DC開關(guān)電源模塊并聯(lián)構(gòu)成的供電系統(tǒng)電路結(jié)構(gòu)和工作原理。該系統(tǒng)采用ARM芯片STM32為主控芯片產(chǎn)生驅(qū)動功率開關(guān)器件MOSFET的PWM脈沖[1]，對供電系統(tǒng)的輸出電壓和各個(gè)模塊的輸出電流均實(shí)現(xiàn)了全數(shù)字閉環(huán)PI控制。系統(tǒng)輸出電壓穩(wěn)定，能實(shí)現(xiàn)兩個(gè)模塊電流的比例分配，同時(shí)具有輸出負(fù)載短路及延時(shí)恢復(fù)功能。仿真和實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證了控制技術(shù)的正確性和可行性。
標(biāo)簽： DC_DC 開關(guān)電源模塊 并聯(lián)供電系統(tǒng) 均流
上傳時(shí)間： 2013-11-20
上傳用戶：小碼農(nóng)lz
常用電源類
標(biāo)簽： 穩(wěn)壓模塊
上傳時(shí)間： 2013-11-07
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為滿足型號HDLG808CW5W（工作電流低于5A）半導(dǎo)體激光器對低漂移，高精度的驅(qū)動器的需求，基于負(fù)反饋原理，將激光器的注入電流作為反饋量，實(shí)現(xiàn)電流的穩(wěn)定控制，并給出相應(yīng)的傳遞函數(shù)表達(dá)式。采用DC/DC變換電路對輸入電壓進(jìn)行降壓處理，解決了恒流源變換的效率偏低的問題。實(shí)際測試驗(yàn)證，驅(qū)動電流在0~5A內(nèi)連續(xù)可調(diào)，電流紋波系數(shù)可達(dá)0.5%以下，電源變換效率可達(dá)80%以上。結(jié)果表明，該驅(qū)動器能夠滿足HDLG808CW5W型號半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動需求。
標(biāo)簽： 高效率 半導(dǎo)體激光 二極管 驅(qū)動器
上傳時(shí)間： 2013-10-17
上傳用戶：fengzimili
零電壓開關(guān)控制的DC/DC變換器在中大功率應(yīng)用場合受到越來越多的關(guān)注，并被廣泛地應(yīng)用到工程中，其可靠性受到人們的重視。本文介紹了零電壓開關(guān)控制的原理和現(xiàn)在較為常用的零電壓開關(guān)控制芯片UCC3895芯片，并用該芯片完成一臺15V/48V的DC/DC變換器設(shè)計(jì)，給出了電路主要參數(shù)的設(shè)計(jì)和初步的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
標(biāo)簽： DCDC 移相全橋 變換器 應(yīng)用研究
上傳時(shí)間： 2013-11-05
上傳用戶：devin_zhong
LT3474 是一款支持多種電源的降壓型 1ALED 驅(qū)動器，具有一個(gè) 4V 至 36V 的寬輸入電壓範(fàn)圍，並可通過編程以高達(dá) 88% 的效率來輸送 35mA 至1A 的 LED 電流
上傳時(shí)間： 2013-11-09
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