《深入理解Android：卷I》,講述android開發中的要點，免分分享個大家！
標簽： Android
上傳時間： 2013-04-24
上傳用戶：diamondsGQ
]本文介紹了如何利用CPLD(復雜可編程邏輯器件)與單片機的結合實現并行I／\r\nO(輸入／輸出)接口的擴展。該設計與用8255做并行I／O接口相比，與單片機軟件完全兼容，\r\n同時擁有速度快，功耗低，價格便宜，使用靈活等特點
上傳時間： 2013-08-14
上傳用戶：xa_lgy
:針對現場可編程門陣列(FPGA)芯片的特點,研究FPGA中雙向端口I/O的設計,同時給出仿真初始化雙向端口I/O的方法。采用這種雙向端口的設計方法,選用Xilinx的Spartan2E芯片設計一個多通道圖像信號處理系統。
上傳時間： 2013-08-17
上傳用戶：xiaoyunyun
一種基于CPLD和PC I總線的視頻采集卡的設計方案
上傳時間： 2013-08-24
上傳用戶：123啊
Recent advances in low voltage silicon germaniumand BiCMOS processes have allowed the design andproduction of very high speed amplifi ers. Because theprocesses are low voltage, most of the amplifi er designshave incorporated differential inputs and outputs to regainand maximize total output signal swing. Since many lowvoltageapplications are single-ended, the questions arise,“How can I use a differential I/O amplifi er in a single-endedapplication?” and “What are the implications of suchuse?” This Design Note addresses some of the practicalimplications and demonstrates specifi c single-endedapplications using the 3GHz gain-bandwidth LTC6406differential I/O amplifi er.
上傳時間： 2013-11-23
上傳用戶：rocketrevenge
抑制△I 噪聲一般需要從多方面著手, 但通過PCB 設計抑制△I 噪聲是有效的措施之一。如何通過PCB 設計抑制△I 噪聲是一個亟待深入研究的問題。在對△I 噪聲的產生、特點、主要危害等研究的基礎上, 討論了輻射干擾機理, 重點結合PCB 和EMC 研究的新進展, 研究了抑制△I 噪聲的PCB 設計方法。對通過PCB 設計抑制△I 噪聲的研究與應用具有指導作用。
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：時代電子小智
6 GEMS壓力變送器3000系列-超高壓變送器 GEMS壓力變送器3000的行業應用： 船舶、工程機械 產品特點： ■工作壓力可高達10,000PSI ■高精度-在整個應用過程中,精度在±0.15%之內 ■高穩定性-長期漂移≤0.05%FS/6年 ■高的抗震動性能-采用了薄膜濺射式設計,取消了易破的連接線 GEMS壓力變送器3000的性能參數 精度 0.15%FS 重復性 0.03%FS 長期穩定性 0.06%F.S/年 壓力范圍 0-500、1000、2000、3000、5000、6000、7500、10,000psi 耐壓 2xF.S,15,000PSI,Max. 破裂壓力 7xFS 4xFS,對于10,000psi 疲勞壽命 108次滿量程循環 零點公差 0.5%F.S 量程公差 0.5%F.S,響應時間0.5毫秒 溫度影響 溫漂 1.5%FS(-20℃到80℃) 2%FS(-40℃到100℃) 2.7%FS(-55℃到120℃) GEMS壓力變送器3000的環境參數 振動 正弦曲線,峰值70g,5～5000HZ(根據MIL-STD810,514.2方法程序I) EMC 30V/m(100V/m Survivability) 電壓輸出 電路 見PDF文件(3線) 激勵 高于滿程電壓1.5VDC,最大到35VDC@6mA 最小環路電阻 (FS輸出/2)Kohms 供電靈敏度 0.01%FS/Volt 電流輸出 電路 2線 環路供電電壓 24VDC(7-35VDC) 輸出 4-20mA 最大環路電阻 (Vs-7)x50Ω 供電靈敏度 0.01%FS/V 比率輸出 輸出 0.5v到4.5v(3線)@5VDC供電 輸出激勵電壓 5VDC(4.75V-7VDC) GEMS壓力變送器3000的物理參數 殼體 IP65代碼G(NEMA4);IP67代碼F(NEMA6) 接液部件 17-4和15-5不銹鋼 電氣連接 見訂貨指南 壓力連接 1/4″NPT或G1/4 重量(約) 110g(電纜重量另加:75g/m) 機械震動 1000g/MIL-STD810,方法516.2,程序Ⅳ 加速度 在任意方向施加100g的穩定加速度時1bar(15psi)量程變送器的輸出會波動0.032%FS/g,量程增大到400bar(6000psi)時輸出波動會按對數遞減至0.0007%FS/g. 認證等級 CE
上傳時間： 2013-10-09
上傳用戶：sdfsdfs1
當今電子系統如高端處理器及記憶體，對電源的需求是趨向更低電壓、更高電流的應用。同時、對負載的反應速度也要提高。因此功率系統工程師要面對的挑戰，是要設計出符合系統要求的細小、價廉但高效率的電源系統。而這些要求都不是傳統功率架構能夠完全滿足的。Vicor提出的分比功率架構(Factorized Power Architecture FPA)以及一系列的整合功率元件，可提供革命性的功率轉換方案，應付以上提及的各項挑戰。這些功率元件稱為V•I晶片。
上傳時間： 2013-11-15
上傳用戶：yan2267246
常用主板I/O芯片簡介
上傳時間： 2013-11-10
上傳用戶：yupw24
各系列I/O型單片機使用手冊 第一部份 單片機概論 1第一章 硬件結構 3簡介3特性4技術特性4內核特性4周邊特性5選擇表6系統框線圖7引腳分配8引腳說明10極限參數15直流電氣特性16交流電氣特性18EEPROM 交流電氣特性18系統結構圖19時序和流水線結構(Pipelining) 19程序計數器21堆棧23算術及邏輯單元 – ALU24MTP 程序存儲器25結構25特殊向量26查表27查表程序范例28在線燒寫30數據存儲器31結構31通用數據存儲器32專用數據存儲器32
上傳時間： 2013-10-15
上傳用戶：yimoney
